半导体装置制造方法及图纸

提供一种能够小型化且可靠性高的半导体装置。半导体装置(100)具备：具有主表面的绝缘基板(41)、半导体元件(2)、壳体材料(5)以及作为密封材料的密封树脂(1)。半导体元件(2)配置在绝缘基板(41)的主表面上。壳体材料(5)包围半导体元件(2)，并与绝缘基板(41)连接。密封树脂(1)配置在由壳体材料(5)和绝缘基板(41)包围的内部区域，包围半导体元件(2)。壳体材料(5)包括与连接于绝缘基板(41)的连接部相连且面向内部区域的凹部(51)。凹部(51)包括作为面向绝缘基板(41)的主表面的内壁部分的相向面(61)。从绝缘基板(41)的主表面(第1电路基板(31)的上表面)到作为内壁部分的相向面(61)的距离(H1)大于从主表面到半导体元件(2)的上表面(2a)的距离(H2)。

Semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及利用密封树脂将配置在绝缘基板上的半导体元件密封的半导体装置。
技术介绍
以搭载于工业设备、汽车的逆变器装置等为代表的半导体装置正在被要求进一步的高密度化、小型化。因此，安装于该半导体装置的半导体元件的安装密度正在变高。在半导体元件的安装密度高的半导体装置中，安装半导体元件的绝缘基板的露出面积相对变小。结果，具有保护半导体元件的密封材料与绝缘基板的粘接面积变小的倾向。若粘接面积小，则有可能由于半导体装置的高温保存或热循环所引起的压力而在密封材料与绝缘基板之间产生剥离。这样的密封材料与绝缘基板之间的剥离有可能使半导体装置的绝缘性降低，结果半导体装置的可靠性降低。从确保半导体装置的可靠性的观点出发，为了抑制密封材料与绝缘基板等的剥离，在专利文献1中，在接合有作为绝缘基板的陶瓷基板的铜基底的表面，在陶瓷基板的周围形成有两列以上的槽。在专利文献1中，对作为密封材料的环氧树脂进行传递模塑，该环氧树脂的一部分填充槽的内部，从而提高密封材料与铜基底的粘接性。在专利文献2中，公开了在由陶瓷构成的容器的腔室内部配置半导体元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其中，具备：/n绝缘基板，其具有主表面；/n半导体元件，其配置在所述绝缘基板的所述主表面上；/n壳体材料，其包围所述半导体元件，并与所述绝缘基板连接；以及/n密封材料，其配置在由所述壳体材料和所述绝缘基板包围的内部区域，并包围所述半导体元件，/n所述壳体材料包括与连接部相连且面向所述内部区域的凹部，所述连接部是所述壳体材料与所述绝缘基板连接的连接部，/n所述凹部包括面向所述绝缘基板的所述主表面的内壁部分，/n从所述绝缘基板的所述主表面到所述内壁部分的距离大于从所述主表面到所述半导体元件的上表面的距离。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170703 JP 2017-1302211.一种半导体装置，其中，具备：
绝缘基板，其具有主表面；
半导体元件，其配置在所述绝缘基板的所述主表面上；
壳体材料，其包围所述半导体元件，并与所述绝缘基板连接；以及
密封材料，其配置在由所述壳体材料和所述绝缘基板包围的内部区域，并包围所述半导体元件，
所述壳体材料包括与连接部相连且面向所述内部区域的凹部，所述连接部是所述壳体材料与所述绝缘基板连接的连接部，
所述凹部包括面向所述绝缘基板的所述主表面的内壁部分，
从所述绝缘基板的所述主表面到所述内壁部分的距离大于从所述主表面到所述半导体元件的上表面的距离。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述壳体材料上形成有从所述凹部内延伸至...

【专利技术属性】
技术研发人员：梶勇辅，原田耕三，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP