研磨装置及研磨方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种提高研磨速率的研磨装置及研磨方法。研磨装置使用具有研磨面的研磨垫进行研磨对象物的研磨，具备：研磨台，所述研磨台构成为能够旋转，并用于支承所述研磨垫；基板保持部，所述基板保持部用于保持研磨对象物并将研磨对象物按压于所述研磨垫；以及研磨液除去部，所述研磨液除去部用于从所述研磨面除去所述研磨液，所述研磨液除去部具有向所述研磨面喷射清洗液的冲洗部和对喷射有所述清洗液的所述研磨面上的研磨液进行吸引的吸引部，所述冲洗部具有由侧壁包围的清洗空间，所述侧壁具有使所述清洗空间朝向所述研磨台的径向外侧开口的开口部。

Grinding device and method

【技术实现步骤摘要】
研磨装置及研磨方法
本专利技术涉及研磨装置及研磨方法。
技术介绍
在半导体器件的制造工序中，半导体器件表面的平坦化技术变得越来越重要。作为平坦化技术，已知有化学机械研磨(CMP(ChemicalMechanicalPolishing))。在该化学机械研磨中，使用研磨装置将含有二氧化硅(SiO2)、二氧化铈(CeO2)等磨粒的研磨液(浆料)供给至研磨垫并使半导体晶片等基板与研磨垫滑动接触而进行研磨。进行CMP工艺的研磨装置具备支承研磨垫的研磨台和用于保持基板的被称为顶环或研磨头等的基板保持机构。该研磨装置从研磨液供给喷嘴向研磨垫供给研磨液，以预定的压力对研磨垫的表面(研磨面)按压基板。此时，通过使研磨台和基板保持机构旋转，基板与研磨面滑动接触，基板的表面被研磨平坦且被研磨成镜面。基板的研磨速率不仅取决于对基板的研磨垫的研磨载荷，还取决于研磨垫的表面温度。这是因为，研磨液对于基板的化学作用取决于温度。另外，根据制造的基板，为了防止品质的降低，期望在低温下执行CMP工艺。因此，在研磨装置中，重要的是将基板研磨中的研磨垫的表面温度保持为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种研磨装置，所述研磨装置使用具有研磨面的研磨垫进行研磨对象物的研磨，其特征在于，具备：/n研磨台，该研磨台构成为能够旋转，并用于支承所述研磨垫；/n基板保持部，该基板保持部用于保持研磨对象物并将研磨对象物按压于所述研磨垫；以及/n研磨液除去部，该研磨液除去部用于从所述研磨面除去所述研磨液，/n所述研磨液除去部具有：/n冲洗部，该冲洗部向所述研磨面喷射清洗液；以及/n吸引部，该吸引部对喷射有所述清洗液的所述研磨面上的研磨液进行吸引，/n所述冲洗部具有由侧壁包围的清洗空间，所述侧壁具有使所述清洗空间朝向所述研磨台的径向外侧开口的开口部。/n

【技术特征摘要】
20180806 JP 2018-1479151.一种研磨装置，所述研磨装置使用具有研磨面的研磨垫进行研磨对象物的研磨，其特征在于，具备：
研磨台，该研磨台构成为能够旋转，并用于支承所述研磨垫；
基板保持部，该基板保持部用于保持研磨对象物并将研磨对象物按压于所述研磨垫；以及
研磨液除去部，该研磨液除去部用于从所述研磨面除去所述研磨液，
所述研磨液除去部具有：
冲洗部，该冲洗部向所述研磨面喷射清洗液；以及
吸引部，该吸引部对喷射有所述清洗液的所述研磨面上的研磨液进行吸引，
所述冲洗部具有由侧壁包围的清洗空间，所述侧壁具有使所述清洗空间朝向所述研磨台的径向外侧开口的开口部。


2.根据权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，
所述冲洗部及所述吸引部构成为一体的块体，或者相邻地配置。


3.根据权利要求1或2所述的研磨装置，其特征在于，
所述研磨液除去部沿着所述基板保持部的外形配置在所述基板保持部的外侧。


4.根据权利要求3所述的研磨装置，其特征在于，
还具备支承臂，该支承臂支承所述基板保持部，
所述研磨液除去部固定于所述支承臂。


5.根据权利要求3所述的研磨装置，其特征在于，<...

【专利技术属性】
技术研发人员：外崎宏，陈柏翰，曾根忠一，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP