一种显示基板以及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种显示基板以及制作方法，显示基板包括数个阵列排布的子像素，所述子像素的结构包括：发光器件GoLED、第一功能模块以及第二功能模块；其中，所述第一功能模块包括第一TFT、第二TFT以及第一存储电容，所述第一TFT用于控制所述第二TFT开启状态，所述第一存储电容用于控制所述第二TFT的源漏电流大小，所述第二TFT用于控制GoLED的开启和关闭以及亮暗程度；所述第二功能模块包括第三TFT和第二存储电容，所述第三TFT用于控制所述第二存储电容的充电状态，所述第二存储电容用于控制所述发光器件GoLED的栅极电压，进而控制所述发光器件GoLED的发光颜色。

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板以及制备方法
本专利技术涉及平板显示
，尤其涉及一种显示基板以及制备方法。
技术介绍
有机发光二极管(organiclightemittingdiode,OLED)具有自发光、低能耗、宽视角、色彩丰富、快速响应及可制备柔性屏等诸多优异特性，被认为是极具潜力的下一代显示技术。现有的OLED显示基板一般是采用RGB三原色法实现全彩显示，具体方法是将RGB三种有机发光材料并行成膜于基板上，构城三原色像素从而构成彩色显示器，但是在显示基板制作完成后，显示基板的子像素R、G、B将会固定不变，严重制约了显示基板的显色指数及ppi等关键指数的提高，此外，如果R、G、B三原色的发光寿命有差异，那么寿命最短的那种颜色将使屏幕整体的效率下降，在显示屏使用期间会出现色差等现象。
技术实现思路
鉴于上述问题，提出了本专利技术提供一种克服上述问题的显示基板以及制备方法。本专利技术公开了一种显示基板，所述显示基板包括数个阵列排布的子像素，所述子像素的结构包括：发光器件GoLED；第一功能模块，所述第一功本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板，其特征在于,所述显示基板包括数个阵列排布的子像素，所述子像素的结构包括：/n发光器件GoLED；/n第一功能模块，所述第一功能模块与所述发光器件GoLED的漏极连接，通过控制所述发光器件GoLED的源漏电流，进而控制所述发光器件GoLED的开关状态以及发光亮度；/n第二功能模块，所述第二功能模块与所述发光器件GoLED的栅极连接，通过控制所述发光器件GoLED的栅极电压，进而控制所述发光器件GoLED的发光颜色；/n其中，所述发光器件GoLED的源极接地。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于,所述显示基板包括数个阵列排布的子像素，所述子像素的结构包括：
发光器件GoLED；
第一功能模块，所述第一功能模块与所述发光器件GoLED的漏极连接，通过控制所述发光器件GoLED的源漏电流，进而控制所述发光器件GoLED的开关状态以及发光亮度；
第二功能模块，所述第二功能模块与所述发光器件GoLED的栅极连接，通过控制所述发光器件GoLED的栅极电压，进而控制所述发光器件GoLED的发光颜色；
其中，所述发光器件GoLED的源极接地。


2.根据权利要求1所述的一种显示基板，其特征在于,所述发光器件GoLED的发光结构包括：
绝缘层，所述绝缘层采用氧化石墨烯制成；
发光层，设于所述绝缘层之上，所述发光层采用半还原氧化石墨烯制成；
源漏电极层，设于所述发光层之上，所述源漏电极层采用还原氧化石墨烯制成。


3.根据权利要求1所述的一种显示基板，其特征在于,所述第一功能模块包括：第一TFT、第二TFT以及第一存储电容；
所述第一TFT的源极接入GammaData电信号；
所述第一TFT的栅极接入Gate电信号；
所述第一TFT的漏极与所述第二TFT的栅极连接，所述第一TFT用于控制所述第二TFT的开关状态；
所述第一存储电容与所述第一TFT的漏极、所述第二TFT的栅极和Vdd走线分别连接，所述第一存储电容用于控制所述第二TFT的源漏电流大小；
所述第二TFT的源极接入Vdd电信号；
所述第二TFT的漏极与所述发光器件GoLED的漏极连接，所述第二TFT用于控制所述发光器件GoLED的开关状态以及发光亮度。


4.根据权利要求1所述的一种显示基板，其特征在于,所述第二功能模块包括：第三TFT和第二存储电容；
所述第三TFT的栅极接入ColorGate电信号；
所述第三TFT的漏极接入ColorData电信号；
所述第三TFT的源极与所述第二存储电容的第一电极基板连接，用于控制第二存储电容的充电状态；
所述第二存储电容的第一电极基板与所述发光器件GoLED的栅极连接，用于控制所述发光器件GoLED的栅极电压，进而控制所述发光器件GoLED的发光颜色。


5.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述方法用于制备权利要求1-4任一所述的显示基板，所述方法包括：
在绝缘衬底上形成第一TFT和第三TFT；
在所述第一TFT的漏极上方形成第一过孔连接电极，在所述第三TFT的源极上方形成第二过孔连接电极；
形成第二TFT的栅极、第二存储电容的第二电极基板和第三过孔连接电极，其中，所述第二TFT的栅极与所述第一TFT的漏极通过第一过孔连接电极连接,所述第三过孔连接电极与所述第二过孔连接电极连接；
形成第三氧化石墨烯层，对所述第三氧化石墨烯层进行刻蚀处理，形成所述第二TFT的有源区填充区和发光器件GoLED的电极区；
形成所述第二TFT的有源层、所述第二TFT的源极以及所述第二TFT的漏极；
形成发光器件GoLED的发光层；
在所述第二存储电容的第二电极基板上方形成第四过孔连接电极，同时形成第五过孔连接电极，所述第五过孔连接电极与所述第三过孔连接电极连接；
形成所述发光器件GoLED的栅极、所述发光器件GoLED的源极以及所述发光器件GoLED的漏极，所述发光器件GoLED的漏极通过第四过孔连接电极与所述第二存储电容的第二电极基板连接，所述发光器件GoLED的栅极通过第二过孔连接电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：王雅琴，
申请(专利权)人：西华大学，
类型：发明
国别省市：四川;51