【技术实现步骤摘要】
一种抛光垫修整设备和方法
本专利技术涉及晶圆抛光领域，具体涉及一种抛光垫修整设备和方法。
技术介绍
硅片在抛光过程中，通过与抛光垫表面接触来机械磨损硅片表面，从而提高硅片的平整度。在精抛过程中，抛光垫表面的形貌对硅片表面平坦度有重要影响，通常不规则硅片表面的形貌为凸起或者凹下，若抛光垫中央凸起，则研磨后硅片正面面会呈凹字形；若抛光垫边缘凸起，则硅片正面同样呈现凸形。目前使用1个抛光垫曲线修整抛光垫，首先对特定区域修整较难，不能根据实际情况分区域修整，同时修整效率慢，修整时间过长，若抛光垫表面不规则，单个修整器需要花费长时间来修整抛光垫，且修整参数设置繁琐，工艺复杂，修整效果不好。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种抛光垫修整设备和方法，用以解决现有抛光垫修整器不易对特定区域修整，不能分区域修整，修整效率慢，工艺复杂，修整效果不好的问题。为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：根据本专利技术第一方面实施例的抛光垫修整设备，包括：第一修整器，所述第一修整器上形成有用于修...
【技术保护点】
1.一种抛光垫修整设备，其特征在于，包括：/n第一修整器，所述第一修整器上形成有用于修整抛光垫的第一修整面；/n第二修整器，所述第二修整器上形成有用于修整抛光垫的第二修整面，所述第一修整面的面积和第二修整面的面积不同。/n
【技术特征摘要】
1.一种抛光垫修整设备，其特征在于，包括：
第一修整器，所述第一修整器上形成有用于修整抛光垫的第一修整面；
第二修整器，所述第二修整器上形成有用于修整抛光垫的第二修整面，所述第一修整面的面积和第二修整面的面积不同。
2.根据权利要求1所述的抛光垫修整设备，其特征在于，还包括：
控制结构，用于控制所述第一修整器和所述第二修整器单独或同时修整所述抛光垫。
3.根据权利要求2所述的抛光垫修整设备，其特征在于，所述控制结构用于控制所述第一修整器和/或所述第二修整器修整所述抛光垫时振动。
4.根据权利要求1所述的抛光垫修整设备，其特征在于，所述第一修整面和第二修整面分别为圆形，所述第一修整面的面积小于所述第二修整面的面积。
5.根据权利要求4所述的抛光垫修整设备，其特征在于，还包括：
控制结构，用于根据待修整区域的位置和/或面积来控制所述第一修整器和/或所述第二修整器来修整所述待修整区域。
6.根据权利要求5所述的抛光垫修整设备，其特征在于，所述控制结构，用于当所述抛光垫上的待修整区域位于所述抛光垫的边缘时，控制所述第一修整器修整所述待修整区域；
用于当所述抛光垫上的待修整区域位于所述抛光...
【专利技术属性】
技术研发人员：白宗权，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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