【技术实现步骤摘要】
闪存控制器以及用来存取闪存模块的方法
本专利技术是关于闪存的存取控制，尤指一种用来进行闪存模块的存取管理的方法、相关的闪存控制器以及电子装置。
技术介绍
近年来由于存储器的技术不断地发展，各种可携式或非可携式记忆装置(例如：分别符合SD/MMC、CF、MS、XD及UFS标准的记忆卡；又例如：固态硬盘(solidstatedrive,SSD)；又例如：分别符合UFS及EMMC规格的嵌入式(embedded)记忆装置)被广泛地实施于诸多应用中。因此，这些记忆装置中的存储器的存取控制遂成为相当热门的议题。以常用的NAND型闪存而言，其主要可包括单阶细胞(singlelevelcell,SLC)与多阶细胞(multiplelevelcell,MLC)两大类的闪存。单阶细胞闪存中的每个被当作记忆细胞(memorycell)的晶体管只有两种电荷值，分别用来表示逻辑值0与逻辑值1。另外，多阶细胞闪存中的每个被当作记忆细胞的晶体管的存储能力则被充分利用，是采用较高的电压来驱动，以通过不同级别的电压在一个晶体管中记录至少两位的信息(诸...
【技术保护点】
1.一种闪存控制器，其中所述闪存控制器耦接至一闪存模块，所述闪存模块包括至少一闪存芯片，每一闪存芯片包括多个区块，每一区块包括多个页面，所述闪存控制器的特征在于，包括：/n一存储器，用来存储一程序代码；以及/n一微处理器，用来执行所述程序代码以通过一控制逻辑电路来存取所述闪存模块；/n其中在所述微处理器发送一读取指令至所述闪存模块以请求至少一记忆单元上的数据以后，所述控制逻辑电路自所述闪存模块接收所述至少一记忆单元的多个记忆细胞的多位信息，以及所述控制逻辑电路分析所述多个记忆细胞的所述多位信息以取得所述多个记忆细胞的一临界电压分布以供决定一解码程序。/n
【技术特征摘要】
20180719 US 62/700,345;20190708 US 16/505,7011.一种闪存控制器，其中所述闪存控制器耦接至一闪存模块，所述闪存模块包括至少一闪存芯片，每一闪存芯片包括多个区块，每一区块包括多个页面，所述闪存控制器的特征在于，包括：
一存储器，用来存储一程序代码；以及
一微处理器，用来执行所述程序代码以通过一控制逻辑电路来存取所述闪存模块；
其中在所述微处理器发送一读取指令至所述闪存模块以请求至少一记忆单元上的数据以后，所述控制逻辑电路自所述闪存模块接收所述至少一记忆单元的多个记忆细胞的多位信息，以及所述控制逻辑电路分析所述多个记忆细胞的所述多位信息以取得所述多个记忆细胞的一临界电压分布以供决定一解码程序。
2.如权利要求1所述的闪存控制器，其特征在于，所述控制逻辑电路依据所述临界电压分布的多个谷值高度来决定所述控制逻辑电路中的一解码器采用的一解码方法。
3.如权利要求2所述的闪存控制器，其特征在于，所述控制逻辑电路判断所述临界电压分布的所述多个谷值高度的任一者是否大于一临界值以产生一判断结果；若所述判断结果指出所述临界电压分布中没有任何谷值高度大于所述临界值，所述解码器使用一第一解码方法来解码自所述闪存模块接收的数据；以及若所述判断结果指出所述临界电压分布的所述多个谷值高度的任一者大于所述临界值，所述解码器使用一第二解码方法来解码自所述闪存模块接收的所述数据。
4.如权利要求3所述的闪存控制器，其特征在于，所述第一解码方法是一硬解码方法，以及所述第二解码方法是一软解码方法。
5.如权利要求4所述的闪存控制器，其特征在于，当所述解码器使用所述第二解码方法来解码自所述闪存模块接收的所述数据时，所述控制逻辑电路依据所述临界电压分布来更新所述解码器使用的多个对数似然比值或一对数似然比表。
6.如权利要求1所述的闪存控制器，其特征在于，所述至少一记忆单元的每一记忆细胞是用来存储多个位，每一记忆细胞具有多个状态，所述多个状态是用来指出所述多个位的不同组合，每一状态是区分为多个子状态，以及每一记忆细胞的所述多位信息是用来指出所述记忆细胞具有哪一个子状态。
7.如权利要求1所述的闪存控制器，其特征在于，所述控制逻辑电路依据所述临界电压分布来更新所述控制电路中的一解码器使用的多个对数似然比值及/或一对数似然比表。
8.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨宗杰，
申请(专利权)人：慧荣科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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