本申请公开了一种可串联或并联使用的高精度低温漂集成基准电压源，在带隙基准电路的基础上，通过共集放大电路、折叠差分电路、电平移位器组成的三极运算放大器结构，使得在负电压下能够继续使用本带隙基准电压源，同时并联工作模式下也会有较为良好的工作状态；同时增加反馈电阻网络实现在单电路下实现不同实属。本申请解决了传统Brokaw结构不能在并联模式下使用的弊端；同时通过二阶温度补偿结构得到了一个温度系数优异的带隙基准电压。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电路，尤其涉及一种可串联或并联使用的高精度低温漂集成基准电压源。
技术介绍
1、带隙基准源是继运算放大器之后的第二大集成电路器件，其广泛应用于a/d、d/a模块中，同时还应用于锁相环、分频器等模块。带隙基准源的稳定性和精度直接影响着整个系统的性能，所以对基准源的性能要求就比较高，其中便有温度漂移及输出精度的要求。同时随着时代的进步，单一带隙基准电压源通常仅能并联使用，这就限制了带隙基准源的适用范围。
2、目前采用的带隙基准源为传统brokaw结构，该结构通过二阶补偿可以得到较好的温度系数，但该结构仅能用于串联模式下使用，无法满足并联使用的需求。
技术实现思路
1、本申请提供了一种带隙基准电压源，解决了目前采用的带隙基准源为传统brokaw结构，该结构通过二阶补偿可以得到较好的温度系数，但该结构仅能用于串联模式下使用，无法满足并联使用的需求的技术问题。
2、有鉴于此，本申请第一方面提供了一种带隙基准电压源，包括：
3、采样反馈电路、带隙基准电路、共集放大电路、折叠差分电路、电平移位器、偏置子电路以及输出级电路；
4、采样反馈电路与带隙基准电路连接，采样反馈电路用于通过电阻网络得到输出电压；
5、带隙基准电路与共集放大电路连接，带隙基准电路用于获取目标温度系数的基准电压；
6、共集放大电路与折叠差分电路连接，折叠差分电路与电平移位器连接，共集放大电路、折叠差分电路以及电平移位器构成误差放大器；
>7、电平移位器用于对误差放大器及带隙基准电压实现直流偏置。8、可选地，所述采样反馈电路具体包括：
9、第一电阻(r28)，第一电阻(r28)的第一端与trim端口连接，trim端口用于外部对输出电压的调整；第一电阻(r28)的第二端分别与第二电阻(r27)、第三电阻(r26)、第四电阻(r25)、第五电阻(r23)的第一端连接；
10、第二电阻(r27)的第二端与select端口连接，select端口用于对输出电压的选择；
11、第三电阻(r26)的第二端与第五电阻(r23)的第二端连接；
12、第四电阻(r25)的第二端分别与第六电阻(r24)的两端以及第五电阻(r23)的第一端连接；
13、第三电阻(r26)、第四电阻(r25)以及第六电阻(r24)与带隙基准电路的第一npn晶体管(n1)与第二npn晶体管(n2)的基极连接。
14、可选地，所述带隙基准电路具体包括：
15、第七电阻(r1)以及第八电阻(r2)，第七电阻(r1)与第八电阻(r2)的第一端分别与第六电阻(r24)的第一端连接，第七电阻(r1)的第二端与第一npn晶体管(n1)的集电极连接，第八电阻(r2)的第二端与第二npn晶体管(n2)的集电极连接；
16、第一npn晶体管(n1)的基极与第二npn晶体管(n2)的基极连接；
17、第二npn晶体管(n2)的发射极通过第九电阻(r3)连接至第一npn晶体管(n1)的发射极，第一npn晶体管(n1)的发射极与第十电阻(r5)的第一端连接，第十电阻(r5)的第二端与第二十八电阻(r5a)的第一端连接，第二十八电阻(r5a)的第二端连接至gnd端口；
18、第一npn晶体管(n1)的集电极与共集放大电路连接。
19、可选地，所述共集放大电路具体包括：
20、第三npn晶体管(n3)以及第四npn晶体管(n4)的基极分别与第二npn晶体管(n2)与第一npn晶体管(n1)的集电极连接；
21、第三npn晶体管(n3)以及第四npn晶体管(n4)的发射极分别通过第十一电阻(r6)、第十二电阻(r7)连接至第十三电阻(r7a)的第一端；
22、第十三电阻(r7a)的第二端连接至gnd端口；
23、第三npn晶体管(n3)以及第四npn晶体管(n4)的发射极与折叠差分电路连接。
24、可选地，所述折叠差分电路具体包括：
25、第一pnp晶体管(p1)以及第二pnp晶体管(p2)的基极分别与第三npn晶体管(n3)以及第四npn晶体管(n4)的发射极连接；
