半导体模块制造技术

得到能够在抑制制造成本的增大的同时，未然地探测半导体模块的破坏的半导体模块。半导体模块(10000)具备半导体元件(1)、电路基板(3)、电阻体(5)、第1布线部件(4)以及探测部(12)。电路基板(3)包括电路图案(301b)。电阻体(5)与电路图案(301b)的表面连接。第1布线部件(4)直接连接半导体元件(1)和电阻体(5)，流过从半导体元件(1)流向电路图案(301b)的电流的至少一部分。探测部(12)探测电阻体(5)中的电压下降值的变化以及电阻体(5)中的电流值的变化的至少任意一方。

Semiconductor module

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体模块
本专利技术涉及半导体模块，特别涉及能够探测状态的半导体模块。
技术介绍
以往，已知功率模块等半导体模块。在半导体模块中，由于与半导体元件的电极连接的线断裂这样的理由，有时发生通电不良而半导体模块破损。以往提出了未然地探测这样的半导体模块的破损的方法。在日本特开2005-286009号公报(以下称为专利文献1)中，提出了对半导体元件与对主电流进行通电的线独立地连接虚设线，未然地探测半导体模块的破损的方法。专利文献1中的虚设线相比于对主电流进行通电的线，接合强度更弱而先断裂。因此，通过在对主电流进行通电的线破损之前探测该虚设线的断裂，能够未然地探测半导体模块破坏。在日本特开平10-56130号公报(以下称为专利文献2)中，公开了半导体元件的发射极电极和2个导出端子电极分别通过线连接，2个导出端子电极之间通过电阻体连接，能够测定2个导出端子电极之间的电压值的半导体模块。在专利文献2公开的半导体模块中，通过测定2个导出端子电极之间的电压值，能够检测一方的导出端子电极和线的电迁移所致的连接部的劣化。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-286009号公报专利文献2：日本特开平10-56130号公报
技术实现思路
在上述专利文献1公开的半导体模块中，对半导体元件连接虚设线，所以多余地需要半导体元件的面积。半导体元件在半导体模块的结构部件之中也非常昂贵，半导体元件的面积大成为半导体模块的制造成本增加的主要原因。在上述专利文献2公开的半导体模块中，设为为了测定上述电压值而用电阻体连接2个导出端子电极之间的结构，所以在不进行该电压值的测定的情况下，即相比于连接仅1个导出端子电极和发射极电极的结构，半导体模块的面积更大。因此，构成半导体模块的部件的尺寸也变大，其结果，半导体模块的制造成本增加。本专利技术是为了解决如上述的问题而完成的，其目的在于得到一种能够在抑制半导体模块的制造成本的增大的同时，未然地探测半导体模块的破坏的半导体模块。本公开所涉及的半导体模块具备半导体元件、电路基板、电阻体、第1布线部件以及探测部。电路基板包括电路图案。电阻体与电路图案的表面连接。第1布线部件直接连接半导体元件和电阻体。在第1布线部件中流过从半导体元件流向电路图案的电流的至少一部分。探测部探测电阻体中的电压下降值的变化以及电阻体中的电流值的变化的至少任意一方。根据本公开，能够通过探测部检测经由第1布线部件的半导体元件和电路图案的连接状态的变化。因此，能够根据由探测部检测上述变化，未然地探测半导体模块的破坏。进而，没有为了探测半导体模块的破坏而使用如以往那样的虚设线，所以不会起因于该虚设线的设置而多余地需要半导体元件的面积。因此，能够抑制半导体模块的制造成本的增大。附图说明图1是示出本专利技术的实施方式1所涉及的半导体模块的基本结构的剖面示意图。图2是示出图1所示的半导体模块的具体的结构的部分立体示意图。图3是图2所示的半导体模块的变形例的部分剖面放大示意图。图4是图2所示的半导体模块的其他变形例的部分剖面放大示意图。图5是本专利技术的实施方式2所涉及的半导体模块的部分立体示意图。图6是本专利技术的实施方式3所涉及的半导体模块的部分立体示意图。图7是示出图6所示的半导体模块的具体例的部分剖面示意图。图8是本专利技术的实施方式4所涉及的半导体模块的部分剖面示意图。图9是图8所示的半导体模块的部分示意图。图10是本专利技术的实施方式5所涉及的半导体模块的部分立体示意图。图11是图10所示的区域XI的放大示意图。