显示装置制造方法及图纸

公开了一种显示装置，所述显示装置包括多个像素电路以及位于所述多个像素电路中的每个上的发光器件。发光器件包括顺序堆叠在发光器件的底表面和侧壁上的第一半导体层、有源层和第二半导体层。发光器件的侧壁包括第一小平面和与第一小平面相邻的第二小平面。第一角度形成在底表面和第一小平面之间。第二角度形成在底表面和第二小平面之间。第一小平面和第二小平面彼此相交以限定边缘。边缘从发光器件的底表面朝向顶表面延伸。

display device

【技术实现步骤摘要】
显示装置本申请要求于2018年7月27日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0087962号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
本专利技术构思涉及一种具有提高的亮度效率的显示装置以及一种制造其的方法。
技术介绍
显示装置包括发光器件。发光器件可以电连接到电极，并且可以通过施加到电极的电压来发射。发光器件可以直接形成在电极上，或者可以单独形成然后设置在电极上。发光器件可以是发光二极管(LED)。LED是一种其中正向电压被施加到PN结二极管然后由空穴-电子复合产生的能量被转换成光的半导体器件。LED可以形成为无机或有机LED。LED不仅可以用在诸如手机的小型电子产品中，而且可以用在大型电视机中。
技术实现思路
本专利技术构思的一些示例实施例提供了一种具有提高的亮度效率的显示装置以及一种制造其的方法。根据本专利技术构思的一些示例实施例，一种显示装置可以包括：多个像素电路；以及发光器件，位于所述多个像素电路中的每个上。发光器件可以包括顺序堆叠在发光器件的底表面和侧壁上的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，所述显示装置包括：/n多个像素电路；以及/n发光器件，位于所述多个像素电路中的每个上，其中，/n发光器件包括依次堆叠在发光器件的底表面和侧壁上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，/n发光器件的侧壁包括第一小平面和与第一小平面相邻的第二小平面，/n第一角度形成在底表面和第一小平面之间，/n第二角度形成在底表面和第二小平面之间，/n第一小平面和第二小平面彼此相交以限定边缘，并且/n边缘从发光器件的底表面朝向顶表面延伸。/n

【技术特征摘要】
20180727 KR 10-2018-00879621.一种显示装置，所述显示装置包括：
多个像素电路；以及
发光器件，位于所述多个像素电路中的每个上，其中，
发光器件包括依次堆叠在发光器件的底表面和侧壁上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，
发光器件的侧壁包括第一小平面和与第一小平面相邻的第二小平面，
第一角度形成在底表面和第一小平面之间，
第二角度形成在底表面和第二小平面之间，
第一小平面和第二小平面彼此相交以限定边缘，并且
边缘从发光器件的底表面朝向顶表面延伸。


2.如权利要求1所述的显示装置，其中，第一角度等于或小于第二角度。


3.如权利要求1所述的显示装置，其中，发光器件的侧壁还包括与第二小平面相邻的第三小平面，其中，
第二小平面位于第一小平面和第三小平面之间，并且
第一角度不同于或等于形成在底表面和第三小平面之间的第三角度。


4.如权利要求1所述的显示装置，其中，发光器件包括GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN以及它们的组合中的一种或更多种。


5.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一电极，电连接到发光器件的底表面；以及
第二电极，电连接到发光器件的顶表面。


6.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一电极，电连接到发光器件的底表面；
接触插塞，穿透发光器件并接触发光器件的第二半导体层；以及
第二电极，连接到接触插塞。


7.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
导电结构，包括侧壁上的反射图案和底表面上的连接图案；以及
绝缘图案，位于侧壁和反射图案之间。


8.一种显示装置，所述显示装置包括：
多个像素电路；
发光器件，位于所述多个像素电路中的每个上；以及
导电结构，包括发光器件的侧壁上的反射图案和发光器件的底表面上的连接图案，其中，
发光器件包括顺序堆叠在底表面和侧壁上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，
反射图案与侧壁分隔开，并且
连接图案电连接到底表面上的第一半导体层。


9.如权利要求8所述的显示装置，其中，
发光器件的侧壁包括第一小平面和与第一小平面相邻的第二小平面，
第一角度形成在底表面和第一小平面之间，
第二角度形成在底表面和第二小...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹義埈，李承盿，金钟明，
申请(专利权)人：首尔大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：韩国;KR