【技术实现步骤摘要】
一种热活化延迟荧光材料、其制备方法、用途及包含其的OLED器件
本专利技术属于OLED发光材料
,具体涉及一种热活化延迟荧光材料、其制备方法、用途及包含其的OLED器件。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)在手机、电视等平板显示和照明方面的应用引起了工业界和学术界的广泛关注。目前,对OLED的研究已经取得了显著进展。基于荧光发射材料的第1代OLED仅仅利用了单重态激子发光,其内量子效率(IQE)只有25%。第2代OLED采用贵金属包含的磷光发射材料,通过贵金属(如效率高且稳定性好的铂或铱)与其配体间的自旋轨道耦合(SOC),综合利用了单重态(25%)和三重态(75%)激子,IQE可达100%。然而,基于磷光发射材料的OLED存在稀有金属价格昂贵、在高电流下会出现效率滚降现象等缺陷,人们希望获得价格更低且性能更好的OLED。热活化延迟荧光(TADF)材料具有较小的单线态-三线态能级差,三线态激子可以通过反隙间窜跃变成单线态激子而发光,如此可以充分利用电激发下形成的单/三线态激子能量,器件的内量子效率可以 ...
【技术保护点】
1.一种热活化延迟荧光材料,其特征在于,所述热活化延迟荧光材料是具有式I或式II结构的化合物:/n
【技术特征摘要】
1.一种热活化延迟荧光材料,其特征在于,所述热活化延迟荧光材料是具有式I或式II结构的化合物:
其中,X1、X2、X3和X4各自独立地为C-Y1、N、N-Y2、S、O或Se;
R1-R10各自独立地为给电子基团或氢原子;
Y1和Y2各自独立地选自氢原子、卤素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的杂烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的杂环烷基、取代或未取代的芳烷基、取代或未取代的芳氧基、氨基、硅烷基、取代或未取代的芳基或取代或未取代的杂芳基中的一种。
2.根据权利要求1所述的热活化延迟荧光材料,其特征在于,式I和式II中,X1和X4各自独立地为C-Y1或N;
优选地,式I和式II中,X1和X4均为N;
优选地,式I和式II中,X2和X3各自独立地为S、O或Se;
优选地,式I和式II中,X2和X3均为S、O或Se。
3.根据权利要求1或2所述的热活化延迟荧光材料,其特征在于,式I和式II中,R1-R10各自独立且至少一个为给电子基团;
优选地,所述给电子基团选自烷基、杂烷基、环烷基、杂环烷基、芳基、芳烷基、芳氧基、杂芳基、氨基、硅烷基、硫基或它们的取代物中的一种;
优选地,所述给电子基团选自如下基团中的一种:
4.根据权利要求1-3任一项所述的热活化延迟荧光材料,其特征在于,所述热活化延迟荧光材料是具有式III或式IV结构的化合物:
其中,R1-R10各自独立且至少一个选自如下基团中的一种,其余的为氢原子:
5.一种如权利要求1-4任一项所述的热活化延迟荧光材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法如下:
以化合物为原料,混合反应,得到所述热活化延迟荧光材料;
其中,n...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙加宝,
申请(专利权)人:上海和辉光电有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。