一种异质结红外光电探测器制造技术

技术编号:23204906 阅读:43 留言:0更新日期:2020-01-24 20:13
本实用新型专利技术涉及一种异质结红外光电探测器,该光电探测器包括从下到上设置的底电极层、异质结层、顶电极层,异质结层包括与底电极层欧姆接触的碲化镉层和与顶电极层欧姆接触的二硒化铂层,底电极层为ITO、石墨烯或贵金属,顶电极层为贵金属薄膜,并且贵金属薄膜中具有孔洞。孔洞增强了入射光与探测器的耦合,提高了探测的灵敏度;这些孔洞还使得探测器能够对光的波长、偏振等信息的识别。

A heterojunction infrared photodetector

【技术实现步骤摘要】
一种异质结红外光电探测器
本技术涉及红外光电探测领域,具体涉及一种异质结红外光电探测器。
技术介绍
红外光电探测器在国防和军事应用、自动化监测、环境监测等领域具有重要的应用价值。基于二维材料的光电探测器,特别是基于异质结的光电探测器具有响应度高和探测速度快等优点。但是,现有基于异质结的光电探测器对光的吸收和利用效率低,不能针对特定波长的光进行探测。
技术实现思路
为解决以上问题,本技术提供了一种异质结红外光电探测器,该探测器包括从下到上设置的底电极层、异质结层、顶电极层,异质结层包括与底电极层欧姆接触的碲化镉层和与顶电极层欧姆接触的二硒化铂层,底电极层为ITO、石墨烯或贵金属,顶电极层为贵金属薄膜,并且贵金属薄膜中具有孔洞。更进一步地,孔洞为圆形、方形或矩形。更进一步地,孔洞的尺寸不同,并且非周期性排列。更进一步地,孔洞为三角形。更进一步地,孔洞的尺寸不同,并且周期排列。更进一步地,孔洞贯穿顶电极层。更进一步地,在二硒化铂层与顶电极层接触的一侧,二硒化铂层具有与孔洞位置相同、形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种异质结红外光电探测器,包括从下到上设置的底电极层、异质结层、顶电极层,其特征在于:所述异质结层包括与底电极层欧姆接触的碲化镉层和与顶电极层欧姆接触的二硒化铂层,所述底电极层为ITO、石墨烯或贵金属,所述顶电极层为贵金属薄膜,并且贵金属薄膜中具有孔洞。/n

【技术特征摘要】
1.一种异质结红外光电探测器,包括从下到上设置的底电极层、异质结层、顶电极层,其特征在于:所述异质结层包括与底电极层欧姆接触的碲化镉层和与顶电极层欧姆接触的二硒化铂层,所述底电极层为ITO、石墨烯或贵金属,所述顶电极层为贵金属薄膜,并且贵金属薄膜中具有孔洞。


2.如权利要求1所述的异质结红外光电探测器,其特征在于:所述孔洞为圆形、方形或矩形。


3.如权利要求2所述的异质结红外光电探测器,其特征在于:所述孔洞的尺寸不同,并且非周期性排列。


4.如权利要求1所述的异质结红外光电探测器,其特征在于:所述孔洞为三角形。


5.如权利要求4所述的异质结红外光电探测器,其特征在于:所述孔洞...

【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人
申请(专利权)人:金华伏安光电科技有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1