本实用新型专利技术公开了一种适用于DC‑DC电路内部供电的线性降压稳压电路，包括预降压电路、基准电压产生电路、误差放大器和输出级电路，预降压电路的输入端与电源信号相连，输出端与基准电压产生电路和误差放大器的电源端相连，基准电压产生电路的一输出端与误差放大器的反相输入端相连，另一基准输出端连接到后级DC‑DC电路并为其提供基准电压，误差放大器的正相输入端连接到输出级电路的反馈电压端，误差放大器输出端连接到输出级电路，输出级电路连接到后级DC‑DC电路。本实用新型专利技术给DC‑DC电路提供一个稳定的芯片工作电源电压，随输入电压波动很小。并且可以给DC‑DC电路模块提供基准，可以减小功耗，并且可以集成到DC‑DC芯片当中。
A linear voltage reducing and stabilizing circuit for internal power supply of DC-DC circuit
【技术实现步骤摘要】
一种适用于DC-DC电路内部供电的线性降压稳压电路
本技术涉及一种适用于DC-DC电路内部供电的线性降压稳压电路，属于DC-DC电路内部供电
技术介绍
随着科学的进步和电子信息技术的发展，人们对消费类和智能式应用的电子产品越来越多，其中所用到的电源管理芯片的要求也越来越高。智能式电子产品在日常生活中扮演着至关重要的角色，不管是智能电表、汽车用电子产品，其中的通讯载波模块、计量模块，存储模块等都需要依赖电源管理芯片的供电，同一个电子产品中的不同模块可能需求不同数值的电流或电压，没有稳定的电流或电压，电子产品就不能正常工作。如果想要稳定的电流和电压，仅采用传统的变压器是远远达不到要求的，解决这一问题需要一种不随供电电压、负载大小和工作环境的变化而变化的稳压器，将不稳定的电压转换成稳定的、持续不断的电压，或者是将波动值降低到可接受的范围之内，以提高电源转换效率。目前DC-DC类芯片应用广泛，其输出几乎不随负载电流、输入电压、温度和时间的变化而变化，可以保证系统有稳定的输出电压。但是上述的DC-DC芯片的输入电压会比较高，要耐压将近30V，对于一般的mos管来说，都承受不了这么高的电压，芯片无法正常工作。如果采用输入作为芯片供电的电源电压，那么要大面积的要应用耐高压的高压管，随之版图面积会很大，而且功耗也会消耗很大，而且输入的电源电压不稳定，对于芯片内部电路的正常工作产生影响，相应的技术参数也不是很理想。有的芯片专门留了一个引脚，外接低压电源，一般为LDO（LowDropoutRegulator）。而LDO中因为存在参考源，放大器，缓冲器，过流过压保护电路等，会比较浪费功耗。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是：提供一种适用于DC-DC电路内部供电的线性降压稳压电路，给DC-DC电路提供一个稳定的芯片工作电源电压，随输入电压波动很小。并且可以给DC-DC电路模块提供基准，可以减小功耗，并且可以集成到DC-DC芯片当中，以解决输入电压太高难以给DC-DC芯片内部电路供电的问题以及单独使用线性降压电路的功耗大的问题。本技术采取的技术方案为：一种适用于DC-DC电路内部供电的线性降压稳压电路，包括预降压电路、基准电压产生电路、误差放大器和输出级电路，预降压电路的输入端与电源信号相连，输出端preVDD与基准电压产生电路和误差放大器的电源端相连，基准电压产生电路的一输出端Vref1与误差放大器的反相输入端相连，另一基准输出端Vrefn连接到后级DC-DC电路并为其提供基准电压，误差放大器的正相输入端连接到输出级电路的反馈电压端Vfb，误差放大器输出端连接到输出级电路，输出级电路连接到后级DC-DC电路。优选的，上述预降压电路包括增强型NLDMOS管MN0、增强型PLDMOS管MP0、稳压齐纳二极管ZENER0和限流电阻R0，其中，增强型NLDMOS管MN0的漏极连接电源Vin，增强型NLDMOS管MN0的源级连接到输出端preVDD，增强型NLDMOS管MN0的栅极连接到增强型PLDMOS管MP0的源级，增强型PLDMOS管MP0的栅极和漏极相连，增强型PLDMOS管MP0的漏极与稳压齐纳二极管ZENER0的负极相连，稳压齐纳二极管ZENER0的正极接地，限流电阻R0两端分别接电源Vin和增强型PLDMOS管MP0的源极。优选的，上述输出级电路包括增强型NLDMOS管MN1、增强型PLDMOS管MP1、增强型PLDMOS管MP2、分压电阻R1、分压电阻R2和补偿电容C0，其中，增强型PLDMOS管MP1的源极、增强型PLDMOS管MP2的源极均与电源Vin相连，增强型PLDMOS管MP1的栅极与增强型PLDMOS管MP2的栅极相连，增强型NLDMOS管MN1的漏极连接到增强型PLDMOS管MP1的漏极和增强型PLDMOS管MP1的栅极，增强型NLDMOS管MN1的源极接地，增强型NLDMOS管MN1的栅极连接到误差放大器的输出端，分压电阻R1连接到增强型PLDMOS管MP2的漏极，分压电阻R2与分压电阻R1串联连接，分压电阻R2接地，其中，分压电阻R1与分压电阻R2的串接端构成反馈电压端Vfb接到上级的误差放大器ERROR_AMP的正相输入端。