一种用于检测的电流采样电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于检测的电流采样电路，包括MOS驱动电路、电流采样电路、单片机，所述MOS驱动电路与单片机连接，所述电流采样电路与单片机连接，所述MOS驱动电路与电流采样电路连接；本实用新型专利技术提供一种用于检测的电流采样电路，能够保护电阻不被损坏，使整个电路更加稳定可靠，避免额外的发热引起不必要的损耗。

A current sampling circuit for detection

【技术实现步骤摘要】
一种用于检测的电流采样电路
本技术属于电流采样电路领域，具体涉及一种用于检测的电流采样电路。
技术介绍
目前用于电机电流的检测普遍采用合金电阻加运算放大器的方式，此种方式在功率回路中间串联一个电阻用于电流的采样，此种方式采用电阻、运算放大器成本较高，由于采样电阻串联在电路中间，会引起发热的情况，通过的电流越大，发热越严重，如果电流过大还需要保证散热条件防止烧坏采样电阻。
技术实现思路
本技术提供一种用于检测的电流采样电路，解决了电路发热严重的问题。为解决上述技术问题，本技术采用了如下的技术方案：一种用于检测的电流采样电路，包括电流采样电路、单片机及与电机连接的MOS驱动电路，所述MOS驱动电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一三极管、第二MOS管、第三三极管、第四三极管、第五MOS管、第一二极管、第二二极管、第一稳压管；其中，电机的正极与21V电压连接并与第二二极管的负极连接，电机的负极与第一二极管的正极连接并与第二二极管的正极连接，所述第一二极管的负极与第一稳压管的负极连接；所述第二MOS管的D极与电机的负极连接，第二MOS管的G极与第一稳压管的正极连接，所述第二MOS管的S极接地，所述第一稳压管的正极通过第七电阻接地，所述第一稳压管的正极还通过第三电阻接入第一三极管的发射极，所述第一稳压管的正极还通过第四电阻接入第三三极管的发射极，所述第三三极管的集电极接地，第三三极管的基极与第一三极管的基极连接，所述第三三极管的基极还通过第二电阻接入第一三极管的集电极，所述第三三极管的基极与第四三极管的集电极连接；所述第四三极管的基极通过第一电阻接入第一三极管的集电极，所述第四三极管的发射极接地，所述第四三极管的基极还接入第五MOS管的D极；所述第五MOS管的S极接地，第五MOS管的G极通过第六电阻接地，所述第五MOS管的G极通过第五电阻接入单片机的7脚连接，所述电流采样电路包括第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第一电容、第二电容、第二稳压管、第六MOS管；其中，第六MOS管的D极通过第十二电阻接入MOS驱动电路中电机的负极，第六MOS管的G极通过第九电阻接地，第六MOS管的G极通过第十一电阻接入单片机的6脚，所述第六MOS管的S极与第二稳压管的负极连接，第二稳压管的正极接地；所述第六MOS管的S极还通过第十电阻接地，所述第六MOS管的S极还通过第一电容接地，所述第六MOS管的S极还通过第二电容接地；所述第六MOS管的S极还通过第八电阻接入单片机的8脚。优选的，还包括温度检测电路，所述温度检测电路包括第十三电阻、热敏电阻、第三电容，其中，所述热敏电阻的一端通过第十三电阻接入5V电压，所述热敏电阻的一端还通过第三电容接地，所述热敏电阻的的一端还接入单片机的9脚，所述热敏电阻的另一端接地。本技术的有益效果是：本技术提供一种用于检测的电流采样电路，能够保护电阻不被损坏，使整个电路更加稳定可靠，避免额外的发热引起不必要的损耗。附图说明附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中：图1是本技术提供的MOS驱动电路电气原理图；图2是电流采样电路的电气原理图；图3是温度检测电路的电气原理图；图4是LGT8P22A单片机的引脚示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图和实施例，对本技术进行进一步的详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不限定本技术。如图1、图2、图3和图4所示，一种用于检测的电流采样电路，包括电流采样电路、单片机及与电机连接的MOS驱动电路，所述MOS驱动电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第一三极管Q1、第二MOS管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第五MOS管Q5、第一二极管D1、第二二极管D2、第一稳压管ZD1；其中，电机为现有技术中常见电机，电机M的正极与21V电压连接并与第二二极管D2的负极连接，电机M的负极与第一二极管D1的正极连接并与第二二极管D2的正极连接，所述第一二极管D1的负极与第一稳压管ZD1的负极连接；所述第二MOS管Q2的D极与电机M的负极连接，第二MOS管Q2的G极与第一稳压管ZD1的正极连接，所述第二MOS管Q2的S极接地；所述第一稳压管ZD1的正极通过第七电阻R7接地，所述第一稳压管ZD1的正极还通过第三电阻R3接入第一三极管Q1的发射极，所述第一稳压管ZD1的正极还通过第四电阻R4接入第三三极管Q3的发射极，所述第三三极管Q3的集电极接地，第三三极管Q3的基极与第一三极管Q1的基极连接，所述第三三极管Q3的基极还通过第二电阻R2接入第一三极管Q1的集电极，所述第三三极管Q3的基极与第四三极管Q4的集电极连接；所述第四三极管Q4的基极通过第一电阻R1接入第一三极管Q1的集电极，所述第四三极管Q4的发射极接地，所述第四三极管Q4的基极还接入第五MOS管Q5的D极；所述第五MOS管Q5的S极接地，第五MOS管Q5的G极通过第六电阻R6接地，所述第五MOS管Q5的G极通过第五电阻R6接入单片机LGT8P22A的7脚连接。