【技术实现步骤摘要】
一种峰值检测单元及检测系统及检测方法
本专利技术涉及静电放电测试
，尤其是一种峰值检测单元及检测系统及检测方法。
技术介绍
所谓的静电放电(Electro-StaticDischarge，ESD)是指具有不同静电位的物体互相靠近或直接接触引起的电荷转移。在芯片的使用的过程中，不可避免的会产生静电，例如，手持、或与设备摩擦。在这一过程中能引起静电放电，会产生上千伏的瞬时电压，造成静电击伤，破坏内部电路，使得芯片损坏。常见的静电放电模式有，人体放电模式(HBM,HumanBodyModel),机器放电模式(MM,MachineModel)。为了避免静电击伤，在芯片的引脚位置，会加上ESD保护电路，如图1所示，其是以两个ESD二极管(ESDDiode)相互连接组成。目前，在对ESD二极管进行测试其是否损坏时，由于有的待测芯片的引脚太多，导致测试花费周期较长，并且由于同一引脚包含两个ESD二极管，需要进行两次测试操作，更加加大了时间成本。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：提供一种峰值检测...
【技术保护点】
1.一种峰值检测单元，用于检测待测芯片中ESD二极管是否损坏，其特征在于：所述峰值检测单元包括第一运算放大器A1、第二运算放大器A2、充放电电容C、电阻R以及输入端口P1、输出端口P2、引脚连接端口P3、VDD端口P4、VSS端口P5；/n所述第一运算放大器A1的正输入端与输入端口P1电连接，第一运算放大器A1的负输入端与VSS端口P5电连接，第一运算放大器A1的输出端与引脚连接端口P3电连接；第二运算放大器A2的正输入端通过所述充放电电容C接地，同时该第二运算放大器A2的正输入端还与VDD端口P4电连接；第二运算放大器A2的负输入端以及第二运算放大器A2的输出端均与输出端...
【技术特征摘要】
1.一种峰值检测单元，用于检测待测芯片中ESD二极管是否损坏，其特征在于：所述峰值检测单元包括第一运算放大器A1、第二运算放大器A2、充放电电容C、电阻R以及输入端口P1、输出端口P2、引脚连接端口P3、VDD端口P4、VSS端口P5；
所述第一运算放大器A1的正输入端与输入端口P1电连接，第一运算放大器A1的负输入端与VSS端口P5电连接，第一运算放大器A1的输出端与引脚连接端口P3电连接；第二运算放大器A2的正输入端通过所述充放电电容C接地，同时该第二运算放大器A2的正输入端还与VDD端口P4电连接；第二运算放大器A2的负输入端以及第二运算放大器A2的输出端均与输出端口P2电连接，电阻R的一端与VSS端口P5电连接，电阻R另一端与输出端口P2电连接。
2.根据权利要求1所述的峰值检测单元，其特征在于：所述VDD端口P4用于与待测芯片的VDD引脚电连接，所述VSS端口P5用于与待测芯片的VSS引脚电连接，所述引脚连接端口P3用于与待测芯片的待测引脚电连接，所述输入端口P1用于接外部信号发生器，由外部信号发生器通过输入端口P1输入正弦电压，所述输出端口P2用于接判断单元，由判断单元判断输出波形是否正常。
3.根据权利要求1所述的峰值检测单元，其特征在于：所述的峰值检测单元的第一运算放大器A1、第二运算放大器A2、充放电电容C、电阻R均为可更换模块。
4.一种利用权利要求1-3任一项所述的峰值检测单元检测待测芯片中ESD二极管是否损坏的检测系统,其特征在于，包括：主控制模块(201)与测试板模块(202)；
所述主控制模块(201)包含：数据处理单元(2010)、MCU控制器(2011)、判断单元(2012)和开关控制单元(2013)，所述测试板模块(202)包含峰值检测单元(2020)、继电器单元(2021)、引脚接入设备(2022)；
其中，数据处理单元(2010)接收从外部的操作单元输出的用户...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄金星，
申请(专利权)人：广东晟合技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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