【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】混合半导体激光器组件以及用于制造这样的组件的方法描述
本专利技术涉及电子和光电领域,并且更具体地涉及混合半导体激光器组件。因此,本专利技术的一个目的是一种混合半导体激光器组件以及用于制造这样的组件的方法。现有技术状态为了使得能够将激光器组件集成在不适配的半导体支撑部或光子系统(诸如,硅支撑部或硅基光子系统)上,已知使用混合半导体激光器组件。为了举例说明这种混合半导体激光器元件,参考A.W.FANG等人的已于2008年3月31日发表在科学期刊《OpticsExpress》第16卷第7期第4413-4419页的作品以及B.BENBAKIR等人的已于2011年发表在科学期刊《OpticsExpress》第19卷第11期第4413-4419页的作品,该A.W.FANG等人的作品涉及基于发射模块和波导之间通过模式转换的绝热光学耦合的混合半导体激光器,并且该B.BENBAKIR等人的作品涉及基于发射模块和波导之间的倏逝光学耦合的混合半导体激光器。这样的组件一般包括:-发射模块,所述发射模块包括 ...
【技术保护点】
1.一种混合半导体激光器组件(1),包括:/n-至少一个第一发射模块(110,120),所述至少一个第一发射模块(110,120)包括有源区(111,121),所述有源区(111,121)由直接能隙半导体材料、诸如半导体III-V制成,并且被成形为以第一给定波长发射电磁辐射,/n-光学层(200),所述光学层(200)包括与所述至少一个第一发射模块(110,120)的有源区(111,121)光学耦合的至少一个第一波导(210,220),所述第一波导(210,220)与所述有源区(111,121)形成以所述第一给定波长谐振的光腔,/n所述混合半导体激光器组件(1)的特征在于, ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170619 FR 17555751.一种混合半导体激光器组件(1),包括:
-至少一个第一发射模块(110,120),所述至少一个第一发射模块(110,120)包括有源区(111,121),所述有源区(111,121)由直接能隙半导体材料、诸如半导体III-V制成,并且被成形为以第一给定波长发射电磁辐射,
-光学层(200),所述光学层(200)包括与所述至少一个第一发射模块(110,120)的有源区(111,121)光学耦合的至少一个第一波导(210,220),所述第一波导(210,220)与所述有源区(111,121)形成以所述第一给定波长谐振的光腔,
所述混合半导体激光器组件(1)的特征在于,其进一步包括:
-被称为散热半导体层的半导体层(310),所述散热半导体层(310)在所述第一发射模块(110,120)的与所述光学层(200)相对的的表面上与所述第一发射模块(110,120)热接触,
-用于连接所述至少一个第一发射模块的至少一个第一互连(251,252),所述第一互连(251,252)穿过所述光学层(200)。
2.根据权利要求1所述的混合半导体激光器组件(1),其中,所述混合半导体激光组件(1)进一步包括用于连接所述至少一个第一发射模块的第二互连(255),所述第二互连(255)与所述散热半导体层(310)电接触。
3.根据权利要求1所述的混合半导体激光器组件(1),其中,所述混合半导体激光组件(1)进一步包括用于连接所述至少一个第一发射模块的第二互连(255),所述第五互连(255)穿过所述光学层(200),所述第五互连(255)优选地包括:
-第一互连部分,所述第一互连部分朝向散热层延伸,
-金属层部分,所述金属层部分基本上平行于所述散热半导体层(310)延伸,该部分与所述第一互连部分电接触,
-第二互连部分,所述第二互连部分沿与所述散热层相反的方向延伸并且穿过所述光学层(200),所述第二互连部分与所述金属层部分电接触。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的混合半导体激光器组件(1),进一步包括:
-至少一个有源组件(260),诸如光学调制器,所述有源组件(260)容纳在所述光学层(200)中,
-用于连接所述有源组件的至少一个第三互连(256),所述第三互连延伸在所述有源组件(260)和所述混合半导体激光器组件(1)的与所述散热半导体层(310)相对的面之间。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的混合半导体激光器组件(1),其中,所述组件进一步包括被称为直通第四互连的至少一个第四互连(257、357、258、358),所述第四互连(257、357、258、358)延伸在所述混合半导体激光器组件(1)的与所述散热半导体层(310)相对的面和所述散热半导体层(310)的与所述光学层(200)相对的面之间,
并且其中,所述第四互连(257、357、258、358)在所述混合半导体激光器组件(1)的所述面和所述半导体层(310)的所述面中的每一者上具有相应的接触凸块。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的混合半导体激光器组件(1),其中,所述散热半导体层(310)为硅层。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的混合半导体激光器组件(1),进一步包括至少一个第一金属层(321),所述至少一个第一金属层(321)在所述散热半导体层(310)的与所述第一发射模块(110、120)相对的面上与所述散热半导体层(310)接触。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的混合半导体激光器组件(1),进一步包括至少一个第二金属层(322、323、324),所述至少一个第二金属层(322、323、324)在所述第一发射模块(110、120)的与所述光学层(200)相对的面上与所述第一发射模块电接触,
并且其中,所述第二金属层(322、323、324)参与所述散热半导体层(310)和所述第一发射模块(110、120)之间的热接触。
9.根据权利要求8所述的混合半导体激光器组件(1),其中,所述散热半导体层(310)与所述第二金属层(322、323、324)电接触。
10.根据权利要求8所述的混合半导体激光器组件(1),其中,在所述第二金属层(322、323、324)和所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:S·梅内佐,O·吉拉德,
申请(专利权)人:法国原子能源和替代能源委员会,
类型:发明
国别省市:法国;FR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。