基于组合树模型的半导体PVD制程的电阻率虚拟量测方法技术

本发明专利技术公开了一种基于组合树模型的半导体PVD制程的电阻率虚拟量测方法，包括以下步骤：一、将基于组合预测方法[7]构建集成树组合模型，对WAT的电气参数进行在线虚拟量测；二、该集成树组合模型将4种集成树作为基学习器对晶圆制程状态信息进行初步虚拟量测，并将4个基学习器的预测结果转换为元特征向量，作为集成树元学习器的输入，进行进一步的虚拟量测，集成树模型相对于常见的虚拟量测模型LASSO、PLSR、SVR、GPR、ANN模型更加适用于PVD制程上的虚拟量测，而集成树组合模型比单一集成树虚拟量测模型具有更高的预测精度，可以做到实时监控和预警，将预警时间大大提前。

Virtual measurement method of resistivity of semiconductor PVD process based on combination tree model

【技术实现步骤摘要】
基于组合树模型的半导体PVD制程的电阻率虚拟量测方法
本专利技术涉及电阻率虚拟量测
，具体是一种基于组合树模型的半导体PVD制程的电阻率虚拟量测方法。
技术介绍
在半导体制造企业，晶圆制程主要包括光刻(Photo)、蚀刻(Etch)、扩散(Diffusion,Diff)、化学-机械抛光(Chemical-MechanicalPolish,CMP)等制程，制程的控制是晶圆生产非常重要的环节。现阶段晶圆可接受性测试(WaferAcceptanceTest,WAT)作为晶圆产出的首要的品质保障，是一种非生产性的电气测试技术，用来监测晶圆制程状态，包括设备特性和电阻器、电容器、联通性、连续性、间隔、绝缘性、渗漏性。在现有的半导体制造过程中，晶圆可接受性测试是对已经完成的300-400道制程工艺的状态信息进行检测。WAT的事后检测的性质使得制程中晶圆品质变化不能被及时侦测。为了解决这种问题，基于机台参数和传感器数据的预测晶圆品质的虚拟量测(VirtualMetrology，VM)方法，被用来侦测制程中每片晶圆的品质，辅助物理量测，避免了高成本的物理本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于组合树模型的半导体PVD制程的电阻率虚拟量测方法，其特征在于，包括以下步骤：/n一、将基于组合预测方法[7]构建集成树组合模型，对WAT的电气参数进行在线虚拟量测；/n二、该集成树组合模型将4种集成树作为基学习器对晶圆制程状态信息进行初步虚拟量测，并将4个基学习器的预测结果转换为元特征向量，作为集成树元学习器的输入，/n进行进一步的虚拟量测；/n三、该集成树组合模型结合Bagging、Boosting和Stacking技术，首先基于RandomForest、Extra-Trees、XGBoost、lightGBM 4种基学习器(Base learner)对晶圆物理气相沉淀制程进行初...

【技术特征摘要】
1.一种基于组合树模型的半导体PVD制程的电阻率虚拟量测方法，其特征在于，包括以下步骤：
一、将基于组合预测方法[7]构建集成树组合模型，对WAT的电气参数进行在线虚拟量测；
二、该集成树组合模型将4种集成树作为基学习器对晶圆制程状态信息进行初步虚拟量测，并将4个基学习器的预测结果转换为元特征向量，作为集成树元学习器的输入，
进行进一步的虚拟量测；
三、该集成树组合模型结合Bagging、Boosting和Stacking技术，首先基于RandomForest、Extra-Trees、XGBoost、lightGBM4种基学习器(Baselearner)对晶圆物理气相沉淀制程进行初步虚拟量测，然后将4个基学习器的预测结果转换为元特征向量，作为元学习器(Metalearner)lightGBM的输入，进行进一步的虚拟量测；
四、为提升虚拟量测精度，采用序列模型优化算法对组合预测模型进行超参优化；
五、最后通过与常用的虚拟量测方法在物理气相沉淀电阻率上的虚拟量测表现进行对比研究。


2.根据权利要求1所述的一种基于组合树模型的半导体PVD制程的电阻率虚拟量测方法，其特征在于，所述组合预测模型利用序列模型优化(SequentialModel-BasedOptimization,SMBO)算法[20]进行超参优化。


3.根据权利要求1所述的一种基于组合树模型的半导体PVD制程的电阻率虚拟量测方法，其特征在于，所述序列模型优化是先利用随机抽样初始化起始超参，再基于树形结构Parzen估计器代理模型逼近组合模...

【专利技术属性】
技术研发人员：林义征，
申请(专利权)人：上海众壹云计算科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31