发光元件制造技术

本发明专利技术涉及一种发光元件。根据本发明专利技术的实施例，发光元件包括发光二极管芯片、第一透光性树脂部、第二透光性树脂部及阻挡部。第二透光性树脂部形成为覆盖第一透光性树脂部的上部及发光二极管芯片的上部。阻挡部形成为包围发光二极管芯片、第一透光性树脂部及第二透光性树脂部的侧面和发光二极管芯片的下表面。此时，第一透光性树脂部及第二透光性树脂部的宽度从下部向上部增加。并且，阻挡部的内壁与发光二极管芯片的侧面或侧面的下端相接。并且，阻挡部的内壁分为截面为凸出的曲面的第一内壁以及截面为倾斜的平面的第二内壁。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件
本专利技术涉及一种发光元件。
技术介绍
通常，应用发光二极管芯片的发光元件在显示装置的背光源等多样的领域中被作为光源使用。若发光元件(LED)被施加电流，则从p、n型半导体的结合部分射出通过电子与空穴的再结合而产生的多种波长的光。发光元件相比于在以往的发光装置中使用的灯丝具有寿命长、低电源、优秀的驱动特性等多种优点，因此对其的需求正持续增加。现有的发光元件在阻挡部的空腔中布置发光二极管芯片。并且，发光二极管芯片的侧面与构成阻挡部的空腔的内壁紧贴。此时，从发光二极管芯片的侧面射出的光由于与发光二极管芯片紧贴的阻挡部的内壁而发生损失或反射，从而发生被发光二极管芯片再吸收的问题。
技术实现思路
技术问题本专利技术要解决的课题在于提供一种提高了光效率的发光元件。本专利技术要解决的另一课题在于提供一种通过提高构成之间的紧贴力而提高耐久性的发光元件。技术方案根据本专利技术的实施例，提供一种包括发光二极管芯片、第一透光性树脂部、第二透光性树脂部及阻挡部的发光元件。第二透光性树脂部形成为覆盖第一透光性树脂部的上部及发光二极管芯片的上部。阻挡部形成为包围发光二极管芯片、第一透光性树脂部及第二透光性树脂部的侧面和发光二极管芯片的下表面。此时，第一透光性树脂部及第二透光性树脂部的宽度从下部向上部增加。并且，阻挡部的内壁与发光二极管芯片的侧面或侧面的下端相接。并且，阻挡部的内壁分为截面为凸出的曲面的第一内壁以及截面为倾斜的平面的第二内壁。有益效果根据本专利技术的实施例的发光元件及其制造方法防止从发光二极管芯片的侧面发出的光发生损失，从而提高了光效率。并且，根据本专利技术的实施例的发光元件及其制造方法能够提高构成之间的紧贴力，从而提高耐久性。附图说明图1是示出根据本专利技术的第一实施例的发光元件的示意图。图2是示出根据本专利技术的第二实施例的发光元件的制造方法的示意图。图3至图12是示出根据本专利技术的第一实施例及第二实施例的发光元件的制造方法的示意图。图13是示出根据本专利技术的第三实施例的发光元件的剖面图。图14及图15是示出根据本专利技术的第三实施例的发光元件的制造方法的示意图。图16是示出根据本专利技术的第四实施例的发光元件的剖面图。图17至图20是示出根据本专利技术的第四实施例的发光元件的制造方法的示意图。图21是示出根据本专利技术的第五实施例的发光元件的剖面图。图22至图24是示出根据本专利技术的第五实施例的发光元件的制造方法的示意图。具体实施方式以下，参照附图详细说明本专利技术的实施例。为了能够将本专利技术的思想充分传递给本领域技术人员，作为示例提供以下介绍的实施例。因此，本专利技术并不限定于如下所述的实施例，其可以具体化为其他形态。另外，在附图中，可能为了便利而夸张示出构成要素的宽度、长度、厚度等。在整个说明书中，相同的附图符号表示相同的构成要素，相似的附图符号表示相似的构成要素。根据本专利技术的实施例的发光元件包括发光二极管芯片、第一透光性树脂部、第二透光性树脂部及阻挡部。所述发光二极管芯片用于发出光。所述第一透光性树脂部形成为包围所述发光二极管芯片的侧面的至少一部分。所述第二透光性树脂部形成为覆盖所述第一透光性树脂部的上部及所述发光二极管芯片的上部。所述阻挡部形成为包围所述发光二极管芯片、第一透光性树脂部及第二透光性树脂部的侧面和所述发光二极管芯片的下表面。此时，所述第一透光性树脂部及所述第二透光性树脂部的宽度从下部向上部增加。并且，所述阻挡部的内壁与所述发光二极管芯片的侧面或侧面的下端相接。并且，所述阻挡部的所述内壁分为截面为凸出的曲面的第一内壁以及截面为倾斜的平面的第二内壁。所述阻挡部的所述第一内壁形成为包围所述第一透光性树脂部的侧面，所述第二内壁形成为包围所述第二透光性树脂部的侧面。所述第一透光性树脂部的侧面与所述阻挡部的所述第一内壁紧贴并构成为凹陷的曲面。所述第二透光性树脂部的侧面与所述阻挡部的所述第二内壁紧贴而构成为倾斜的平面。所述阻挡部的所述第一内壁的下端与所述发光二极管芯片的侧面的下端相接。所述阻挡部的所述第一内壁的下端与所述发光二极管芯片的侧面相接，并且位于与所述发光二极管芯片的下端隔开的高度。所述阻挡部的所述第一内壁的上端与所述发光二极管芯片的上表面位于同一直线上。所述第二透光性树脂部的下表面与所述第一透光性树脂部的上表面及所述发光二极管芯片的上表面相接。所述阻挡部的所述第一内壁的上端布置为高于所述发光二极管芯片的上表面。所述第一透光性树脂部形成为包围所述发光二极管芯片的侧面的至少一部分及上表面。此时，所述第二透光性树脂部的整个下表面与所述第一透光性树脂部的上表面相接。所述第一透光性树脂部及所述第二透光性树脂部为透光的透明树脂。例如，所述透明树脂为透明硅树脂。所述第一透光性树脂部及所述第二透光性树脂部中的至少一个还可以包含荧光体。所述发光元件还可以包括：波长转换部，覆盖所述第二透光性树脂部的上表面及所述阻挡部的上表面。例如，所述波长转换部可以为荧光粉/玻璃复合材料(PIG：PhosphorinGlass)。所述阻挡部的内壁反射从所述发光二极管芯片射出的光。所述发光二极管芯片在下表面形成与电极连接的凸起垫。所述发光二极管芯片的所述凸起垫的至少一部分埋设于所述阻挡部。所述发光元件还可以包括：粘结部件，形成于所述凸起垫的下部。所述粘结部件的至少一部分从所述阻挡部的下表面向外部暴露。以下，参照附图进行具体说明。若没有额外的说明，则以所示的附图为基准进行说明。例如，阻挡部的第一内壁构成为凸出的曲面且第二内壁构成为具有倾斜的平面这样的说明是以图示的发光元件的剖面图为基准进行说明的。因此，当下文对构成部进行说明时，只要没有额外提及，则可理解为以图示的附图为基准进行说明。为了便于说明且有助于理解，本专利技术的阻挡部的空腔定义为在阻挡部的内部布置发光二极管芯片、第一透光性树脂部及第二透光性树脂部的空间。图1是示出根据本专利技术的第一实施例的发光元件的示意图。参照图1，根据第一实施例的发光元件100包括阻挡部110、发光二极管芯片120、第一透光性树脂部130及第二透光性树脂部140。阻挡部110包括空腔。参照图1，空腔(cavity)是在阻挡部110布置发光二极管芯片120、第一透光性树脂部130及第二透光性树脂部140的空间。空腔位于阻挡部110的内部，是使阻挡部110的上表面的一部分开放的结构。空腔的宽度从阻挡部110的上部越向下部越小。如图所示，在形成于阻挡部110的空腔贴装有发光二极管芯片120。构成空腔的阻挡部110的内壁分为第一内壁111及第二内壁112。如图所示，第一内壁111是截面由凸出的曲面构成的内壁，第二内壁112是截面由倾斜的平面构成的内壁。第一内壁111位于构成空腔的阻挡部110的内本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件，其中，包括：/n发光二极管芯片，用于发出光；/n第一透光性树脂部，形成为包围所述发光二极管芯片的侧面的至少一部分；/n第二透光性树脂部，形成为覆盖所述第一透光性树脂部的上部及所述发光二极管芯片的上部；以及/n阻挡部，形成为包围所述发光二极管芯片、第一透光性树脂部及第二透光性树脂部的侧面和所述发光二极管芯片的下表面，/n其中，所述第一透光性树脂部及所述第二透光性树脂部的宽度从下部向上部增加，/n所述阻挡部的内壁与所述发光二极管芯片的侧面或侧面的下端相接，/n所述阻挡部的所述内壁分为截面为凸出的曲面的第一内壁以及截面为倾斜的平面的第二内壁。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180524 KR 10-2018-00588781.一种发光元件，其中，包括：
发光二极管芯片，用于发出光；
第一透光性树脂部，形成为包围所述发光二极管芯片的侧面的至少一部分；
第二透光性树脂部，形成为覆盖所述第一透光性树脂部的上部及所述发光二极管芯片的上部；以及
阻挡部，形成为包围所述发光二极管芯片、第一透光性树脂部及第二透光性树脂部的侧面和所述发光二极管芯片的下表面，
其中，所述第一透光性树脂部及所述第二透光性树脂部的宽度从下部向上部增加，
所述阻挡部的内壁与所述发光二极管芯片的侧面或侧面的下端相接，
所述阻挡部的所述内壁分为截面为凸出的曲面的第一内壁以及截面为倾斜的平面的第二内壁。


2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，
所述阻挡部的所述第一内壁形成为包围所述第一透光性树脂部的侧面，所述第二内壁形成为包围所述第二透光性树脂部的侧面。


3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，
所述第一透光性树脂部的侧面与所述阻挡部的所述第一内壁紧贴并构成为凹陷的曲面。


4.根据权利要求2所述的发光元件，其中，
所述第二透光性树脂部的侧面与所述阻挡部的所述第二内壁紧贴而构成为倾斜的平面。


5.根据权利要求2所述的发光元件，其中，
所述阻挡部的所述第一内壁的下端与所述发光二极管芯片的侧面的下端相接。


6.根据权利要求2所述的发光元件，其中，
所述阻挡部的所述第一内壁的下端与所述发光二极管芯片的侧面相接，并且位于与所述发光二极管芯片的下端隔开的高度。


7.根据权利要求2所述的发光元件，其中，
所述阻挡部的所述第一内壁的上端与所述发光二极管芯片的上表面位于同一直线上。


8.根据权利要求7所述的发光元件，其中，
所述第二透...

【专利技术属性】
技术研发人员：李贞勳，
申请(专利权)人：首尔半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR