【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】产生负温度系数电阻器传感器的方法
本专利技术是关于制造从初始氧化物开始仅具有一个低于1000℃的多功能温度处理步骤的负温度系数电阻器(NTCR，negativetemperaturecoefficientresistor)传感器的方法。
技术介绍
负温度系数电阻器传感器是具有高度负的温度系数的温度相依的电阻器组件。负的温度系数电阻器传感器一般是用于高精度温度测量及温度监测。该传感器主要是基于经提供具有接触及保护薄膜的半导体过渡金属氧化物。典型的负温度系数电阻器传感器的电阻值(R，resistance)依据该下列方程式视电阻值而定：该数值B描述该温度相依性。该数值通常表示为B常数。R25是在25℃时的电阻值。若考虑该材料(ρ)的电阻率(比电阻)，则可以找到该下列的温度相依性：现在，ρ25为在25℃的该电阻率。至今为止，商业化负温度系数电阻器传感器的制造是使用典型的陶瓷制造技术所进行。这些典型的技术包括陶瓷粉末的制造，例如透过必要地包括下列顺序的步骤的混合的氧化物程序：混合、研磨、...
【技术保护点】
1.一种产生负温度系数电阻器(NTCR，Negative Temperature CoefficientResistor)传感器(17、18、19)的方法，其特征在于，该方法包括步骤：/n－提供包括在气胶生产单元(6)中的未锻烧粉末(8)及载体气体(9’)的混合物(3)，该未锻烧粉末(8)包括金属氧化物组成(9.1、9.2、9.3、9.x)；/n－由该混合物(3)及该载体气体(9’)形成气胶(9)并且于真空中加速该气胶(9)朝向配置在沉积腔体(4)中的基板(2)；/n－形成该混合物的该未锻烧粉末(8)的薄膜(10)于该基板(2)上；以及/n－通过施加热处理步骤转换该薄膜(1...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170522 EP 17172267.11.一种产生负温度系数电阻器(NTCR，NegativeTemperatureCoefficientResistor)传感器(17、18、19)的方法，其特征在于，该方法包括步骤：
－提供包括在气胶生产单元(6)中的未锻烧粉末(8)及载体气体(9’)的混合物(3)，该未锻烧粉末(8)包括金属氧化物组成(9.1、9.2、9.3、9.x)；
－由该混合物(3)及该载体气体(9’)形成气胶(9)并且于真空中加速该气胶(9)朝向配置在沉积腔体(4)中的基板(2)；
－形成该混合物的该未锻烧粉末(8)的薄膜(10)于该基板(2)上；以及
－通过施加热处理步骤转换该薄膜(10)成为尖晶石基材料层(13)。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
该热处理步骤是在低于1000℃的温度下进行，尤其是在600℃至1000℃的范围中，较佳的是在780℃至1000℃的范围中。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，该热处理步骤在大气压力下进行，其中，该大气压力较佳地具有控制的氧分压。
4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，
该载体气体(9’)是选择来自由氧、氮、惰性气体及该气体的组合所组成的群组的元素。
5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，
该未锻烧的粉末(8)包括选自在50nm至10μm的范围中的颗粒尺寸。
6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，
该形成的尖晶石基材料层(13)包括由锰、镍、钴、铜、铁、铬、铝、镁、锌、锆、镓、硅、锗及锂所组成的群组的元素的两个或两个以上的阳离子所组成的尖晶石，例如是通过下列化学式的其中一个所描述者：
MxMn3-xO4、MxM'yMn3-x-yO4及MxM'yM''zMn3-x-y-zO4
其中，M、M'及M''是选择来自由镍、钴、铜、铁、铬、铝、镁、锌、锆、镓、硅、锗及锂所组成的群组的元素；以及其中，该未锻烧的粉末包括至少一个M、M'及M''的化合物。
7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，
该未锻烧粉末(8)包括至少两个不同的金属氧化物组成(9.1、9.2、9.3、9.x)。
8.如权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾罗斯洛·基塔，拉尔夫·穆斯，克里斯蒂安·蒙克，韦罗尼克·普兰，米迦勒·舒伯特，苏菲·舒尔曼，
申请(专利权)人：维斯海电子有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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