半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

提供半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；有源栅极结构，位于第一区域中的基底上；虚设栅极结构，位于第二区域中的基底上；源极/漏极，在有源栅极结构的相对侧中的每个处位于第一区域中的基底上；多个第一导电接触件，分别连接到有源栅极结构和源极/漏极；电阻结构，位于第二区域中的虚设栅极结构上；多个第二导电接触件，分别连接到所述多个第一导电接触件和电阻结构；蚀刻停止层，位于虚设栅极结构与电阻结构之间。蚀刻停止层包括由不同的材料形成的下蚀刻停止层和上蚀刻停止层。

Semiconductor device and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法本申请要求于2018年7月20日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0084763号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
专利技术构思涉及半导体装置及其制造方法，更具体地，涉及包括电阻元件的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
半导体装置的尺寸正变得越来越小，以实现高容量和高集成的半导体装置。为了增加每单位面积的半导体装置的集成度，减小了半导体装置的尺寸和半导体装置之间的距离，从而增加了半导体装置的密度。通常，半导体装置可以被构造为包括有源元件和无源元件。作为无源元件中的一种的电阻元件可以用于操作集成电路，并且可以由金属材料形成。
技术实现思路
专利技术构思提供了一种能够改善电特性并简化制造工艺以降低工艺难度且包括电阻元件的半导体装置。专利技术构思还提供了一种制造能够改善电特性并简化制造工艺以降低工艺难度且包括电阻元件的半导体装置的方法。专利技术构思的其它方面不限于此，并且本领域技术人员将通过下面的描述清楚地理解专利技术构思的其它方面。根据本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：/n基底，包括第一区域和第二区域；/n有源栅极结构，位于第一区域中的基底上；/n虚设栅极结构，位于第二区域中的基底上；/n源极/漏极，在有源栅极结构的相对侧中的每个处位于第一区域中的基底上；/n多个第一导电接触件，分别连接到有源栅极结构和源极/漏极；/n电阻结构，位于第二区域中的虚设栅极结构上；/n多个第二导电接触件，分别连接到所述多个第一导电接触件和电阻结构；/n蚀刻停止层，位于虚设栅极结构与电阻结构之间，蚀刻停止层包括下蚀刻停止层和上蚀刻停止层，下蚀刻停止层的材料与上蚀刻停止层的材料不同。/n

【技术特征摘要】
20180720 KR 10-2018-00847631.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
基底，包括第一区域和第二区域；
有源栅极结构，位于第一区域中的基底上；
虚设栅极结构，位于第二区域中的基底上；
源极/漏极，在有源栅极结构的相对侧中的每个处位于第一区域中的基底上；
多个第一导电接触件，分别连接到有源栅极结构和源极/漏极；
电阻结构，位于第二区域中的虚设栅极结构上；
多个第二导电接触件，分别连接到所述多个第一导电接触件和电阻结构；
蚀刻停止层，位于虚设栅极结构与电阻结构之间，蚀刻停止层包括下蚀刻停止层和上蚀刻停止层，下蚀刻停止层的材料与上蚀刻停止层的材料不同。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
下蚀刻停止层的材料相对于所述多个第一导电接触件的材料具有湿蚀刻选择性，并且
上蚀刻停止层的材料相对于下蚀刻停止层的材料具有干蚀刻选择性。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
接触蚀刻停止层的所述多个第二导电接触件包括具有凸起部分和锥形部分的侧壁，
下蚀刻停止层接触所述多个第二导电接触件的侧壁的凸起部分，并且
上蚀刻停止层接触所述多个第二导电接触件的侧壁的锥形部分。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，蚀刻停止层还包括位于下蚀刻停止层与上蚀刻停止层之间的钝化层。


5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
下蚀刻停止层包括金属氮化物，
钝化层包括氧化硅，并且
上蚀刻停止层包括氮化硅。


6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述多个第一导电接触件的顶表面与有源栅极结构的顶表面位于相同的水平处，并且
电阻结构的底表面处于比所述多个第一导电接触件的顶表面的水平高的水平处。


7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
电阻结构包括绝缘图案和电阻元件图案，并且
电阻元件图案位于绝缘图案上。


8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，
下蚀刻停止层的底表面接触虚设栅极结构的顶表面，并且
上蚀刻停止层的顶表面接触绝缘图案的底表面。


9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，位于所述多个第一导电接触件上的所述多个第二导电接触件的底表面与位于电阻结构上的所述多个第二导电接触件的底表面位于不同的水平处。


10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，位于所述多个第一导电接触件上的所述多个第二导电接触件的底表面与电阻结构上的所述多个第二导电接触件的底表面位于相同的水平处。


11.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
鳍区域，从基底突出；
栅极结构，与鳍区域交叉，栅极结构覆盖鳍区域的顶表面和相对的侧壁；
源极/漏极，在鳍区域中位于栅极结构的相对侧中的每个处；
源极/漏极接触件，连接到源极/漏极；
栅极接触件，连接到栅极结构；
蚀刻停止层，位于栅极结构上，蚀刻停止层包括顺序地堆叠在彼此之上的下蚀刻停止层、钝化层和上蚀刻停止层；
电阻结构，位于蚀刻停止层上；
多个合并接触件，分别连接到源极/漏极接触件或栅极接触件；以及
电阻接触件，连接到电阻结构。


12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述多个合并接触件穿过蚀刻停止层。


13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，
接触蚀刻停止层的所述多个合并接触件包括具有凸起部分和锥形部分的侧壁，
下蚀刻停止层接触所述多个合并接触件的侧壁的凸起部分，并且
上蚀刻停止层接触所述多个合并接触件的侧壁的锥形部分。


14.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，
电阻结构包括绝缘图案和电阻元件图案，
绝缘图案位于蚀刻停止层上，并且
绝缘图案的侧壁和电阻元件图案的侧壁位于同一平面上。


15.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，
源极/漏极接触件的顶表面、栅极接触件的顶表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪瑟气，全辉璨，金贤洙，安大哲，梁明，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR