【技术实现步骤摘要】
一种抗温度干扰的光学超表面聚焦成像元件及其方法
本专利技术涉及超表面聚焦成像元件领域，具体涉及一种抗温度干扰的光学超表面聚焦成像元件及其方法。
技术介绍
超表面是近些年来发展起来的一种新型二维光学材料，其基本单元由亚波长结构构成，具有超轻超薄的性质，理论上可以在亚波长尺度对光场进行相位、振幅等多种电磁调控，以此为基础制成的超表面器件可以轻松实现传统光学器件难以实现、甚至无法实现的特殊功能，因此超表面作为光学成像元件已经应用于内窥镜、虚拟现实等领域，以其在分辨率及小型化等方面的优势，深受市场用户的欢迎。而在取得巨大成功的同时，由于不少超分辨成像技术原理复杂，加工成本高昂，实现起来条件苛刻，使得系统成本居高不下，从而大大限制了其实用性。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种抗温度干扰的光学超表面聚焦成像元件及其方法，实现由亚波长间距纳米结构长方体阵列组成的超表面透镜，该透镜集成度高，尺寸小，厚度薄，可以在微米量级。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种抗温度干扰的光学...
【技术保护点】
1.一种抗温度干扰的光学超表面聚焦成像元件，其特征在于，所述元件包括二氧化硅基底和碳化硅纳米柱；所述纳米柱在基底上进行正方形阵列排序，并旋转预设的角度用于调制入射光的相位。/n
【技术特征摘要】
1.一种抗温度干扰的光学超表面聚焦成像元件，其特征在于，所述元件包括二氧化硅基底和碳化硅纳米柱；所述纳米柱在基底上进行正方形阵列排序，并旋转预设的角度用于调制入射光的相位。
2.根据权利要求1所述的一种抗温度干扰的光学超表面聚焦成像元件，其特征在于：所述基底的一个侧面划分成正方形单元网格，在正方形单元网格放置尺寸相同的碳化硅纳米柱。
3.根据权利要求2所述的一种抗温度干扰的光学超表面聚焦成像元件，其特征在于：所述正方形单元网格周期为S=400nm，高度为H=600nm。
4.根据权利要求1所述的一种抗温度干扰的光学超表面聚焦成像元件，其特征在于：所述碳化硅纳米柱结构尺寸为长度L=280nm，宽度W=95nm。
5.根据权利要求1所述的一种抗温度干扰的光学超表面聚焦成像元件的设计方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1:利用有限时域...
【专利技术属性】
技术研发人员：顾天奇，胡晨捷，涂毅，郭子明，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：发明
国别省市：福建;35
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