晶片与晶片键合方法和晶片与晶片键合系统技术方案

提供了一种晶片与晶片键合方法和一种晶片与晶片键合系统。所述晶片与晶片键合方法包括：对第一晶片的键合表面执行等离子体处理；在对第一晶片的键合表面执行等离子体处理之后，对第一晶片加压；以及使第一晶片键合到第二晶片。所述等离子体处理沿着围绕第一晶片的中心的圆周方向具有不同的等离子体密度。在对第一晶片加压之后，第一晶片的中间部分突出。通过从第一晶片的中间部分向第一晶片的周缘区域逐渐地将第一晶片接合到第二晶片，使第一晶片键合到第二晶片。

Wafer to wafer bonding method and wafer to wafer bonding system

【技术实现步骤摘要】
晶片与晶片键合方法和晶片与晶片键合系统相关申请的交叉引用本申请要求于2018年8月3日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2018-0090872的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部并入本文。
示例性实施例涉及一种晶片与晶片键合方法和一种晶片与晶片键合系统。更具体地，示例性实施例涉及一种将晶片彼此键合以制造具有三维连接结构的半导体器件的方法和一种用于执行所述方法的晶片与晶片键合系统。
技术介绍
在制造诸如CMOS图像传感器(CIS)、高带宽存储器(HBM)等的电子产品中，可以将两个晶片彼此键合，由此改善每晶片的成品率。晶片与晶片键合工艺可以包括O2等离子体活化步骤、水合步骤、晶片对准步骤、晶片键合步骤、退火步骤等。当在晶片键合步骤中将两个晶片彼此键合时，在键合的晶片之间可能发生叠加畸变。
技术实现思路
示例性实施例提供了一种能够防止晶片与晶片未对准的晶片与晶片键合方法。示例性实施例提供了用于执行所述晶片与晶片键合方法的晶片与晶片键合系统。根据示例性实施例，一种晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片与晶片键合方法，所述晶片与晶片键合方法包括：/n对第一晶片的键合表面执行等离子体处理，所述等离子体处理沿着围绕所述第一晶片的中心的圆周方向具有不同的等离子体密度；/n在对所述第一晶片的键合表面执行了所述等离子体处理之后，对所述第一晶片加压，其中，在对所述第一晶片加压之后，所述第一晶片的中间部分突出；以及/n通过从所述第一晶片的中间部分向所述第一晶片的周缘区域逐渐地将所述第一晶片接合到第二晶片，使所述第一晶片键合到所述第二晶片。/n

【技术特征摘要】
20180803 KR 10-2018-00908721.一种晶片与晶片键合方法，所述晶片与晶片键合方法包括：
对第一晶片的键合表面执行等离子体处理，所述等离子体处理沿着围绕所述第一晶片的中心的圆周方向具有不同的等离子体密度；
在对所述第一晶片的键合表面执行了所述等离子体处理之后，对所述第一晶片加压，其中，在对所述第一晶片加压之后，所述第一晶片的中间部分突出；以及
通过从所述第一晶片的中间部分向所述第一晶片的周缘区域逐渐地将所述第一晶片接合到第二晶片，使所述第一晶片键合到所述第二晶片。


2.根据权利要求1所述的晶片与晶片键合方法，其中，执行所述等离子体处理包括：
在所述第一晶片的第一晶体取向上产生第一等离子体密度；以及
在所述第一晶片的第二晶体取向上产生大于所述第一等离子体密度的第二等离子体密度。


3.根据权利要求2所述的晶片与晶片键合方法，其中，所述第二晶体取向被定向为沿着围绕所述第一晶片的中心的所述圆周方向与所述第一晶体取向成预定角度。


4.根据权利要求2所述的晶片与晶片键合方法，其中，所述第一晶片具有在所述第一晶体取向上的第一杨氏模量和在所述第二晶体取向上的第二杨氏模量。


5.根据权利要求2所述的晶片与晶片键合方法，其中，所述第一晶体取向在[100]方向上，所述第二晶体取向在[110]方向上。


6.根据权利要求1所述的晶片与晶片键合方法，其中，执行所述等离子体处理包括：
通过喷头将等离子体气体供应到所述第一晶片的键合表面，
其中，所述喷头包括：
第一组排放孔，通过所述第一组排放孔，所述等离子体气体在所述第一晶片的第一晶体取向上以第一排放量喷射出；以及
第二组排放孔，通过所述第二组排放孔，所述等离子体气体在所述第一晶片的第二晶体取向上以大于所述第一排放量的第二排放量喷射出。


7.根据权利要求6所述的晶片与晶片键合方法，其中，包括在所述第二组排放孔中的排放孔的数量大于包括在所述第一组排放孔中的排放孔的数量。


8.根据权利要求6所述的晶片与晶片键合方法，其中，所述第二晶体取向被定向为沿着围绕所述第一晶片的中心的所述圆周方向与所述第一晶体取向成预定角度。


9.根据权利要求6所述的晶片与晶片键合方法，其中，所述第一晶片具有在所述第一晶体取向上的第一杨氏模量和在所述第二晶体取向上的第二杨氏模量。


10.根据权利要求1所述的晶片与晶片键合方法，所述晶片与晶片键合方法还包括：
在对所述第一晶片执行了所述等离子体处理之后，清洗所述第一晶片。


11.一种晶片与晶片键合方法，所述晶片与晶片键合方法包括：
对第一晶片的键合表面执行等离子体处理，所述等离子体处理从所述第一晶片的中心在第一晶体取向上具有第一等离子体密度，而在所述第一晶片的第二晶体取向上具有第二等离子体密度；
在对所述第一晶片的键合表面执行了所述等离子体处理之后，对所述第一晶片加压，其中，在对所述第一晶片加压之后，所述第一晶片的中间部分突出；以及
通过从所述第一晶片的中间部分向所述第一晶片的周缘区域逐渐地将所述第一晶片接合到第二晶片，使所述第一晶片键合到所述第二晶片。


12.根据权利要求11所述的晶片与晶片键合方法，其中，所述第一晶片具有在所述第一晶体取向上的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊昊，金圣协，孙沂周，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR