激光二极管制造技术

技术编号:23028842 阅读:38 留言:0更新日期:2020-01-03 18:18
根据实施例的激光二极管可以包括:衬底;布置在衬底上的多个发光结构,发光结构中的每个包括第一反射层和第二反射层;与发光结构的第一反射层电连接的第一电极;与发光结构的第二反射层电连接的第二电极;布置在第一电极上的第一绝缘层;与第一电极电连接并布置在衬底上的第一结合焊盘;以及与第二电极电连接并且布置在衬底上的第二结合焊盘。

laser diode

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】激光二极管
实施例涉及半导体器件、制造半导体器件的方法、半导体器件封装和包括半导体器件封装的物体检测装置。
技术介绍
包括诸如GaN和AlGaN的化合物的半导体器件具有许多优点,例如宽且易于调节的带隙能,所以该器件能够以各种方式用作发光器件、光接收器件和各种二极管。特别地,由于薄膜生长技术和器件材料的发展,通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够实现具有各种波段的光,例如红光、绿光、蓝光和紫外线。另外,通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够通过使用荧光物质或组合颜色来实现具有高效率的白光源。与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比,这种发光器件具有诸如低功耗、半永久寿命、响应速度快、安全和环保的优点。此外,随着器件材料的发展,当使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质来制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时,通过吸收具有各种波长域的光来生成光电流,使得能够使用具有各种波长域的光,例如从伽马射线到无线电波。另外,上述光接收器件具有诸如响应速度快、安全、环保和易于控制器件材料等的优点,使得光接收器件能够方便地用于功率控制、超高频电路或通信模块。因此,半导体器件已经应用并扩展到光通信工具的传输模块、替代构成液晶显示器(LCD)的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光源、可替代荧光灯或白炽灯泡的白色发光二极管照明设备、车辆前照灯、交通灯和用于检测天然气或火灾的传感器。另外,半导体器件的应用能够扩展到高频应用电路、功率控制装置或通信模块。例如,发光器件可以被设置为具有通过使用元素周期表中的III-V族元素或II-VI族元素将电能转换成光能的特性的pn结二极管,并且能够通过调节化合物半导体物质的组分比来实现各种波长。同时,随着半导体器件的应用领域变得多样化,半导体器件需要具有高输出和高电压驱动。由于半导体器件的高输出和高电压驱动,半导体器件中产生的热使温度升高。然而,当来自半导体器件的散热不充分时,随着温度升高可以降低光输出并且可以降低功率转换效率(PCE)。因此,存在对于有效率地散发半导体器件中产生的热并且增加功率转换效率的方法的需求。
技术实现思路
技术问题实施例能够提供半导体器件、制造半导体器件的方法、半导体器件封装以及物体检测装置,其具有优异散热特性。实施例能够提供一种半导体器件、制造半导体器件的方法、半导体器件封装以及物体检测装置,其能够增加光提取效率并且提供具有高输出的光。实施例能够提供半导体器件、制造半导体器件的方法、半导体器件封装以及物体检测装置,其能够增加功率转换效率。