【技术实现步骤摘要】
一种中子导管
本专利技术涉及中子散射
,尤其涉及一种中子导管。
技术介绍
中子散射技术需通过中子源持续的产生中子。目前世界上中子源分两类,一类是散裂中子源,基于加速器加速质子轰击金属靶产生中子;另一类是反应堆中子源,基于铀裂变产生中子。无论是散裂中子源还是反应堆中子源均需要通过多条中子超镜导管把中子源产生的中子尽可能多的引出到外部中子散射谱仪样品处进行中子散射实验。此外,中子散射谱仪的前端设置有中子束线开关,中子束线开关内也安装有一段中子超镜导管,通过中子束线开关的升降实现中子束流的打开与关闭。同时在一些中子散射谱仪上,比如微小角中子散射谱仪,为了实现高分辨率的微小角模式和高通量的普通小角模式的切换,在谱仪前端需要设置数个转动或者水平切换装置,用于不同的中子超镜导管或者其他中子光学部件进出中子束流线的切换。中子超镜导管内部膜层的质量及中子超镜导管组装、安装精度对中子的传输效率起到决定性的作用。中子超镜导管要求内部镍铁膜全反射临界因子m值达到2以上,中子超镜导管的组装及安装精度要求达到±0.02mm以上。由于镀膜技术的限制,目前中子超镜导管中镀膜的长度无法超过500mm,因此对于长度超过500mm以上的中子超镜导管一般由数段不超过500mm长的中子超镜导管拼接而成。为了保护昂贵且精密的中子超镜导管,一般将中子超镜导管安装在一段壳体内,再将中子导管一起安装到中子散射谱仪上。中子导管长期处于强辐射环境下,使用寿命需要长达数十年。现有技术中,中子超镜导管与外部保护用的壳体间的支撑连接方式一般具有 ...
【技术保护点】
1.一种中子导管,其特征在于,包括:/n中子超镜导管(1),所述中子超镜导管(1)为多段,多段所述中子超镜导管(1)依次连接形成导管本体;/n连接板(2),所述连接板(2)为多个,相邻的两个所述中子超镜导管(1)的连接处粘接有所述连接板(2),所述导管本体的两端表面分别粘接有所述连接板(2);/n中子导管壳体(3),所述中子导管壳体(3)设在所述中子超镜导管(1)的表面并与所述中子超镜导管(1)间隙配合;/n面接触支撑机构(4),所述面接触支撑机构(4)设置于中子导管壳体(3)内,所述面接触支撑机构(4)的一面被配置为支撑所述连接板(2);/n面接触压紧机构(5),所述面接触压紧机构(5)设置于中子导管壳体(3)内,所述面接触压紧机构(5)的一面被配置为压紧所述连接板(2);其中:/n所述面接触支撑机构(4)和所述面接触压紧机构(5)连接在所述中子导管壳体(3)的对应的两个侧面上相对设置以固定所述中子超镜导管(1)。/n
【技术特征摘要】
1.一种中子导管,其特征在于,包括:
中子超镜导管(1),所述中子超镜导管(1)为多段,多段所述中子超镜导管(1)依次连接形成导管本体;
连接板(2),所述连接板(2)为多个,相邻的两个所述中子超镜导管(1)的连接处粘接有所述连接板(2),所述导管本体的两端表面分别粘接有所述连接板(2);
中子导管壳体(3),所述中子导管壳体(3)设在所述中子超镜导管(1)的表面并与所述中子超镜导管(1)间隙配合;
面接触支撑机构(4),所述面接触支撑机构(4)设置于中子导管壳体(3)内,所述面接触支撑机构(4)的一面被配置为支撑所述连接板(2);
面接触压紧机构(5),所述面接触压紧机构(5)设置于中子导管壳体(3)内,所述面接触压紧机构(5)的一面被配置为压紧所述连接板(2);其中:
所述面接触支撑机构(4)和所述面接触压紧机构(5)连接在所述中子导管壳体(3)的对应的两个侧面上相对设置以固定所述中子超镜导管(1)。
2.根据权利要求1所述的中子导管,其特征在于,所述中子超镜导管(1)为由四片浮法玻璃组成的矩形管,所述中子超镜导管(1)的内壁设置有镍铁膜,多段所述中子超镜导管(1)的四个表面分别共面。
3.根据权利要求2所述的中子导管,其特征在于,所述连接板(2)设置在多段所述中子超镜导管(1)的连接处的四个表面,所述导管本体的两端的四个表面各设置有一个所述连接板(2)。
4.根据权利要求3所述的中子导管,其特征在于,所述中子导管壳体(3)为由四个金属板(31)组成的长矩形管,所述金属板(31)的内壁在多段所述中子超镜导管(1)的连接处设置有第一凹槽(311),所述第一凹槽(311)的底壁与所述中子超镜导管(1)的间距大于所述连接板(2)厚度,所述第一凹槽(311)和所述连接板(2)间隙配合。
5.根据权利要求4所述的中子导管,其特征在于,在相邻两个所述中子超镜导管(1)的连接处,所述中子超镜导管(1)上侧的所述金属板(31)设置有所述面接触压紧机构(5),所述中子超镜导管(1)下侧的所述金属板(31)设置有所述面接触支撑机构(4),所述中子超镜导管(1)左右两侧的所述金属板(31)相对设置有所述面接触压紧机构(5)和所述面接触支撑机构(4)。
6.根据权利要求1所述的中子导管,其特征在于,所述面接触支撑机构(4)包括...
【专利技术属性】
技术研发人员:肖松文,朱涛,李树发,孙远,
申请(专利权)人:散裂中子源科学中心,中国科学院高能物理研究所,中国科学院物理研究所,
类型:发明
国别省市:广东;44
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