【技术实现步骤摘要】
用于OLED面板的低功耗像素点亮方法
本专利技术涉及OLED面板像素点亮
,尤其是OLED面板的低功耗像素点亮方法。
技术介绍
OLED(有机发光二极管)面板的像素点亮主要通过驱动期望电流在屏幕上显示期望的亮度。目前的像素点亮方法采用像素点亮结构,像素点亮结构包括可充电电容Cstg、晶体管MD、发光二极管D;可充电电容Cstg的正极连电压ELVDD接入点,可充电电容Cstg的负极串联开关G(n-1)至电压VINT接入点,可充电电容Cstg的负极接晶体管MD的栅极G,晶体管MD的源极S串联第一开关EM、发光二极管D后连至ELVSS接地点,晶体管MD的漏极D串联第二开关EM后连电压ELVDD接入点,晶体管MD的源极S串联第一开关G(n)后连可充电电容Cstg的负极,面板接入点串联第二开关G(n)至晶体管MD的漏极D,面板接入点与第二开关G(n)之间还接入充电电路。如图1所示,充电电路包括多组LC充电电路,LC充电电路包括电感L和电容C,首个LC充电电路的电感L的首端接面板接入点,各LC充电电路的电感L依序串联,末尾 ...
【技术保护点】
1.一种用于OLED面板的低功耗像素点亮方法,所述像素点亮方法包括初始化步骤、编程步骤、发光步骤,其特征在于:所述初始化步骤与编程步骤之间还包括可选进入的预充电步骤;将电压Vdata[n-1]与电压Vdata[n]进行比较;电压Vdata[n]为面板接入点的当前接入电压,电压Vdata[n-1]为面板接入点的上一接入电压;如果电压Vdata[n-1]>电压Vdata[n]时,则进行预充电步骤;如果电压Vdata[n-1]<电压Vdata[n]时则跳过预充电步骤。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于OLED面板的低功耗像素点亮方法,所述像素点亮方法包括初始化步骤、编程步骤、发光步骤,其特征在于:所述初始化步骤与编程步骤之间还包括可选进入的预充电步骤;将电压Vdata[n-1]与电压Vdata[n]进行比较;电压Vdata[n]为面板接入点的当前接入电压,电压Vdata[n-1]为面板接入点的上一接入电压;如果电压Vdata[n-1]>电压Vdata[n]时,则进行预充电步骤;如果电压Vdata[n-1]<电压Vdata[n]时则跳过预充电步骤。
2.根据权利要求1所述的用于OLED面板的低功耗像素点亮方法,其特征在于:所述初始化步骤为对可充电电容进行初始化充电,所述编程步骤为将期望电压转换为期望电流,所述发光步骤为用期望电流进行像素点亮。
3.根据权利要求1所述的用于OLED面板的低功耗像素点亮方法,其特征在于:所述预充电步骤为:在初始化步骤后,面板接入点的接入电压从电压Vdata[n-1]更改为预充电电压Vpre。
4.根据权利要求3所述的用于OLED面板的低功耗像素点亮方法,其特征在于:所述预充电电压Vpre设置为VRmin、VGmin、VBmin三者中的最小电压,VRmin为R通道的运行电压,VGmin为G通道的运行电压,VBmin为B通道的运行电压。
5.根据权利要求1所述的用于OLED面板的低功耗像素点亮方法,其特征在于:所述像素点亮方法中采用像素点亮结构,所述像素点亮结构包括可充电电容Cstg、晶体管MD、发光二极管D;可充电电容Cstg的正极连电压ELVDD接入点,可充电电容Cstg的负极串联开关G(n-1)至电压VINT接入点,可充电电容Cstg的负极接晶体管MD的栅极G,晶体管MD的源极S串联第一开关EM、发光二极管D后连至ELVSS接地点,晶体管MD的漏极...
【专利技术属性】
技术研发人员:李咏柱,杨召远,
申请(专利权)人:广东晟合技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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