技术解决方案根据实施例的激光二极管可以包括:衬底;第一导电类型反射层,其被布置在衬底上的第一导电类型反射层;多个发光结构,每个发光结构包括有源层和第二导电类型反射层,其被布置在第一导电类型反射层上;第一电极,其与第一导电类型反射层电连接;第二电极,其与第二导电类型反射层电连接;第一绝缘层,其被布置在第一电极上;第一结合焊盘,其被布置在多个发光结构上并且与第一电极电连接;以及第二结合焊盘,其被布置在多个发光结构上并且与第一结合焊盘分隔开,并且与第二电极电连接,其中衬底可以包括第一方向中的长度和在与垂直于第一方向的第二方向中的宽度,其中,第一结合焊盘可以包括在第一方向中的第一侧表面和第二侧表面,其中,第一结合焊盘的第一侧表面可以在第一方向中比第二侧表面更靠近衬底的第一侧表面,其中第二结合焊盘可以包括沿着第一方向的第三侧表面和第四侧表面,其中第二结合焊盘的第三侧表面可以比第四侧表面更靠近第一结合焊盘的第二侧表面,其中第一绝缘层可以在垂直于第一方向和第二方向的第三方向中包括与第一结合焊盘重叠的多个第一开口和与第二结合焊盘重叠的多个第二开口,其中第一绝缘层的第一开口可以被布置为在第一方向中分隔开,并且包括布置为更靠近第一结合焊盘的第二侧表面的第一组和在第二方向中与第一组分隔开的第二组,其中第一绝缘层的第二开口可以被布置在第一方向中分隔开,并且包括被布置为更靠近第二结合焊盘的第三侧表面的第三组和在第二方向中与第三组分隔开的第四组,其中第一开口的第一组和第二开口的第三组可以相对于平行于衬底的第一方向的中心轴被布置在衬底的第二方向中的宽度的15%内,并且其中第一绝缘层的第一开口或者第二开口之间的最小距离可以被设置为大于发光结构之间的最小距离。根据实施例,其中第一电极可以被布置在第一结合焊盘下面和第二结合焊盘下面,并且提供暴露多个发光结构的有源层和第二导电类型反射层的多个开口。根据实施例,其中第二电极可以被布置在第一结合焊盘下面和第二结合焊盘下面,并提供多个开口,该多个开口暴露被布置在多个发光结构的有源层周围并且在第一结合焊盘下面的第一电极。根据实施例,其中第二电极可以与多个发光结构的第二导电类型反射层的上表面接触。根据实施例的激光二极管可以进一步包括在第一电极和第二电极之间布置的第二绝缘层。根据实施例,其中第二绝缘层可以提供在第一结合焊盘下面布置的多个第一开口和多个第二开口,其中第一结合焊盘和第一电极可以通过设置在第二绝缘层中的多个第一开口被电连接,以及其中多个发光结构的第二导电类型反射层和第二电极可以通过设置在第二绝缘层中的多个第二开口被电连接。根据实施例,其中第二绝缘层可以提供在第二结合焊盘下面布置的多个开口,以及其中多个发光结构的第二导电类型反射层和第二电极可以通过设置在第二绝缘层中的多个开口被电连接。根据实施例,其中第二电极可以包括被布置为与多个发光结构的第二导电类型反射层的上表面接触的上电极以及被布置在多个发光结构之间的第一电极上的连接电极。根据实施例,其中衬底可以由本征半导体衬底提供。根据实施例,其中第一导电类型反射层的反射率可以被设置为小于第二导电类型反射层的反射率。根据实施例的半导体器件可以包括:第一发光结构,该第一发光结构被布置在第一区域中并且包括第一导电类型的第一反射层、被布置在第一反射层上的第一有源层以及被布置在第一有源层上的第二导电类型的第二反射层;第二发光结构,该第二发光结构被布置在第二区域中并且与第一发光结构分隔开,并且包括第一导电类型的第三反射层、在第三反射层上布置的第二有源层以及在第二有源层上布置的第二导电类型的第四反射层;第一电极,该第一电极被布置在第一区域和第二区域中,并且与第一反射层和第三反射层电连接,提供被布置在第一反射层上并暴露第一有源层和第二反射层的第一开口,并且提供被布置在第三反射层上并暴露第二有源层和第四反射层的第二开口;第二电极,该第二电极被布置在第一区域中并且与第二反射层电连接,被布置在第二区域中并且与第四反射层电连接,并且提供在第一区域中暴露在第一有源层周围布置的第一电极的第三开口;第一绝缘层,该第一绝缘层在第一区域和第二区域中被布置在第二电极上,在第一区域中,提供暴露在设置第三开口的区域中布置的第一电极的本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种激光二极管,包括:/n衬底;/n第一导电类型反射层,所述第一导电类型反射层被布置在所述衬底上;/n多个发光结构,每个发光结构包括在所述第一导电类型反射层上布置的有源层和第二导电类型反射层;/n第一电极,所述第一电极与所述第一导电类型反射层电连接;/n第二电极,所述第二电极与所述第二导电类型反射层电连接;/n第一绝缘层,所述第一绝缘层被布置在所述第一电极上;/n第一结合焊盘,所述第一结合焊盘被布置在所述多个发光结构上并且与所述第一电极电连接;以及/n第二结合焊盘,所述第二结合焊盘被布置在所述多个发光结构上并且与所述第一结合焊盘分隔开,并且与所述第二电极电连接;/n其中,所述衬底包括在第一方向中的长度和在垂直于所述第一方向的第二方向中的宽度,/n其中,所述第一结合焊盘包括在所述第一方向中的第一侧表面和第二侧表面,/n其中,所述第一结合焊盘的第一侧表面在所述第一方向中比所述第二侧表面更靠近所述衬底的第一侧表面,/n其中,所述第二结合焊盘包括在所述第一方向中的第三侧表面和第四侧表面,/n其中,所述第二结合焊盘的第三侧表面比所述第四侧表面更靠近所述第一结合焊盘的第二侧表面,/n其中,所述第一绝缘层在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向中包括与所述第一结合焊盘重叠的多个第一开口和与所述第二结合焊盘重叠的多个第二开口,/n其中,所述第一绝缘层的第一开口被布置为在所述第一方向中分隔开,并且包括第一组和第二组,所述第一组被布置为更靠近所述第一结合焊盘的第二侧表面,所述第二组在所述第二方向中与所述第一组分隔开,/n其中,所述第一绝缘层的第二开口被布置为在所述第一方向中分隔开,并且包括第三组和第四组,所述第三组被布置成更靠近所述第二结合焊盘的第三侧表面,所述第四组在所述第二方向中与所述第三组分隔开,/n其中,所述第一开口的第一组和所述第二开口的第三组相对于与所述衬底的第一方向平行的中心轴被布置在所述衬底的第二方向中的宽度的15%内,以及/n其中,所述第一绝缘层的第一开口或第二开口之间的最小距离大于所述发光结构之间的最小距离。/n...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170519 KR 10-2017-0062132;20170519 KR 10-2017-001.一种激光二极管,包括:
衬底;
第一导电类型反射层,所述第一导电类型反射层被布置在所述衬底上;
多个发光结构,每个发光结构包括在所述第一导电类型反射层上布置的有源层和第二导电类型反射层;
第一电极,所述第一电极与所述第一导电类型反射层电连接;
第二电极,所述第二电极与所述第二导电类型反射层电连接;
第一绝缘层,所述第一绝缘层被布置在所述第一电极上;
第一结合焊盘,所述第一结合焊盘被布置在所述多个发光结构上并且与所述第一电极电连接;以及
第二结合焊盘,所述第二结合焊盘被布置在所述多个发光结构上并且与所述第一结合焊盘分隔开,并且与所述第二电极电连接;
其中,所述衬底包括在第一方向中的长度和在垂直于所述第一方向的第二方向中的宽度,
其中,所述第一结合焊盘包括在所述第一方向中的第一侧表面和第二侧表面,
其中,所述第一结合焊盘的第一侧表面在所述第一方向中比所述第二侧表面更靠近所述衬底的第一侧表面,
其中,所述第二结合焊盘包括在所述第一方向中的第三侧表面和第四侧表面,
其中,所述第二结合焊盘的第三侧表面比所述第四侧表面更靠近所述第一结合焊盘的第二侧表面,
其中,所述第一绝缘层在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向中包括与所述第一结合焊盘重叠的多个第一开口和与所述第二结合焊盘重叠的多个第二开口,
其中,所述第一绝缘层的第一开口被布置为在所述第一方向中分隔开,并且包括第一组和第二组,所述第一组被布置为更靠近所述第一结合焊盘的第二侧表面,所述第二组在所述第二方向中与所述第一组分隔开,
其中,所述第一绝缘层的第二开口被布置为在所述第一方向中分隔开,并且包括第三组和第四组,所述第三组被布置成更靠近所述第二结合焊盘的第三侧表面,所述第四组在所述第二方向中与所述第三组分隔开,
其中,所述第一开口的第一组和所述第二开口的第三组相对于与所述衬底的第一方向平行的中心轴被布置...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴修益李建和李容京
申请(专利权)人:LG伊诺特有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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