一种化学晶片的清洗设备及其清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种化学晶片的清洗设备，其结构包括反应部、清洗药剂混合槽和曝气管，反应部内分别通过上隔板、下隔板将其分隔成缓冲腔、载体反应腔和化学循环腔，载体反应腔内置有载体，载体反应腔的侧壁上设有腔体加热器，曝气管设置在下隔板的两侧，曝气管上开设有多个小孔，曝气管内导入有惰性气体，上隔板和下隔板均设有若干个过滤孔，过滤孔内嵌设有滤布，清洗药剂混合槽与缓冲腔之间通过抽取泵相连接，缓冲腔与化学循环腔之间设有循环排放泵、滤罐。采用上述技术方案后，通过在载体反应腔内设有载体和曝气管，即在曝气管和清洁液的作用下，载体能悬浮进而碰撞待洗晶片，能够对高附著性的表面残留污染物质，皆可有效去除，同时降低了成本。

Cleaning equipment and method of chemical wafer

【技术实现步骤摘要】
一种化学晶片的清洗设备及其清洗方法
本专利技术涉及一种化学晶片的清洗设备及其清洗方法。
技术介绍
现有对光学晶片表面的清洗技术具体步骤如下：步骤1、将清洗药剂与水混合配置在反应槽内。步骤2、开始加热或超音波装置等进行清洗。步骤3、达到设定时间与温度等参数后，取出至QDR(快冲排槽)内以清水去除表面残留清洁药剂。步骤4、以旋乾或烘乾方式去除水份，进而完成清洗流程。一般清洗光学晶片多数以上述流程进行，但槽内只有清洁剂与水等液体配置，去除能力有限，且若遇较为顽固的污染物质(沾附性较强，如油脂、高分子聚合物或与表面键结力较强的反应物)就会使去除能力降低。故此，在反应槽的化学清洗能力是有优化与提升的必要。对于光学晶片表面清洗的现存技术中，存在着以下几点不足：1.去除能力与洗净良率仅有95～97％，尤其是油脂或高沾附性的污染物。2.习知的超音波或震动(shake)方式去除能力有限，主因：从发震源到晶片表面的距离越长，表面清洁能力会因此而降低(空穴作用Cavitation受限于距离因素)。...

【技术保护点】
1.一种化学晶片的清洗设备，其特征在于：其结构包括反应部、清洗药剂混合槽(2)和曝气管(3)，所述反应部内部分别通过上隔板(4)、下隔板(5)将其分隔成缓冲腔(11)、载体反应腔(12)和化学循环腔(13)，所述缓冲腔(11)位于载体反应腔(12)的顶部，所述化学循环腔(13)位于载体反应腔(12)的底部，所述载体反应腔(12)内置有载体，所述载体反应腔(12)的侧壁上固定连接有腔体加热器(12a)，所述下隔板(5)上端面的中部上通过夹具固定有待洗晶片(16)，所述曝气管(3)的数量为2个，且分别固定连接在下隔板(5)上端面的左右两侧上，每一所述曝气管(3)的顶部上开设有等间隔分布的多个小孔，...

【技术特征摘要】
1.一种化学晶片的清洗设备，其特征在于：其结构包括反应部、清洗药剂混合槽(2)和曝气管(3)，所述反应部内部分别通过上隔板(4)、下隔板(5)将其分隔成缓冲腔(11)、载体反应腔(12)和化学循环腔(13)，所述缓冲腔(11)位于载体反应腔(12)的顶部，所述化学循环腔(13)位于载体反应腔(12)的底部，所述载体反应腔(12)内置有载体，所述载体反应腔(12)的侧壁上固定连接有腔体加热器(12a)，所述下隔板(5)上端面的中部上通过夹具固定有待洗晶片(16)，所述曝气管(3)的数量为2个，且分别固定连接在下隔板(5)上端面的左右两侧上，每一所述曝气管(3)的顶部上开设有等间隔分布的多个小孔，所述曝气管(3)内导入有惰性气体，所述曝气管(3)连接有用于控制气流量的调节阀，所述曝气管(3)能够将载体悬浮进而碰撞待洗晶片(16)，所述上隔板(4)和下隔板(5)上均开设有若干个过滤孔(6)，每一所述过滤孔(6)内均嵌设有滤布(7)，所述清洗药剂混合槽(2)与缓冲腔(11)之间通过抽取泵(8)相连接，所述抽取泵(8)能够将清洗药剂混合槽内的清洁液抽取至缓冲腔(11)中，所述缓冲腔(11)与化学循环腔(13)之间设有循环排放泵(9)、滤罐(10)，所述化学循环腔(13)的一侧面上设置有出流管道(14)，所述出流管道(14)的另一端与循环排放泵(9)相连接，所述缓冲腔(11)的一侧面上设置有进流管道(15)，该进流管道(15)的另一端与滤罐(10)相连接。


2.根据权利要求1所述的一种化学晶片的清洗设备，其特征在于：所述腔体加热器(12a)为电加热管，所述电加热管直接浸入在载体反应腔(12)内，所述电加热管的外表面包覆有PFA管材。


3.根据权利要求1所述的一种化学晶片的清洗设备，其特征在于：所述腔体加热器(12a)为加热贴片，所述加热贴片...

【专利技术属性】
技术研发人员：周志豪，吴丽琼，陈启福，刘建飞，
申请(专利权)人：福建晶安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35