本发明专利技术公开了一种MOSFET线性直流稳压的输出电路，包括第一电容、第二电容、电阻、稳压管以及MOSFET管，所述的第一电容连接在电路的输入端和输出端之间，所述的第二电容连接在第一电容与电路的输出端之间，所述的电阻与稳压管串联连接后再与第一电容并联连接，所述的MOSFET管包括栅极、源极和漏极，所述的MOSFET管的栅极与电路的输出端相连接，所述的MOSFET管的源极分别与电阻和稳压管相连接，所述的MOSFET管的漏极与电路的输入端相连接。通过上述方式，本发明专利技术的MOSFET线性直流稳压的输出电路，其具有工作电压范围宽、缩小PCB设计时所占用的面积以及器件更好选型等优点。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电路的
，具体涉及一种MOSFET线性直流稳压的输出电路。
技术介绍
目前，电路中所使用的传统的三极管电子滤波器电路和LM7812稳压芯片，输入电压比较低，当输入电压高于30V，此电路就不能再使用。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种MOSFET线性直流稳压的输出电路，在保持原有的功能下，通过各元器件，实现了宽电压输入，解决了当输入电压高于30V，此电路就不能再使用的问题，其具有工作电压范围宽、缩小PCB设计时所占用的面积以及器件更好选型等优点。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供了一种MOSFET线性直流稳压的输出电路，包括第一电容、第二电容、电阻、稳压管以及MOSFET管，所述的第一电容连接在电路的输入端和输出端之间，所述的第二电容连接在第一电容与电路的输出端之间，所述的电阻与稳压管串联连接后再与第一电容并联连接，所述的MOSFET管包括栅极、源极和漏极，所述的MOSFET管的栅极与电路的输出端相连接，所述的MOSFET管的源极分别与电阻和稳压管相连接，所述的MOSFET管的漏极与电路的输入端相连接。在本专利技术一个较佳实施例中，所述的第一电容和第二电容均采用电解电容。在本专利技术一个较佳实施例中，所述的MOSFET管采用N型MOSFET管，其型号为IRF640，所述的MOSFET管的栅极电压始终高于源极的电压。在本专利技术一个较佳实施例中，所述的电路的输入端的电压范围宽为15-100VDC。在本专利技术一个较佳实施例中，所述的电路的输入端的电压为48VDC。在本专利技术一个较佳实施例中，所述的电路的输出端的电压为12VDC。本专利技术的有益效果是：本专利技术的MOSFET线性直流稳压的输出电路，在保持原有的功能下，通过各元器件，实现了宽电压输入，解决了当输入电压高于30V，此电路就不能再使用的问题，其具有工作电压范围宽、缩小PCB设计时所占用的面积以及器件更好选型等优点。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：图1是本专利技术MOSFET线性直流稳压的输出电路的一较佳实施例的电路图。具体实施方式下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1所示，本专利技术实施例包括：一种MOSFET线性直流稳压的输出电路，包括第一电容C1、第二电容C2、电阻R1、稳压管ZD1以及MOSFET管Q1，所述的第一电容C1连接在电路的输入端和输出端之间，所述的第二电容C2连接在第一电容C1与电路的输出端之间，所述的电阻R1与稳压管ZD1串联连接后再与第一电容C1并联连接，所述的MOSFET管Q1包括栅极G、源极S和漏极D，所述的MOSFET管Q1的栅极G与电路的输出端相连接，所述的MOSFET管Q1的源极S分别与电阻R1和稳压管ZD1相连接，所述的MOSFET管Q1的漏极D与电路的输入端相连接。上述中，所述的电路的输入端的电压范围宽为15-100VDC。本实施例中，所述的电路的输入端的电压为48VDC；所述的电路的输出端的电压为12VDC。其中，所述的第一电容C1和第二电容C2均采用电解电容；所述的MOSFET管Q1采用N型MOSFET管，其型号为IRF640，所述的MOSFET管Q1的栅极电压始终高于源极的电压。具体地，电阻R1为6.8K电阻、稳压管ZD1为15V稳压管、MOSFET管Q1为IRF640、第一电容C1为22Uf/100V电解电容、第一电容C2为47Uf/25V电解电容。电路的输入端输入的是48V直流电经过电阻R1、稳压管ZD1稳压在+15V,MOSFET管Q1的导通特性是当Vgs电压达到+3V以上就开能导通，因N型MOSFET管的栅极（G)电压始终是高于源极（S)的，所以源极S正常稳定输出+12VDC,MOSFET管Q1工作在线性稳压区，此时如果需要增加输出电流需让MOSFET管Q1有足够的散热条件。本专利技术的MOSFET线性直流稳压的输出电路与传统的三极管电子滤波器电路和LM7812稳压芯片技术相比较，其优点是：1.输入电压范围宽:15-100VDC,传统的三极管电子滤波器电路和LM7812稳压芯片电压一般不超过30VDC；2.传统的三极管电子滤波器电路是电流放大型让三极管工作放大区进行稳压，基极需要较大的驱动电流，所以电阻R1的阻值不能取的太大，功率也不能太小，相应电阻R1上功率就增大，设计电路板时就占用PCB的空间就较大，如采用本专利技术的MOSFET线性直流稳压方案是电压驱动型让MOSFET管Q1工作放大区进行稳压，只需供给相应的电压就能稳压，所以电阻R1的阻值可以取大，功率也可取小，设计电路板时相应的体积也缩小了；3.高电压小体积的MOSFET管Q1器件比三极管更好选择。综上所述，本专利技术的MOSFET线性直流稳压的输出电路，在保持原有的功能下，通过各元器件，实现了宽电压输入，解决了当输入电压高于30V，此电路就不能再使用的问题，其具有工作电压范围宽、缩小PCB设计时所占用的面积以及器件更好选型等优点。以上所述仅为本专利技术的实施例，并非因此限制本专利技术的专利范围，凡是利用本专利技术说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的
，均同理包括在本专利技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种MOSFET线性直流稳压的输出电路，其特征在于，包括第一电容、第二电容、电阻、稳压管以及MOSFET管，所述的第一电容连接在电路的输入端和输出端之间，所述的第二电容连接在第一电容与电路的输出端之间，所述的电阻与稳压管串联连接后再与第一电容并联连接，所述的MOSFET管包括栅极、源极和漏极，所述的MOSFET管的栅极与电路的输出端相连接，所述的MOSFET管的源极分别与电阻和稳压管相连接，所述的MOSFET管的漏极与电路的输入端相连接。
【技术特征摘要】
1.一种MOSFET线性直流稳压的输出电路，其特征在于，包括第一电容、第二电容、电阻、稳压管以及MOSFET管，所述的第一电容连接在电路的输入端和输出端之间，所述的第二电容连接在第一电容与电路的输出端之间，所述的电阻与稳压管串联连接后再与第一电容并联连接，所述的MOSFET管包括栅极、源极和漏极，所述的MOSFET管的栅极与电路的输出端相连接，所述的MOSFET管的源极分别与电阻和稳压管相连接，所述的MOSFET管的漏极与电路的输入端相连接。
2.根据权利要求1所述的MOSFET线性直流稳压的输出电路，其特征在于，所述的第一电容和第二电容均采用电解电容。
【专利技术属性】
技术研发人员：李红全，司红磊，李青海，陈强，
申请(专利权)人：江苏峰谷源储能技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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