本实施中，参照图2和图4，所述电流采样电路包括第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第一电容C1、第二电容C2、第二稳压管ZD2、第六MOS管Q6；其中，第六MOS管Q6的D极通过第十二电阻R12接入电机M的负极，第六MOS管Q6的G极通过第九电阻R9接地，第六MOS管Q6的G极通过第十一电阻R11接入单片机的6脚，所述第六MOS管Q6的S极与第二稳压管ZD2的负极连接，第二稳压管ZD2的正极接地；所述第六MOS管Q6的S极还通过第十电阻R10接地，所述第六MOS管Q6的S极还通过第一电容C1接地，所述第六MOS管Q6的S极还通过第二电容C2接地；所述第六MOS管Q6的S极还通过第八电阻R8接入单片机LGT8P22A的8脚。本实施例中，参照图3和图4，还包括温度检测电路，所述温度检测电路包括第十三电阻R13、热敏电阻NCT1、第三电容C3，其中，所述热敏电阻NTC1的一端通过第十三电阻R13接入5V电压，所述热敏电阻NTC1的一端还通过第三电容C3接地，所述热敏电阻NCT1的的一端还接入单片机LGT8P22A的9脚，所述热敏电阻NCT1的另一端接地。通过本实施例提供的电流采样电路，对第二MOS管Q2的导通电阻RDSon进行采集，根据测得的第二MOS管Q2的VDSon电压除以RDSon导通电阻求得通过第二MOS管Q2的电流。由于第二MOS管Q2的导通电阻RDSon会随着温度的变化而变化，引入热敏电阻NTC1进行第二MOS管Q2的温度监测，根据当前第二MOS管Q2产生的温度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于检测的电流采样电路，包括电流采样电路、单片机及与电机连接的MOS驱动电路，其特征在于：所述MOS驱动电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一三极管、第二MOS管、第三三极管、第四三极管、第五MOS管、第一二极管、第二二极管、第一稳压管；其中，电机的正极与21V电压连接并与第二二极管的负极连接，电机的负极与第一二极管的正极连接并与第二二极管的正极连接，所述第一二极管的负极与第一稳压管的负极连接；所述第二MOS管的D极与电机的负极连接，第二MOS管的G极与第一稳压管的正极连接，所述第二MOS管的S极接地，所述第一稳压管的正极通过第七电阻接地，所述第一稳压管的正极还通过第三电阻接入第一三极管的发射极，所述第一稳压管的正极还通过第四电阻接入第三三极管的发射极，所述第三三极管的集电极接地，第三三极管的基极与第一三极管的基极连接，所述第三三极管的基极还通过第二电阻接入第一三极管的集电极，所述第三三极管的基极与第四三极管的集电极连接；所述第四三极管的基极通过第一电阻接入第一三极管的集电极，所述第四三极管的发射极接地，所述第四三极管的基极还接入第五MOS管的D极；所述第五MOS管的S极接地，第五MOS管的G极通过第六电阻接地，所述第五MOS管的G极通过第五电阻接入单片机的7脚连接，所述电流采样电路包括第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第一电容、第二电容、第二稳压管、第六MOS管；其中，第六MOS管的D极通过第十二电阻接入MOS驱动电路中电机的负极，第六MOS管的G极通过第九电阻接地，第六MOS管的G极通过第十一电阻接入单片机的6脚，所述第六MOS管的S极与第二稳压管的负极连接，第二稳压管的正极接地；所述第六MOS管的S极还通过第十电阻接地，所述第六MOS管的S极还通过第一电容接地，所述第六MOS管的S极还通过第二电容接地；所述第六MOS管的S极还通过第八电阻接入单片机的8脚。/n...

【技术特征摘要】
1.一种用于检测的电流采样电路，包括电流采样电路、单片机及与电机连接的MOS驱动电路，其特征在于：所述MOS驱动电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一三极管、第二MOS管、第三三极管、第四三极管、第五MOS管、第一二极管、第二二极管、第一稳压管；其中，电机的正极与21V电压连接并与第二二极管的负极连接，电机的负极与第一二极管的正极连接并与第二二极管的正极连接，所述第一二极管的负极与第一稳压管的负极连接；所述第二MOS管的D极与电机的负极连接，第二MOS管的G极与第一稳压管的正极连接，所述第二MOS管的S极接地，所述第一稳压管的正极通过第七电阻接地，所述第一稳压管的正极还通过第三电阻接入第一三极管的发射极，所述第一稳压管的正极还通过第四电阻接入第三三极管的发射极，所述第三三极管的集电极接地，第三三极管的基极与第一三极管的基极连接，所述第三三极管的基极还通过第二电阻接入第一三极管的集电极，所述第三三极管的基极与第四三极管的集电极连接；所述第四三极管的基极通过第一电阻接入第一三极管的集电极，所述第四三极管的发射极接地，所述第四三极管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤继权，
申请(专利权)人：深圳市乐祺微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44