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提供半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；有源栅极结构，位于第一区域中的基底上；虚设栅极结构，位于第二区域中的基底上；源极/漏极，在有源栅极结构的相对侧中的每个处位于第一区域中的基底上；多个第一导电接触件...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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