【技术实现步骤摘要】
用于提供具有纳米线加热器的传感器的方法
本公开的实施例大体上涉及用于提供具有纳米线加热器的传感器的方法。
技术介绍
半导体器件产业已以降低的成本生产各种各样的器件,以解决许多不同领域的问题。这至少部分由于集成密度的增大而得以实现。诸如晶体管、二极管、电阻器以及电容器的各种集成电路组件的集成密度受益于最小特征大小持续减小到深亚微米范围,这又允许更多组件集成到给定区域中。计算机辅助设计/电子设计自动化(Computeraddeddesign/electronicdesignautomation;CAD/EDA)工具有助于高度集成电路设计,包含每个管芯上的多个氧化物扩散(OxideDiffusion;OD)区。OD区对应于有源器件区,且CAD/EDA工具定义所述区域的布置。OD通常是指主动掺杂/扩散区域。半导体器件可包含传感器,例如气体传感器和生物传感器。生物传感器是用于感测和检测生物实体的器件,且通常基于电子、化学、光学或机械检测原理而工作。检测可通过检测生物实体本身来进行,或通过特定反应物与生物实体之间的相互作用和反应 ...
【技术保护点】
1.一种用于提供具有纳米线加热器的传感器的方法,其特征在于,包括:/n将包含背面层和内埋氧化物(BOX)层的绝缘层上硅(SOI)晶片的器件层中的所述传感器图案化;/n将邻近于所述传感器的所述绝缘层上硅晶片的所述器件层中的所述纳米线加热器图案化;/n形成用于所述绝缘层上硅晶片的金属布线;/n在所述绝缘层上硅晶片的所述金属布线侧上提供接合载体晶片;/n研磨所述背面层,直到所述内埋氧化物层暴露;/n通过所述内埋氧化物层来图案化所述器件层以暴露所述传感器和所述纳米线加热器;以及/n沉积介电质以覆盖以下中的至少一个:所述传感器;以及所述纳米线加热器。/n
【技术特征摘要】
20180731 US 62/712,724;20190729 US 16/524,3551.一种用于提供具有纳米线加热器的传感器的方法,其特征在于,包括:
将包含背面层和内埋氧化物(BOX)层的绝缘层上硅(SOI)晶片的器件层中的所述传感器图案化;
将邻近于所述传感器的所...
【专利技术属性】
技术研发人员:张华伦,黄睿政,陈东村,黄毓杰,萧怡馨,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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