一种切割保护结构制造技术

一种切割保护结构，主要为有机水溶性保护层，其中有机水溶性保护层由主溶剂、第一辅助溶剂、第二辅助溶剂、稳定分散剂及起始作用剂所组成，其中主溶剂所占的重量百分比为10％‑80％、第一辅助溶剂所占的重量百分比为5％‑50％、第二辅助溶剂所占的重量百分比为5％‑50％、稳定分散剂所占的重量百分比为0.5％‑25％及起始作用剂所占的重量百分比为1％‑10％，藉由设置在基体上的有水溶性保护层，可以防止在对基体进行切割过程中，所产生的粉末对基体的污染。

A cutting protection structure

【技术实现步骤摘要】
一种切割保护结构
本专利技术是涉及切割领域，特别是有关于保护切割基体的

技术介绍
在切割
，基体在切割过程中产生的切割杂质粉末将直接附着在基体表面，对基体造成污染。虽可在后续的清洗工艺中将基体表面的切割粉末等杂质去除，但为确保基体表面的杂质完全清除，需采用毛刷或高压冲洗等工艺。运用毛刷或高压冲洗工艺对基体进行清洗时，基体表面的杂质将与基体产生一定摩擦或撞击，这将一定程度上增加基体表面产生划痕或受损机率。在高精密行业，如半导体，精密电子和精密机械等领域对切割基体的要求非常高，微小的划痕或受损都将造成所制备器件的报废。部分领域为保护基体在切割过程中不伤杂质粉尘的污染，在基体表面涂覆一层有机光阻保护层。当基体切割完成后再将基体通过有机剥膜液去除其表面的光阻保护层，而有机剥膜液一般含有机胺类，醇类等有害物质。采用有机剥膜液将不利于生产环境保护及企业生产成本控制，此外还有潜在损害切割基体的风险。另一方面，基体在切割过程中将产生热量，这部分热量可以是机械摩擦或是基体本身吸收而产生。切割过程中的热量将使切割基体材料的温度升高。对于热稳定较差的切割基体材料，当切割温度较高时将导致基体材料受损变质。现有技术为防止切割时温度过高，常采用在切割部位喷洒冷却液的方法。但此方法具有很大的局限性，冷却液对于高精尖等加工领域的基体切割很容易对切割基体造成严重的污染与损伤，所以并不能完全解决切割过程中温度过高的问题。
技术实现思路
根据现有技术的缺陷，本专利技术的主要目的在于，在现有的基体的表面设置有机水溶性保护层，通过此有水溶性保护层可防止在对基体进行切割过程中，所产生的粉末对基体的污染。本专利技术的又一目的在于，通过设置在基体的表面上的有机水溶性保护层可以吸收在对基体进行切割或是其他加工制程时所产生的热量，以降低对基体进行切割或是加工时的温度，而增加基体材料的稳定性及可靠性。本专利技术的另一目的在于，将设置在基体表面的有机水溶性保护层在切割完成之后进行清洗。由于有机水溶性保护层具有极易溶于水的特性，在基体完成切割制程后，于基体表面的有机水溶性保护层可直接通过水洗的方法去除，可以节省生产者的成本之外，利用水溶液的另一优点在于可以取代对环境有害的含有机胺类，醇类等有害物质来做为有机剥膜液，而保护生态环境。根据上述目的，本专利技术提供一种切割保护结构，包括切割基体和设置在切割基体的表面上的有机水溶性保护层，其特征在于有机水溶性保护层由主溶剂、第一辅助溶剂、第二辅助溶剂、稳定分散剂及起始作用剂所组成，其中主溶剂所占的重量百分比为10％-80％、第一辅助溶剂所占的重量百分比为5％-50％、第二辅助溶剂所占的重量百分比为5％-50％、稳定分散剂所占的重量百分比为0.5％-25％及起始作用剂所占的重量百分比为1％-10％，藉由设置在基体上的有水溶性保护层，可以防止在对基体进行切割过程中，所产生的粉末对基体的污染。附图说明图1A为根据本专利技术所揭露的技术，表示在基体的表面上设置有有机水溶性保护层的一实施例的截面示意图。图1B为根据本专利技术所揭露的技术，表示在基体的上表面及下表面上分别设置有有机水溶性保护层的另一实施例的截面示意图。图2A至图2C为根据本专利技术所揭露的技术，表示在基体上执行非闭合切割分裂工艺的步骤示意图。图3A至图3C为根据本专利技术所揭露的技术，表示在基体上执行闭合切割穿孔工艺的步骤示意图。图4为根据本专利技术所揭露的技术，表示具有切割保护结构的基体进行加工制程的步骤流程图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术特征及优点，能更为相关
人员所了解，并得以实施本专利技术，在此配合所附的图式、具体阐明本专利技术的技术特征与实施方式，并列举较佳实施例进一步说明。以下文中所对照的图式，为表达与本专利技术特征有关的示意，并未亦不需要依据实际情形完整绘制。而关于本案实施方式的说明中涉及本领域技术人员所熟知的
技术实现思路
