一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的系统技术方案

本发明专利技术一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的系统，本发明专利技术属于半导体技术领域，包括真空系统、充放气系统、温度与压力控制系统、电气控制系统、冷却循环系统、称重系统和炉体，炉体上设置有坩埚杆旋转升降机构和籽晶杆升降机构，关键在于：所述炉体分隔为合成生长室、投料室及装料室，装料室和投料室借助插板分隔，装料室内设置翻转投料器，投料室内设置送料管，送料管一端对接翻转投料器，一端延伸至合成生长室内的坩埚内形成铟磷混合球投送结构；坩埚定位在坩埚杆上，籽晶杆升降机构设置在合成生长室顶盖上。可将铟磷混合球快速投入到覆盖有液态氧化硼的坩埚中，合成后后，原位提拉形成磷化铟晶体，合成速度更快，利于产业化生产。

A system of indium phosphide crystal prepared by indium phosphorus mixture

【技术实现步骤摘要】
一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的系统
本专利技术属于半导体
，涉及磷化铟的制备，具体涉及利用铟磷混合球合成磷化铟的方法。
技术介绍
磷化铟（InP）是由III族元素铟（In）和V族元素磷（P）化合而成的III-V族化合物半导体材料，在半导体材料领域具有非常重要的战略性地位，是目前光电器件和微电子器件不可替代的半导体材料。与锗、硅材料相比，InP具有许多优点：直接跃迁型能带结构，具有高的电光转换效率；电子迁移率高，易于制成半绝缘材料，适合制作高频微波器件和电路；工作温度高；具有强的抗辐射能力；作为太阳能电池材料的转换效率高等。因此，InP等材料被广泛应用在固态发光、微波通信、光纤通信、微波、毫米波器件、抗辐射太阳能电池等高
随着能带工程理论、超薄材料工艺技术及深亚微米制造技术的进展，InP也越来越显示出其在高端微波、毫米波电子器件和光电子器件方面的优势，成为毫米波高端器件的首选材料，受到广泛的重视，开发应用前景非常广阔。高端InP基微电子和光电子器件的实现取决于具有良好完整性、均匀性和热稳定性的高质量InP单晶的制备。高纯、不同熔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的系统，包括真空系统、充放气系统、温度与压力控制系统、电气控制系统、冷却循环系统、称重系统和炉体，炉体上设置有坩埚杆旋转升降机构和籽晶杆升降机构，其特征在于：所述炉体分隔为合成生长室（1）、投料室（19）及装料室（27），装料室（27）和投料室（19）借助插板（22）分隔，装料室（27）内设置翻转投料器，投料室（19）内设置送料管（18），送料管（18）一端向上对接翻转投料器，一端向下延伸至合成生长室（1）内的坩埚（10）内形成铟磷混合球投送结构；坩埚（10）定位在坩埚杆（16）上，籽晶杆升降机构设置在合成生长室（1）顶盖上。/n

【技术特征摘要】
1.一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的系统，包括真空系统、充放气系统、温度与压力控制系统、电气控制系统、冷却循环系统、称重系统和炉体，炉体上设置有坩埚杆旋转升降机构和籽晶杆升降机构，其特征在于：所述炉体分隔为合成生长室（1）、投料室（19）及装料室（27），装料室（27）和投料室（19）借助插板（22）分隔，装料室（27）内设置翻转投料器，投料室（19）内设置送料管（18），送料管（18）一端向上对接翻转投料器，一端向下延伸至合成生长室（1）内的坩埚（10）内形成铟磷混合球投送结构；坩埚（10）定位在坩埚杆（16）上，籽晶杆升降机构设置在合成生长室（1）顶盖上。


2.根据权利要求1所述的利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的系统，其特征在于：所述翻转投料器包括机械臂（28）、载料器（24）及载料器翻转驱动装置（32），机械臂（28）上端定位在装料室（27）顶部、下端连接翻转驱动装置（32），翻转驱动装置（32）与载料器（24）连接。


3.根据权利要2所述的利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的系统，其特征在于：所述载料器翻转驱动装置（32）为定位于机械臂（28）底端的电机（32-3），电机（32-3）轴与载料器（24）连接。


4.根据权利要3所述的利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的系统，其特征在于：所述电机（32-3）的外部包覆有隔热层（32-2）和保护罩（32-1）。


5.根据权利要求1所述的利用铟磷混...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙聂枫，王书杰，史艳磊，邵会民，付莉杰，李晓岚，王阳，徐森锋，刘惠生，孙同年，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13