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本发明可提供一种具有纳米线加热器的传感器的方法。传感器可在包括背面层和内埋氧化物(BOX)层的绝缘层上硅(SOI)晶片的器件层中图案化，且纳米线加热器可在邻近传感器的绝缘层上硅晶片的器件层中图案化。接下来，可形成用于绝缘层上硅晶片的金属布线...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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