一种中子通量可控的中子发射装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种中子通量可控的中子发射装置，包括装置本体，所述装置本体设置有出射通道，所述装置本体内设置有发射井，所述出射通道设置于远离发射井的一侧，所述发射井内设置有中子源，所述发射井内设置有驱动中子源在发射井的延伸方向上位移的推动机构。工作人员通过驱动推动机构，使中子源在发射井内的位置发生变化，当中子源处于发射井中较深入的位置时，中子源对发射井进口的张角越小，并且到达出射通道之间的路径变长，从而使中子衰减时间增长。通过控制中子源在发射井中的位置调节中子到达出射通道的时间，进而使到达出射通道的中子数发生变化，达到控制出射通道的通道口处的中子通量的效果。

A neutron emission device with controllable neutron flux

【技术实现步骤摘要】
一种中子通量可控的中子发射装置
本专利技术涉及核技术及应用领域，特别是一种中子通量可控的中子发射装置。
技术介绍
中子源在军民两用领域应用广泛。常用的中子源有加速器中子源、裂变中子源、绸密等离子体焦点中子源和同位素中子源。前三类中子源属于可控中子源，其中加速器中子源和裂变中子源中子通量较高，具有较高的安全性，但是其装置巨大，无法移动，仅适合固定位置使用。绸密等离子体焦点中子源虽然可控，但是它属于脉冲式间歇工作方式，该类中子源的稳定性较差，因此此类中子源在精确测量领域的应用受到很大的局限。同位素中子源利用两种核素混合后发生核反应产生中子或利用核素自身裂变产生中子，目前使用的有Am－Be源，Pu－Be源、Ra－Be源和Cf自发裂变中子源。目前市面上的同位素中子源装置尚未有中子通量的控制环节，在中子活化或者材料表性研究的中子束装置中对中子通量的精度控制的需求越来越高的环境下，目前的发射源装置想要得到不同中子通量的中子束需要更换不同的中子源实现，这种方式其对中子通量大小的调控较为麻烦。专利技术内容本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种中子通量可控的中子发射装置，其特征在于：包括装置本体(1)，所述装置本体(1)设置有出射通道(12)，所述装置本体(1)内设置有发射井(13)，所述出射通道(12)设置于远离发射井(13)的一侧，所述发射井(13)内设置有中子源(2)，所述发射井(13)内设置有驱动中子源(2)在发射井(13)的延伸方向上位移的推动机构。/n

【技术特征摘要】
1.一种中子通量可控的中子发射装置，其特征在于：包括装置本体(1)，所述装置本体(1)设置有出射通道(12)，所述装置本体(1)内设置有发射井(13)，所述出射通道(12)设置于远离发射井(13)的一侧，所述发射井(13)内设置有中子源(2)，所述发射井(13)内设置有驱动中子源(2)在发射井(13)的延伸方向上位移的推动机构。


2.根据权利要求1所述的一种中子通量可控的中子发射装置，其特征在于：所述装置本体(1)设置为中子吸收材质。


3.根据权利要求1所述的一种中子通量可控的中子发射装置，其特征在于：所述装置本体(1)的内壁固定连接有慢化层(15)。


4.根据权利要求3所述的一种中子通量可控的中子发射装置，其特征在于：所述推动机构与中子源(2)之间设置有托板(3)，所述托板(3)的外周面与发射井(13)内的慢化层(15)的内壁相抵接。


5.根据权利要求4所述的一种中子通量可控的中子发射装置，其特征在于：所述发射井(13)以及托板(3)的横截面均设置为圆形，所述中子源(2)设置于发射井(13)的圆心处。


6.根据权利要求4所述的一种中子通量可控的中子发射装置，其特征在于：所述托板(3)与发射井(13)的底面之间设置有伸缩导向杆(5)，所述伸缩导向杆(5)包括伸缩套(51)和伸缩杆...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙远奎，邱建龙，朱称水，王采林，陈秋宏，
申请(专利权)人：广东龙晟环保科技有限公司，广东环境保护工程职业学院，松山湖材料实验室，佛山市纳西弗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44