【技术实现步骤摘要】
一种高效碳化硅晶片制备方法
本专利技术涉及一种高效碳化硅晶片制备方法,具体为一种高效碳化硅晶片制备方法,属于高效碳化硅晶片制备应用
技术介绍
碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性,在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。国内独家碳化硅单晶供应商,在研发、技术、市场开发及商业运作等方面处绝对领先地位,已成功掌握76mm(3英寸)超大宝石级SiC2晶体生长核心技术工艺,达到国际2001年先进水平。现有碳化硅晶片在制备过程中存在很多问题,如现有碳化硅晶片在制造过程中,碳化硅晶片制备效率较低,同时制备碳化硅晶片的质量较差,同时碳化硅晶片的制备产量较低,影响使用。因此,针对上述问题提出一种高效碳化硅晶片制备方法。
技术实现思路
本专利技术的专利技术目的就在于为了解决上述问题而提供一种高效碳化硅晶片制备方法。本专利技术通过以下 ...
【技术保护点】
1.一种高效碳化硅晶片制备方法,其特征在于:所述制备方法包括如下步骤:/n(1)原料混合,将碳和二氧化硅作为原料按照一定的比例配料,然后加入合适比例的催化剂进行混合,充分搅拌均匀;/n(2)高温加热,将步骤(1)中混合均匀的混合料进行高温加热,操作结束后制备粗碳化硅晶片;/n(3)过滤除杂,将步骤(2)中原料进行过滤除杂,得到碳化硅晶片,备用;/n(4)研磨,将步骤(3)中的碳化硅晶片进行研磨,备用;/n(5)抛光提高质量,将步骤(4)中碳化硅晶片进行抛光,得到高质量碳化硅晶片。/n
【技术特征摘要】
1.一种高效碳化硅晶片制备方法,其特征在于:所述制备方法包括如下步骤:
(1)原料混合,将碳和二氧化硅作为原料按照一定的比例配料,然后加入合适比例的催化剂进行混合,充分搅拌均匀;
(2)高温加热,将步骤(1)中混合均匀的混合料进行高温加热,操作结束后制备粗碳化硅晶片;
(3)过滤除杂,将步骤(2)中原料进行过滤除杂,得到碳化硅晶片,备用;
(4)研磨,将步骤(3)中的碳化硅晶片进行研磨,备用;
(5)抛光提高质量,将步骤(4)中碳化硅晶片进行抛光,得到高质量碳化硅晶片。
2.根据权利要求1所述的一种高效碳化硅晶片制备方法,其特征在于:所述步骤(1)碳和二氧化硅通过工作者挑选无其他杂质,然后定量称取后备用。
3.根据权利要求1所述的一种高效碳化硅晶片制备方法,其特征在于:所述步骤(1)通过电子秤对碳和二氧化硅进行称量,节省称量时间。
4.根据权利要求1所述的一种高效碳化硅晶片制备方法,其特征在于:所述步骤(1)通过搅拌设备进行充分均匀搅拌,搅拌时间在30min。
<...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈炳寺,戴磊,
申请(专利权)人:江苏晶杰光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。