(符号说明)1：半导体元件；2、6、16：接合材料；3：电路基板；4、10：布线部件；5：电阻体；5a：第1区域；5b：第2区域；5c：第3区域；7：基体板；8：壳体；9：密封材料；11：外部端子；12：探测部；13：印刷基板；17：表面；41、43、1210：端部；41a、401a、1210a：凹部；42：区域；301a、301b、1302a、1302b：电路图案；302：绝缘性部件；303：部件；401a～401d：第1布线部件；402a～402d：第2布线部件；1201a：第3布线部件；1201b：第4布线部件；1301：切口部；10000：半导体模块。具体实施方式以下，根据附图，说明本专利技术的实施方式。此外，在以下的附图中，对同一或者相当的部分附加同一参照编号，不反复其说明。实施方式1.<半导体模块的结构>图1是示出作为本专利技术的实施方式1所涉及的功率模块的半导体模块10000的基本结构的剖面示意图。图2是示出图1所示的半导体模块10000的具体的结构的部分立体示意图。如图1所示，半导体模块10000主要具备基体板7、作为绝缘电路基板的电路基板3、壳体8、作为功率半导体元件的半导体元件1、作为探测机构的探测部12以及外部端子11。电路基板3包括绝缘性部件302、板状的部件303、电路图案301a(第1电路图案)以及电路图案301b(第2电路图案)。绝缘性部件302具有例如板状的形状。部件303与绝缘性部件302的一方的表面连接。电路图案301a、301b配置于在绝缘性部件302中位于与连接部件303的一方的表面相反的一侧的另一方的表面上。在半导体模块10000中，在基体板7的外周部连接壳体8。壳体8以包围基体板7的外周部的方式具有环状的形状。在由基体板7和壳体8包围的内部，配置有半导体元件1以及电路基板3。半导体元件1以及电路基板3被密封材料9绝缘密封。半导体元件1通过接合材料2，与构成电路基板3的电路图案301a的表面接合。半导体元件1的主面中的、面对电路基板3的背面经由接合材料2与电路图案301a接合。在半导体元件1中位于与和接合材料2接触的背面相反的一侧的表面，连接布线部件4的一端。布线部件4的另一端朝向未配置半导体元件1的电路图案301b延伸。在布线部件4的另一端与电路图案301b之间，存在电阻体5。即，布线部件4经由电阻体5与电路图案301b连接。由此，在从电路图案301b至电路图案301a的包括半导体元件的电流路径中流过的电流的至少一部分在电阻体5中流过。电路基板3通过接合材料6与基体板7面接合。在电路基板3的电路图案301a安装有布线部件10的一端。布线部件10的另一端被埋入到壳体8的内部并且与外部端子11连接。对电阻体5连接测定电阻体5中的电压下降值或者电流值的探测部12。在此，在电阻体5中存在2个主面。一方的主面被连接布线部件4。另一方的主面与电路图案301b连接。探测部12的2个端子中的一方经由第3布线部件1201a与电阻体5的一方的主面连接。探测部12的2个端子中的另一方经由第4布线部件1201b与电路图案301b连接。探测部12的一方的端子是与电阻体5的一方的主面实质上相同的电位。探测部12的另一方的端子是与电阻体5的另一方的主面实质上相同的电位。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体模块，具备：/n半导体元件；/n电路基板，包括电路图案；/n电阻体，与所述电路图案的表面连接；/n第1布线部件，直接连接所述半导体元件和所述电阻体，流过从所述半导体元件流向所述电路图案的电流的至少一部分；以及/n探测部，探测所述电阻体中的电压下降值的变化及所述电阻体中的电流值的变化的至少任意一方。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170622 JP 2017-1222341.一种半导体模块，具备：
半导体元件；
电路基板，包括电路图案；
电阻体，与所述电路图案的表面连接；
第1布线部件，直接连接所述半导体元件和所述电阻体，流过从所述半导体元件流向所述电路图案的电流的至少一部分；以及
探测部，探测所述电阻体中的电压下降值的变化及所述电阻体中的电流值的变化的至少任意一方。


2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，
还具备直接连接所述半导体元件和所述电路图案的第2布线部件。


3.根据权利要求1或者2所述的半导体模块，其中，
所述第1布线部件是金属线以及金属带中的任意一方。


4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体模块，其中，具备：
第3布线部件，对所述探测部和...

【专利技术属性】
技术研发人员：福本晃久，中山靖，小林浩，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP