在疏水空穴传输层上沉积钙钛矿薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种在疏水空穴传输层上沉积钙钛矿薄膜的方法，利用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)界面修饰的空穴传输层制备高质量的钙钛矿薄膜。本发明专利技术PVP界面修饰层得以引入空穴传输层与钙钛矿薄膜之间，从而制备光滑平整、高荧光产率的钙钛矿薄膜。相比无PVP修饰的传统方法制备的钙钛矿薄膜，经PVP界面修饰的薄膜表面粗糙度下降且荧光产率增强。本发明专利技术通过PVP对HTL进行界面修饰，PVP中的吡咯烷酮部分具有良好的亲水性，因此使得钙钛矿前驱体对HTL的润湿性大大提高，提高钙钛矿的成核位点，可制备光滑平整的钙钛矿薄膜。

Deposition of Perovskite Thin Films on hydrophobic hole transport layer

【技术实现步骤摘要】
在疏水空穴传输层上沉积钙钛矿薄膜的方法
本专利技术涉及一种钙钛矿发光材料制备方法，特别是涉及一种钙钛矿薄膜的制备方法，应用于钙钛矿光电器件功能层薄膜制备工艺

技术介绍
近年来，可溶液加工的钙钛矿发光材料成为光电领域的研究热点。尤其钙钛矿发光二极管(LED)的外部量子效率已超过20％，可与有机LED和量子点LED相媲美。对于溶液法制备的钙钛矿发光薄膜，其成膜质量对钙钛矿LED器件性能至关重要。若形成的钙钛矿薄膜不连续且多孔洞，不仅会导致薄膜的抗湿性差，而且引起严重的器件漏电流，极易造成器件性能的大幅降低。因此，对于钙钛矿下层传输材料的选择十分关键，不仅要满足与钙钛矿发光层能级匹配，更要利于钙钛矿薄膜的成核、结晶生长，从而实现高质量的钙钛矿发光层，提升LED器件的电致发光性能。然而，一些常用空穴传输材料疏水性较强，如：聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)，聚乙烯基咔唑(PVK)等，与钙钛矿前驱体的溶剂二甲基亚砜(DMSO)的相溶性较差，不利于钙钛矿结晶成膜，并恶化其发光性质。因此，对空穴传输层进行界面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在疏水空穴传输层上沉积钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：/na.空穴传输层溶液的制备：/n按照PVK和TFB的质量比为3:7-7:3的比例，称取PVK和TFB的总质量为10mg作为原料，将原料溶于1ml氯苯溶剂中，得到原料混合液，使用搅拌器，对原料混合液进行搅拌至少2h，然后使用0.45μm聚四氟乙烯过滤器，对原料混合液进行过滤，得到均匀混合的PVK:TFB溶液，备用；/nb.PVP溶液的制备：/n将PVP溶解于无水乙醇中，使PVP浓度为0.5-1.5mg/ml，作为修饰剂溶液，备用；/nc.钙钛矿前驱体溶液的制备：/n将有机间隔大分子、卤化铅和卤化铯按照0.3:1:1.2-...

【技术特征摘要】
1.一种在疏水空穴传输层上沉积钙钛矿薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：
a.空穴传输层溶液的制备：
按照PVK和TFB的质量比为3:7-7:3的比例，称取PVK和TFB的总质量为10mg作为原料，将原料溶于1ml氯苯溶剂中，得到原料混合液，使用搅拌器，对原料混合液进行搅拌至少2h，然后使用0.45μm聚四氟乙烯过滤器，对原料混合液进行过滤，得到均匀混合的PVK:TFB溶液，备用；
b.PVP溶液的制备：
将PVP溶解于无水乙醇中，使PVP浓度为0.5-1.5mg/ml，作为修饰剂溶液，备用；
c.钙钛矿前驱体溶液的制备：
将有机间隔大分子、卤化铅和卤化铯按照0.3:1:1.2-0.5:1:1.2的溶质摩尔比，溶于无水DMSO中，控制溶质浓度为100-300mg/ml，得到溶质混合液；再加入占溶质混合液总量的质量百分比为0.1-0.5wt.％的聚氧化乙烯(PEO)，得到金属卤化物混合液；然后将金属卤化物混合液在不高于60℃条件下，进行加热搅拌至少3h，然后使用0.45μm聚四氟乙烯过滤器过滤，得到准二维金属卤化物钙钛矿前驱体溶液，作为钙钛矿前驱体溶液，备用；
d.钙钛矿薄膜的制备：
取80-120ul在上述步骤a中制备的PVK:TFB溶液，滴在衬底上，并以不低于2000rpm的转速进行旋涂，随后在不高于150℃下退火处理至少10分钟，从而得到PVK:TFB薄膜，作为空穴传输层；待衬底冷却后，取...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔令媚，王浩然，杨绪勇，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：上海;31