一种切割保护结构制造技术

一种切割保护结构，主要为有机水溶性保护层，其中有机水溶性保护层由主溶剂、第一辅助溶剂、第二辅助溶剂、稳定分散剂及起始作用剂所组成，其中主溶剂所占的重量百分比为10％‑80％、第一辅助溶剂所占的重量百分比为5％‑50％、第二辅助溶剂所占的重量百分比为5％‑50％、稳定分散剂所占的重量百分比为0.5％‑25％及起始作用剂所占的重量百分比为1％‑10％，藉由设置在基体上的有水溶性保护层，可以防止在对基体进行切割过程中，所产生的粉末对基体的污染。

A cutting protection structure

【技术实现步骤摘要】
一种切割保护结构
本专利技术是涉及切割领域，特别是有关于保护切割基体的

技术介绍
在切割
，基体在切割过程中产生的切割杂质粉末将直接附着在基体表面，对基体造成污染。虽可在后续的清洗工艺中将基体表面的切割粉末等杂质去除，但为确保基体表面的杂质完全清除，需采用毛刷或高压冲洗等工艺。运用毛刷或高压冲洗工艺对基体进行清洗时，基体表面的杂质将与基体产生一定摩擦或撞击，这将一定程度上增加基体表面产生划痕或受损机率。在高精密行业，如半导体，精密电子和精密机械等领域对切割基体的要求非常高，微小的划痕或受损都将造成所制备器件的报废。部分领域为保护基体在切割过程中不伤杂质粉尘的污染，在基体表面涂覆一层有机光阻保护层。当基体切割完成后再将基体通过有机剥膜液去除其表面的光阻保护层，而有机剥膜液一般含有机胺类，醇类等有害物质。采用有机剥膜液将不利于生产环境保护及企业生产成本控制，此外还有潜在损害切割基体的风险。另一方面，基体在切割过程中将产生热量，这部分热量可以是机械摩擦或是基体本身吸收而产生。切割过程中的热量将使切割基体材料的温度升高。对于热稳本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切割保护结构，由有机水溶性保护层所构成，其特征在于，所述有机水溶性保护层由主溶剂、第一辅助溶剂、第二辅助溶剂、稳定分散剂及起始作用剂所组成，其中所述主溶剂所占的重量百分比为10％-80％、所述第一辅助溶剂所占的重量百分比为5％-50％、所述第二辅助溶剂所占的重量百分比为5％-50％、所述稳定分散剂所占的重量百分比为0.5％-25％及所述起始作用剂所占的重量百分比为1％-10％。/n

【技术特征摘要】
1.一种切割保护结构，由有机水溶性保护层所构成，其特征在于，所述有机水溶性保护层由主溶剂、第一辅助溶剂、第二辅助溶剂、稳定分散剂及起始作用剂所组成，其中所述主溶剂所占的重量百分比为10％-80％、所述第一辅助溶剂所占的重量百分比为5％-50％、所述第二辅助溶剂所占的重量百分比为5％-50％、所述稳定分散剂所占的重量百分比为0.5％-25％及所述起始作用剂所占的重量百分比为1％-10％。


2.如权利要求1所述的切割保护结构，其特征在于，所述主溶剂为纯水或是去离子水。


3.如权利要求1所述的切割保护结构，其特征在于，所述第一辅助溶剂为含有methoxypropanol衍生物，所述methoxypropanol衍生物选自如下化合物:


4.如权利要求1所述的切割保护结构，其特征在于，所述第二辅助溶剂为含有methoxypropanolacetate衍生物，所述methoxypropanolacetate衍生物...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳攀，田杰，
申请(专利权)人：上海自旭光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31