一种高效异质结太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开一种高效异质结太阳能电池，其包括：N型单晶硅片；设在N型单晶硅片正面和背面的本征非晶硅层；设在N型单晶硅片正面本征非晶硅层上的N型掺杂非晶硅层；设在N型单晶硅片背面本征非晶硅层上的P型掺杂非晶硅层；分别设在N型掺杂非晶硅层和P型掺杂非晶硅层上的ITO透明导电膜层；设在P型掺杂非晶硅层上的ITO透明导电膜层上的阻挡层；设在N型掺杂非晶硅层的ITO透明导电膜层上的铜栅线电极；设在阻挡层的铜栅线电极。其既降低了栅线电阻，又可以降低栅线宽度，提升电流密度；同时在背面使用了阻挡层来阻止铜离子迁移到PN中去，从而使异质结铜栅电池的转换效率和可靠性有了较大的提升。

An efficient heterojunction solar cell

【技术实现步骤摘要】
一种高效异质结太阳能电池
本技术涉及晶体硅太阳能电池领域，尤其涉及一种高效异质结太阳能电池。
技术介绍
目前市场上已经量产的高效电池技术有PERC电池、MWT电池、PERT电池、HIT电池、IBC电池等，其中HIT电池具有工艺步骤少、转换效率高、温度系数低，双面发电等特点，受到众多研发机构和厂商的青睐。在国内越来越多的厂商纷纷投入到异质结电池的研发和产业化中。异质结电池的工艺流程如下：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、透明导电薄膜沉积、电极制作。目前国内大部分厂商采用低温银浆印刷的方式制作金属电极，这种工艺的缺点是低温银浆焊接拉力比较低；另外双面结构电池银浆耗量比较高，所以成本也相对较高。另一种电极技术是铜栅工艺，铜栅工艺具有成本低、电阻率低、栅线宽度窄等优势，成为异质结电池研究的一个热门电极技术。缺点是铜离子比较容易迁移，如果迁移到PN结中去，会成为严重的复合中心，破坏PN的特性，从而使高效异质结电池的电学性能和可靠性降低。所以在铜栅异质结电池中，如何设计合适的电池结构，保证铜不迁移到电池中是一项非常关键的问题。<br>
技术实现思路
<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高效异质结太阳能电池，其特征在于，其包括：/nN型单晶硅片；/n设在N型单晶硅片正面和背面的本征非晶硅层；/n设在N型单晶硅片正面本征非晶硅层上的N型掺杂非晶硅层；/n设在N型单晶硅片背面本征非晶硅层上的P型掺杂非晶硅层；/n分别设在N型掺杂非晶硅层和P型掺杂非晶硅层上的ITO透明导电膜层；/n设在P型掺杂非晶硅层上的ITO透明导电膜层上的阻挡层；/n设在N型掺杂非晶硅层的ITO透明导电膜层上的铜栅线电极；/n设在阻挡层的铜栅线电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种高效异质结太阳能电池，其特征在于，其包括：
N型单晶硅片；
设在N型单晶硅片正面和背面的本征非晶硅层；
设在N型单晶硅片正面本征非晶硅层上的N型掺杂非晶硅层；
设在N型单晶硅片背面本征非晶硅层上的P型掺杂非晶硅层；
分别设在N型掺杂非晶硅层和P型掺杂非晶硅层上的ITO透明导电膜层；
设在P型掺杂非晶硅层上的ITO透明导电膜层上的阻挡层；
设在N型掺杂非晶硅层的ITO透明导电膜层上的铜栅线电极；
设在阻挡层的铜栅线电极。


2.根据权利要求1所述的高效异质结太阳能电池，其特征在于：所述本征非晶硅厚度为1-20nm，所述P型掺杂非晶硅层厚度为1-30nm...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋广华，张杰，尤宇文，罗骞，黄家容，
申请(专利权)人：福建钜能电力有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35