，亦不再加以陈述。首先，请同时参考图1A及图1B。图1A及图1B分别表示切割保护结构不同实施例的截面示意图。在图1A中，切割保护结构由有机水溶性保护层20所构成。在本专利技术的实施例中，在基体10的表面上设置做为切割保护结构的有机水溶性保护层20，此有机水溶性保护层20的目的在于，在基体10的切割过程中，防止切割后所产生的杂质粉末对基体10造成污染，实现对基体10的保护作用，此外有机水溶性保护层20能吸收基体10在切割过程中所产生的热量，用以解决现有技术中，由于切割道(未在图中表示)附近的基体10的温度过高，而造成基体材料受损变质的问题，藉此可以增加基体10的材料稳定性及可靠性。在本实施例中，有机水溶性保护层20可以设置在基体10的任一表面上，如图1A所示，有机水溶性保护层20在基体10的上表面，亦可设置在基体10的下表面，于本专利技术的另一实施例，如图1B所示，在基体10的上表面及下表面各设置有有机水溶性保护层20、22，使得有机水溶性保护层20、22对基体10起到两层防尘保护及降温冷却作用。另外，在本专利技术中，有机水溶性保护层20的材料是由主溶剂、第一辅助溶剂、第二辅助溶剂、稳定分散剂及起始作用剂所组成，其中主溶剂用来溶解第一辅助溶剂、第二辅助溶剂、稳定分散剂及起始作用剂的载体，第一辅助溶剂的目的在于清洁基体表面杂质、第二辅助溶剂的目的在于降低有机水溶性保护层混合液体的黏度、稳定分散剂的目的在于具有分散和凝聚的作用以及起始作用剂是为了促进各个成份溶解及反应。在本专利技术中，有机水溶性保护层的合成步骤简述如下:首先将重量百分比为10％-80％的主溶剂、重量百分比为5％-50％的第一辅助溶剂及重量百分比为5％-50％的第二辅助溶剂、重量百分比为0.5％-25％的稳定分散剂及重量百分比为1％-10％的起始作用剂分别依序加入反应瓶中进行混合并反应。接着，于盛装有上述混合溶液的反应瓶中插入冷凝管及温度计并同时进行搅拌及使其混合溶剂持续反应。接下来，对盛装有混合溶液的反应瓶进行升温，其温度提高至30℃-50℃，并持续搅拌0.5小时-2小时，使得混合溶液充分反应。最后，待反应结束之后，对盛装有混合溶液的反应瓶进行降温，直至温度达到室温之后即可以获得有机水溶性保护层混合液。而该有机水溶性保护层20具有一定的黏度，其黏度范围为1-3000cps，使得该有机水溶性保护层20可以利用网印、旋涂或是喷涂来形成在基体10的上表面及/或下表面上，且其形成的厚度范围为5nm-5mm。在本专利技术的实施例中，主溶剂为纯水或是去离子水。第一辅助溶剂为含有methoxypropanol衍生物，其可以是下列化合物:或是第二辅助溶剂为含有methoxypropanolacetate衍生物，其可以是下列化合物:分散剂是由聚四氢吡喃衍生物和聚乙烯衍生物所组成，其可以是下列化合物:或是起始作用剂为苯乙烯酸衍生物，其可以是下列化合物:或是在本专利技术的实施例中，设置在基体10的上表面及/或下表面的有机水溶性保护层20、22可以依据上述所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切割保护结构，由有机水溶性保护层所构成，其特征在于，所述有机水溶性保护层由主溶剂、第一辅助溶剂、第二辅助溶剂、稳定分散剂及起始作用剂所组成，其中所述主溶剂所占的重量百分比为10％-80％、所述第一辅助溶剂所占的重量百分比为5％-50％、所述第二辅助溶剂所占的重量百分比为5％-50％、所述稳定分散剂所占的重量百分比为0.5％-25％及所述起始作用剂所占的重量百分比为1％-10％。/n

【技术特征摘要】
1.一种切割保护结构，由有机水溶性保护层所构成，其特征在于，所述有机水溶性保护层由主溶剂、第一辅助溶剂、第二辅助溶剂、稳定分散剂及起始作用剂所组成，其中所述主溶剂所占的重量百分比为10％-80％、所述第一辅助溶剂所占的重量百分比为5％-50％、所述第二辅助溶剂所占的重量百分比为5％-50％、所述稳定分散剂所占的重量百分比为0.5％-25％及所述起始作用剂所占的重量百分比为1％-10％。


2.如权利要求1所述的切割保护结构，其特征在于，所述主溶剂为纯水或是去离子水。


3.如权利要求1所述的切割保护结构，其特征在于，所述第一辅助溶剂为含有methoxypropanol衍生物，所述methoxypropanol衍生物选自如下化合物:


4.如权利要求1所述的切割保护结构，其特征在于，所述第二辅助溶剂为含有methoxypropanolacetate衍生物，所述methoxypropanolacetate衍生物...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳攀，田杰，
申请(专利权)人：上海自旭光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31