一种降低等效介电常数的硅基转接板结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种降低等效介电常数的转接板结构，包括：第一转接板；第一导电通孔，所述第一导电通孔贯穿设置在所述第一转接板内；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述第一转接板的上表面；第一布局布线层，所述第一布局布线层设置在所述第一绝缘层上方，且与所述第一导电通孔电连接；第二转接板，所述第二转接板的设置在所述第一转接板的下方；第二导电通孔，所述第二导电通孔贯穿设置在所述第二转接板内，且与所述第一导电通孔电连接；第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第二转接板的下表面；第二布局布线层，所述第二布局布线层设置在所述第二绝缘层的下方，且与所述第二导电通孔电连接；以及内部空腔，所述内部空腔设置在所述第一转接板与所述第二转接板的键合面附近。

Structure and preparation method of silicon based transfer plate with reduced equivalent permittivity

【技术实现步骤摘要】
一种降低等效介电常数的硅基转接板结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种降低等效介电常数的硅基转接板结构及其制备方法。
技术介绍
随着微电子技术的不断发展，用户对系统的小型化、多功能、低功耗、高可靠性的要求越来越高，尤其是近年来便携式手持终端市场需求的井喷，如手提电脑、智能手机和平板电脑等，要求更高的集成度和互连能力。为了满足高密度互连，实现更高的集成度，实现系统的高频高速性能，减小传输延时，采用低介电常数的介电材料(低K介质材料)是一种非常有效的技术途径。虽然低K介质材料对于高频高速系统的传输性能具有明显的改善，但是低K材料本身的开发、工艺验证和可靠性等方面都存在较长的周期和成本。基于硅基转接板的集成作为高频高速系统的一种典型架构，工艺成熟，但是硅的相对介电常数大于10，对高速系统会带来较大的传输时延。针对低K材料的开发、工艺验证和可靠性等方面都存在较长的周期和较高的成本，以及现有的硅基转接板介电常数较大带来较大的传输时延等问题，本专利技术提出一种降低等效介电常数的硅基转接板结构及其制备方法，降低了硅基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低等效介电常数的转接板结构，包括：/n第一转接板；/n第一导电通孔，所述第一导电通孔贯穿设置在所述第一转接板内；/n第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述第一转接板的上表面；/n第一布局布线层，所述第一布局布线层设置在所述第一绝缘层上方，且与所述第一导电通孔电连接；/n第二转接板，所述第二转接板的设置在所述第一转接板的下方；/n第二导电通孔，所述第二导电通孔贯穿设置在所述第二转接板内，且与所述第一导电通孔电连接；/n第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第二转接板的下表面；/n第二布局布线层，所述第二布局布线层设置在所述第二绝缘层的下方，且与所述第二导电通孔电连接；以及/n内部空腔，所述内部...

【技术特征摘要】
1.一种降低等效介电常数的转接板结构，包括：
第一转接板；
第一导电通孔，所述第一导电通孔贯穿设置在所述第一转接板内；
第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述第一转接板的上表面；
第一布局布线层，所述第一布局布线层设置在所述第一绝缘层上方，且与所述第一导电通孔电连接；
第二转接板，所述第二转接板的设置在所述第一转接板的下方；
第二导电通孔，所述第二导电通孔贯穿设置在所述第二转接板内，且与所述第一导电通孔电连接；
第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第二转接板的下表面；
第二布局布线层，所述第二布局布线层设置在所述第二绝缘层的下方，且与所述第二导电通孔电连接；以及
内部空腔，所述内部空腔设置在所述第一转接板与所述第二转接板的键合面附近。


2.如权利要求1所述的降低等效介电常数的转接板结构，其特征在于，所述第一布局布线层和或第二布局布线层具有M层，其中M≥2。


3.如权利要求1所述的降低等效介电常数的转接板结构，其特征在于，所述内部空腔从所述第一转接板的下表面向所述第一转接板内部延伸形成；或者所述内部空腔从所述第二转接板的上表面向所述第二转接板内部延伸形成。


4.如权利要求1所述的降低等效介电常数的转接板结构，其特征在于，所述内部空腔由所述第一转接板的下表面向所述第一转接板内部延伸形成的第一空腔和由所述第二转接板的上表面向所述第二转接板内部延伸形成的第二空腔配合构成。


5.如权利要求1所述的降低等效介电常数的转接板结构，其特征在于，内部空腔按阵列的方式...

【专利技术属性】
技术研发人员：周云燕，宗小雪，楚姣，曹立强，
申请(专利权)人：上海先方半导体有限公司，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31