增强型PLDMOS管MP2的漏极连接到后级DC-DC电路，补偿电容C0连接在增强型PLDMOS管MP2的漏极与地间。本技术的有益效果：与现有技术相比，本技术能够成功的实现为DC-DC芯片内部电路进行供电的功能，而且供电电压稳定，受输入电压、温度、工艺的影响很小，从而可以用非耐高压的普通器件设计电路，减少了电路复杂程度，减小了DC-DC电路的功耗，并且可以提高电路的性能参数和设计精度，尤其是对于电源电压比较敏感的电路参数。并且可以为DC-DC电路一些需要的模块提供基准电压，从而可以充分利用模块功能，减小功耗。本技术的整体结构都可以集成进DC-DC芯片里，不会占用芯片管脚以及PCB面积。附图说明图1为本技术的结构框图；图2为本技术的预降压电路图。图3为基准电压产生电路结构图。具体实施方式下面结合附图及具体的实施例对本技术进行进一步介绍。实施例：如图1-图2所示，一种适用于DC-DC电路内部供电的线性降压稳压电路，包括预降压电路、基准电压产生电路、误差放大器和输出级电路，预降压电路的输入端与电源信号相连，输出端preVDD与基准电压产生电路和误差放大器的电源端相连，产生的输出信号preVDD为基准产生电路、误差放大器供电，其中，基准电压产生电路采用如图3所示的传统的基准电压产生电路结构图，基准电压产生电路的一输出端Vref1与误差放大器的反相输入端相连，另一基准输出端Vrefn连接到后级DC-DC电路并为其提供基准电压，误差放大器的正相输入端连接到输出级电路的反馈电压端Vfb，误差放大器输出端连接到输出级电路，输出级电路连接到后级DC-DC电路，经过输出级电路找那个功率输出管输出稳定的电压Vout，给后级DC-DC电路模块供电。优选的，上述预降压电路包括增强型NLDMOS管MN0、增强型PLDMOS管MP0、稳压齐纳二极管ZENER0和限流电阻R0，其中，增强型NLDMOS管MN0的漏极连接电源Vin，增强型NLDMOS管MN0的源级连接到输出端preVDD，增强型NLDMOS管MN0的栅极连接到增强型PLDMOS管MP0的源级，增强型PLDMOS管MP0的栅极和漏极相连，增强型PLDMOS管MP0的漏极与稳压齐纳二极管ZENER0的负极相连，稳压齐纳二极管ZENER0的正极接地，限流电阻R0两端分别接电源Vin和增强型PLDMOS管MP0的源极，增强型PLDMOS管MP0栅漏短接与稳压齐纳二极管ZENER0串联，可以防止输入电压过高击穿稳压管，而且导通电压随输入电压变化不是很大，可以很好地给到增强型NLDMOS管MN0的栅极一个电压浮动不大的一个偏置电压VG(n0)。限流电阻R0阻值较大，可以尽可能减小流过稳压齐纳二极管ZENER0的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种适用于DC-DC电路内部供电的线性降压稳压电路，其特征在于：包括预降压电路、基准电压产生电路、误差放大器和输出级电路，预降压电路的输入端与电源信号相连，输出端preVDD与基准电压产生电路和误差放大器的电源端相连，基准电压产生电路的一输出端Vref1与误差放大器的反相输入端相连，另一基准输出端Vrefn连接到后级DC-DC电路并为其提供基准电压，误差放大器的正相输入端连接到输出级电路的反馈电压端Vfb，误差放大器输出端连接到输出级电路，输出级电路连接到后级DC-DC电路。/n
【技术特征摘要】
1.一种适用于DC-DC电路内部供电的线性降压稳压电路，其特征在于：包括预降压电路、基准电压产生电路、误差放大器和输出级电路，预降压电路的输入端与电源信号相连，输出端preVDD与基准电压产生电路和误差放大器的电源端相连，基准电压产生电路的一输出端Vref1与误差放大器的反相输入端相连，另一基准输出端Vrefn连接到后级DC-DC电路并为其提供基准电压，误差放大器的正相输入端连接到输出级电路的反馈电压端Vfb，误差放大器输出端连接到输出级电路，输出级电路连接到后级DC-DC电路。
2.根据权利要求1所述的一种适用于DC-DC电路内部供电的线性降压稳压电路，其特征在于：预降压电路包括增强型NLDMOS管MN0、增强型PLDMOS管MP0、稳压齐纳二极管ZENER0和限流电阻R0，其中，增强型NLDMOS管MN0的漏极连接电源Vin，增强型NLDMOS管MN0的源级连接到输出端preVDD，增强型NLDMOS管MN0的栅极连接到增强型PLDMOS管MP0的源级，增强型PLDMOS管MP0的栅极和漏极相连，增强型PLDMOS管MP0的漏极与稳压齐纳二极管ZENER0的负极相连，...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨盘柱，杨小兵，王展锋，
申请(专利权)人：贵州辰矽电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：贵州;52
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