半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供在安装到外部基板时能够抑制电连接不良的产生的半导体装置。半导体装置具有：半导体基板；多个第一双极晶体管，设置于半导体基板的第一主面侧，在与第一主面垂直的方向上，在发射层与发射极之间具有第一高度；至少一个以上的第二双极晶体管，设置于半导体基板的第一主面侧，在与第一主面垂直的方向上，在发射层与发射极之间具有比第一高度高的第二高度；以及第一凸块，遍布多个第一双极晶体管和至少一个以上的第二双极晶体管而配置。

Semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
在专利文献1记载有在同一半导体基板上设置有第一双极晶体管和第二双极晶体管的半导体装置。构成第一双极晶体管的多个单位晶体管不具有发射极镇流电阻层。构成第二双极晶体管的多个单位晶体管具有发射极镇流电阻层。专利文献1：日本特开2017－220584号公报在专利文献1的半导体装置中，半导体基板的背面与第一双极晶体管的发射极布线(发射极的上表面)之间的高度不同于半导体基板的背面与第二双极晶体管的发射极布线(发射极的上表面)之间的高度。因此，在第一双极晶体管以及第二双极晶体管分别设置凸块，并经由凸块将半导体装置安装到模块基板的情况下，存在产生连接不良的可能性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供在安装到外部基板时能够抑制电连接不良的产生的半导体装置。本专利技术的一方面的半导体装置具有：半导体基板；多个第一双极晶体管，设置于上述半导体基板的第一主面侧，在与上述第一主面垂直的方向上，在发射层与发射极之间具有第一高度；至少一个以上的第二双极晶体管，设置于上述半导体基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，具有：/n半导体基板；/n多个第一双极晶体管，它们设置于上述半导体基板的第一主面侧，且在与上述第一主面垂直的方向上在发射层与发射极之间具有第一高度；/n至少一个以上的第二双极晶体管，设置于上述半导体基板的上述第一主面侧，且在与上述第一主面垂直的方向上在发射层与发射极之间具有比上述第一高度高的第二高度；以及/n第一凸块，遍布多个上述第一双极晶体管和至少一个以上的上述第二双极晶体管而配置。/n

【技术特征摘要】
20180719 JP 2018-1360421.一种半导体装置，具有：
半导体基板；
多个第一双极晶体管，它们设置于上述半导体基板的第一主面侧，且在与上述第一主面垂直的方向上在发射层与发射极之间具有第一高度；
至少一个以上的第二双极晶体管，设置于上述半导体基板的上述第一主面侧，且在与上述第一主面垂直的方向上在发射层与发射极之间具有比上述第一高度高的第二高度；以及
第一凸块，遍布多个上述第一双极晶体管和至少一个以上的上述第二双极晶体管而配置。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，具有：
多个第三双极晶体管，设置于上述半导体基板的上述第一主面侧，且在与上述第一主面垂直的方向上在发射层与发射极之间具有上述第二高度；以及
第二凸块，遍布多个上述第三双极晶体管而配置。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
在与上述半导体基板的上述第一主面平行的方向上，上述第一双极晶体管配置于上述第二双极晶体管与上述第三双极晶体管之间。


4.根据权利要求2或者3所述的半导体装置，其中，
上述第三双极晶体管是异质结双极晶体管。


5.根据权利要求2～4的任一项所述的半导体装置，其中，
上述第二凸块是柱凸块。


6.根据权利要求2～5的任一项所述的半导体装置，其中，
上述第三双极晶体管在上述发射层与上述发射极之间具有电阻层。


7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
上述第三双极晶体管的上述电阻层以AlGaAs为主要成分。


8.根据权利要求2～7的任一项所述的半导体装置，其中，
多个上述第一双极晶体管的基极分别与共用的第一基极布线电连接，多个上述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：大部功，小屋茂树，梅本康成，筒井孝幸，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP