晶圆清洗方法技术

本发明专利技术提供了一种晶圆清洗方法，包括：将一晶圆置于旋转台上并进行旋转；向所述晶圆的边缘位置喷射清洗液，并且每经过一设定时间，调整所述清洗液的喷射方向与所述晶圆的中心轴之间的角度。通过先向所述晶圆的中心位置喷射清洗液，使得晶圆中心位置的颗粒等污染物朝晶圆的边缘位置运动，然后向所述晶圆的边缘位置喷射清洗液，并调整清洗液的喷射方向与晶圆的中心轴之间的角度，实现对晶圆边缘位置的多次清洗以及对晶圆边缘位置的定点清洗，使得清洗效果更佳，晶圆表面的颗粒等污染物更少。本发明专利技术提供的晶圆清洗方法能够增强对晶圆边缘的清洗能力，减少晶圆表面的缺陷，从而提高晶圆的良率。

Wafer cleaning method

【技术实现步骤摘要】
晶圆清洗方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆清洗方法。
技术介绍
在半导体制造过程中，由于半导体芯片的集成度越来越高，关键尺寸越做越小，清洁、干净的晶圆表面对于半导体器件的制造越来越重要。晶圆制备工艺完成后，需要对晶圆进行清洗，由于晶圆边缘的颗粒等污染物较晶圆的中心更多，所以对晶圆的清洗主要在于清除晶圆边缘的颗粒等污染物。现有技术中，对晶圆的进行清洗的设备通常采用刷片机，常用的清洗方式有两种，其一，将晶圆放置在旋转台上并进行旋转，刷片机的纳米喷头位于晶圆的正上方并直接朝晶圆中心喷射清洗液，利用旋转过程中产生的离心力使清洗液对晶圆整面进行清洗，但是这种方式对于晶圆的边缘清洗不彻底，颗粒等污染物会残留在所述晶圆上形成缺陷，容易影响后续的工艺；其二，将晶圆放置在旋转台上并进行旋转，刷片机的纳米喷头由晶圆的一侧启喷并由晶圆的边缘向晶圆的另一侧移动并喷射清洗液，该方式容易导致颗粒等污染物移动至整片晶圆，使得整片晶圆的洁净度较差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶圆清洗方法，能够有效地对晶圆的边缘进行清洗本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括：/n将一晶圆置于旋转台上并进行旋转；/n向所述晶圆的边缘位置喷射清洗液，并且每经过一设定时间，调整所述清洗液的喷射方向与所述晶圆的中心轴之间的角度。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括：
将一晶圆置于旋转台上并进行旋转；
向所述晶圆的边缘位置喷射清洗液，并且每经过一设定时间，调整所述清洗液的喷射方向与所述晶圆的中心轴之间的角度。


2.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述设定时间介于5秒～80秒之间。


3.如权利要求2所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述晶圆清洗的总时间介于40秒～125秒之间。


4.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述清洗液的喷射方向与所述晶圆的中心轴之间的角度介于0°～45°之间。


5.如权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，向所述晶圆的边缘位置喷射清洗液之前，所述晶圆清洗方法还包括：
向所述晶圆的中心位置喷射清...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙兴，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31