26、第一pnp晶体管(p1)以及第二pnp晶体管(p2)的发射极通过第十四电阻(r8)连接至vout端；
27、第一pnp晶体管(p1)的集电极连接至十五电阻(r9)的第一端，十五电阻(r9)的第二端连接至第五npn晶体管(n7)的集电极；
28、第二pnp晶体管(p2)的集电极连接至第十六电阻(r10)的第一端，第十六电阻(r10)的第二端连接至npn晶体管(n8)的集电极；
29、第五npn晶体管(n7)的基极与第六npn晶体管(n8)的基极连接，并经过第十七电阻(r11)与第七npn晶体管(n5)的发射极连接，同时经过第十八电阻(r13)连接至gnd端；
30、第五npn晶体管(n7)以及第六npn晶体管(n8)的发射极分别通过第十九电阻(r14)以及第二十电阻(r15)连接至gnd端；
31、第七npn晶体管(n5)的集电极连接至输出级电路，第七npn晶体管(n5)的基极与第一pnp晶体管(p1)的集电极连接。
32、可选地，所述电平移位器具体包括：
33、第九npn晶体管(n9)的基极通过第二十一电阻(r12)连接至第八npn晶体管(n6)的发射极，同时通过第二十九电阻(r16)连接至gnd端；
34、第九npn晶体管(n9)的发射极第三十电阻(r17)连接至gnd端；
35、第九npn晶体管(n9)的集电极分别连接电容(c1)、第三pnp晶体管(p3)的发射极、第四pnp晶体管(p4)的基极以及第八pnp晶体管(p5)的集电极；
36、第四pnp晶体管(p4)的集电极连接至gnd端，第四pnp晶体管(p4)的发射极连接至第五pnp晶体管(p8)以及第十npn晶体管(n10)的基极；
37、第三pnp晶体管(p3)的基极连接至第二十二电阻(r22)，第三pnp晶体管(p3)的集电极连接至gnd端。
38、可选地，所述输出级电路具体包括：
39、第二十二电阻(r22)的第一端分别与第十四电阻(r8)、第八npn晶体管(n6)的集电极、第三pnp晶体管(p3)的基极以及第七npn晶体管(n5)的集电极连接，第二十二电阻(r22)的第二端分别与第十npn晶体管(n10)以及的第五pnp晶体管(p8)的基极连接；
40、第十npn晶体管(n10)以及的第五pnp晶体管(p8)的发射极之间通过第二十三电阻(r29)连接；
41、第十npn晶体管(n10)的集电极与偏置子电路连接。
42、可选地，所述偏置子电路具体包括：
43、第六pnp晶体管(p本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种可串联或并联使用的高精度低温漂集成基准电压源，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的可串联或并联使用的高精度低温漂集成基准电压源，其特征在于，所述采样反馈电路具体包括：
3.根据权利要求2所述的带隙基准电压源，其特征在于，所述带隙基准电路具体包括：
4.根据权利要求3所述的可串联或并联使用的高精度低温漂集成基准电压源，其特征在于，所述共集放大电路具体包括：
5.根据权利要求4所述的可串联或并联使用的高精度低温漂集成基准电压源，其特征在于，所述折叠差分电路具体包括：
6.根据权利要求5所述的可串联或并联使用的高精度低温漂集成基准电压源，其特征在于，所述电平移位器具体包括：
7.根据权利要求6所述可串联或并联使用的高精度低温漂集成基准电压源，其特征在于，所述输出级电路具体包括：
8.根据权利要求7所述可串联或并联使用的高精度低温漂集成基准电压源，其特征在于，所述偏置子电路具体包括：
【技术特征摘要】
1.一种可串联或并联使用的高精度低温漂集成基准电压源，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的可串联或并联使用的高精度低温漂集成基准电压源，其特征在于，所述采样反馈电路具体包括：
3.根据权利要求2所述的带隙基准电压源，其特征在于，所述带隙基准电路具体包括：
4.根据权利要求3所述的可串联或并联使用的高精度低温漂集成基准电压源，其特征在于，所述共集放大电路具体包括：
5.根据权利要求4所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜承钢，闵睿，王成，徐红文，杨润，马奎，杨发顺，
申请(专利权)人：贵州辰矽电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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