一种静电消除装置和方法以及电子扫描显微镜制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种静电消除装置，通过接地部件、第一静电传输部件以及第二静电传输部件之间的配合来对晶圆表面的静电电荷残留进行释放，避免由于静电无法释放完全导致影响后续制程的情况产生。其中所述第一静电传输部件设置在所述接地部件上，所述第二静电传输部件设置在所述晶圆表面。本发明专利技术提供的装置的硬件成本与现有技术比较相对较低，且操作方法简单。本发明专利技术还提出一种电子扫描显微镜，可在电子扫描显微镜上安装可移动的导电pin针，在电子扫描显微镜量测结束后，通过导电pin针接触晶圆的方式将晶圆上残留的静电电荷导出。且不改变晶圆原有的制程，也无需另设机台。本发明专利技术还提出一种静电消除方法，利用所述装置。

An electrostatic elimination device and method and an electron scanning microscope

【技术实现步骤摘要】
一种静电消除装置和方法以及电子扫描显微镜
本专利技术涉及晶圆制造领域，尤其是涉及一种静电消除装置和方法以及电子扫描显微镜。
技术介绍
随着半导体技术的发展，对于晶圆制程中缺陷的管控也越来越严格，然而传统的光学缺陷检测已不能满足晶圆制程中的缺陷的检测工作。电子扫描显微镜由于其具有分辨率高，图像立体，此外还可以进行成分分析及发现电学缺陷等优点而成为晶圆制程中缺陷分析的重要工具。电子扫描显微镜的原理是利用电子枪1发射电子，电子打在物体表面和表面原子的轨道电子或原子核相互作用形成二次电子和背散射电子，最后探测器2通过收集二次电子或背散射电子模拟形成图像。如图1所示，由于电子扫描显微镜利用电子束扫描成像，晶圆3在经过电子扫描显微镜的扫描后会有一些电荷残留，对于晶圆上导电性能不好的层(layer)，如65NORSPA1ASIlayer，其晶背有ONO(Oxide-Nitride-Oxide)结构会导致电子难以释放，对后面的制程造成影响，从而造成晶圆缺陷的产生。现有技术中针对会对后续制程造成缺陷的影响，只能选择关闭站点，在后道制程进行监控，但在实际监本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电消除装置，用于消除晶圆表面的静电电荷，其特征在于，包括接地部件、第一静电传输部件以及第二静电传输部件；/n所述第一静电传输部件设置在所述接地部件上，所述第二静电传输部件设置在所述晶圆表面；/n当所述第一静电传输部件与所述第二静电传输部件接触时，所述晶圆表面的静电电荷依次通过所述第二静电传输部件、所述第一静电传输部件、所述接地部件，所述接地部件接地以将所述晶圆表面的静电电荷导出。/n

【技术特征摘要】
1.一种静电消除装置，用于消除晶圆表面的静电电荷，其特征在于，包括接地部件、第一静电传输部件以及第二静电传输部件；
所述第一静电传输部件设置在所述接地部件上，所述第二静电传输部件设置在所述晶圆表面；
当所述第一静电传输部件与所述第二静电传输部件接触时，所述晶圆表面的静电电荷依次通过所述第二静电传输部件、所述第一静电传输部件、所述接地部件，所述接地部件接地以将所述晶圆表面的静电电荷导出。


2.如权利要求1所述的一种静电消除装置，其特征在于，所述第一静电传输部件包括导电pin针，当所述导电pin针与所述第二静电传输部件接触时，所述晶圆表面的静电电荷依次通过所述第二静电传输部件和所述导电pin针传入所述接地部件。


3.如权利要求2所述的一种静电消除装置，其特征在于，所述导电pin针的数量为多个。


4.如权利要求2所述的一种静电消除装置，其特征在于，所述第二静电传输部件包括导电衬垫，当所述导电pin针与所述导电衬垫接触时，所述晶圆表面的静电电荷依次通过所述导电衬垫、所述导电pin针、所述接地部件。


5.如权利要求4所述的一种静电消除装置，其特征在于，所述导电衬垫设置在所述晶圆的切割线内。


6.如权利要求4所述的一种静电消除装置，其特征在于，所述导电衬垫的数量为多个，所述导电衬垫间隔设置在所述晶圆上。
...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪金凤，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31