一种量子点三色LED显示屏及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种量子点三色LED显示屏及其制备方法，其中，所述量子点三色LED显示屏包括蓝光芯片、叠层设置的衬底、支撑基板以及透镜，所述蓝光芯片直接制备在所述衬底靠近支撑基板的一面，所述支撑基板靠近透镜的一面均匀地涂布有透明材料、绿色量子点材料以及红色量子点材料；所述衬底上每颗像素区域对应位置设置有三个蓝光芯片，所述三个蓝光芯片上方分别对应支撑基板上的透明材料、绿色量子点材料以及红色量子点材料，所述每个透镜对应衬底上的一个蓝光芯片。本发明专利技术预先将蓝光芯片直接制备在衬底上，然后将衬底、支撑基板以及透镜进行拼接组合便可制得所述量子点三色LED显示屏，其生产效率高、显示效果佳，且无技术与制程瓶颈限制。

A quantum dot tricolor LED display screen and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种量子点三色LED显示屏及其制备方法
本专利技术涉及半导体发光二极管领域，尤其涉及一种量子点三色LED显示屏及其制备方法。
技术介绍
LED为一种半导体发光二极管，由于其具有亮度高、光效高、寿命长等优异性能，目前已广泛应用于照明、背光以及显示行业。目前薄膜晶体管液晶显示器（thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay，TFT-LCD）因为其成本较低，制造工艺成熟且显示效果较佳，所以在显示领域占据绝对的领导地位。但是TFT-LCD还有很多弊端无法克服，比如响应时间慢，能量利用率低，视角差，色域覆盖率小等。显示市场目前对mini-LED与micro-LED关注度越来越高，其显示性能要优于TFT-LCD与OLED屏幕，具有低功耗高亮度，高解析度和色彩饱和度等优势，但是因为使用的LED颗数巨大(比如4K则需要使用3840x2160x3=24883200颗LED)，如此巨量的LED要组装到LED面板上需要数月的时间，其生产效率低，维修困难，显示效果还有待于提高。因此，现有技术还有待于改进和发展。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点三色LED显示屏，其特征在于，包括蓝光芯片、叠层设置的衬底、支撑基板以及透镜，所述蓝光芯片直接制备在所述衬底靠近支撑基板的一面，所述支撑基板靠近透镜的一面均匀地涂布有透明材料、绿色量子点材料以及红色量子点材料；所述衬底上每颗像素区域对应位置设置有三个蓝光芯片，所述三个蓝光芯片上方分别对应支撑基板上的透明材料、绿色量子点材料以及红色量子点材料，所述每个透镜对应衬底上的一个蓝光芯片。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点三色LED显示屏，其特征在于，包括蓝光芯片、叠层设置的衬底、支撑基板以及透镜，所述蓝光芯片直接制备在所述衬底靠近支撑基板的一面，所述支撑基板靠近透镜的一面均匀地涂布有透明材料、绿色量子点材料以及红色量子点材料；所述衬底上每颗像素区域对应位置设置有三个蓝光芯片，所述三个蓝光芯片上方分别对应支撑基板上的透明材料、绿色量子点材料以及红色量子点材料，所述每个透镜对应衬底上的一个蓝光芯片。


2.根据权利要求1所述的量子点三色LED显示屏，其特征在于，所述衬底上相邻蓝光芯片之间还设置有用于防止混光的隔垫层。


3.根据权利要求1所述的量子点三色LED显示屏，其特征在于，所述支撑基板和透镜之间还设置有阻隔层。


4.根据权利要求3所述的量子点三色LED显示屏，其特征在于，所述阻隔层的材料为二氧化硅。


5.根据权利要求1所述的量子点三色LED显示屏，其特征在于，所述绿色量子点材料和红色量子点材料独立地选自Ⅱ-Ⅵ族化合物、Ⅲ-Ⅴ族化合物和钙钛矿量子点中的一种或多种。


6.根据权利要求5所述的量子点三色LED显示屏，其特征在于，所述Ⅱ-Ⅵ族化合物为GaAs、InN、GaN、GaP、InP和InAs中中的一种或多种。


7.根据权利要求5所述的量子点三色LED显示屏，其特征在于，所述Ⅲ-Ⅴ族化合物CdSe、CdTe、MgTe、CaS、CaSe、MgS、MgSe、CaTe、BaSe、BaTe、ZnS、SrS、SrSe、Zn...

【专利技术属性】
技术研发人员：林健源，历志辉，
申请(专利权)人：深圳TCL新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44