相位差元件的制造方法、相位差元件及投射型图像显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供耐湿性优异的相位差元件的制造方法。在利用斜角蒸镀在基板上形成光学各向异性层后，通过利用原子层沉积法沉积无机化合物的保护层来包覆该光学各向异性层。具体而言，包括透明基板、包含双折射膜的光学各向异性层、和保护层的相位差元件的制造方法，包括：利用斜角蒸镀来成膜双折射膜而形成光学各向异性层的光学各向异性层形成工序；以及利用原子层沉积法沉积无机化合物而形成保护层的保护层形成工序。

Manufacturing method of phase difference element, phase difference element and projection image display device

【技术实现步骤摘要】
相位差元件的制造方法、相位差元件及投射型图像显示装置
本专利技术涉及以1/2波长板或1/4波长板为代表的相位差元件的制造方法、相位差元件及投射型图像显示装置。
技术介绍
一直以来，在透明基板表面成膜电介质材料的斜角蒸镀膜的光学元件为人们所知。斜角蒸镀是使基板表面相对于蒸镀材料的飞来方向倾斜而成膜的方法，该蒸镀膜的构造可被观察为细微的立柱的集合体相对于基板表面以一定角度倾斜的柱状组织。该立柱的密度在面内具有各向异性，折射率也在面内具有各向异性。其结果，在斜角蒸镀膜产生双折射现象。这样的斜角蒸镀膜因该双折射现象而能用于1/4波长板、1/2波长板等的光学元件。例如，专利文献1中，记载了具有以二氧化硅（SiO2）或二氧化钛（TiO2）为主成分的斜角蒸镀膜的相位差元件（参照专利文献1）。另外，液晶显示装置中，为了改善对比度特性或视角特性，利用采用了相位差补偿元件的光学补偿技术。作为这样的相位差补偿元件，提出了例如将五氧化钽（Ta2O5）作为斜角蒸镀膜的成分而采用的相位差补偿元件（参照专利文献2）。然而，关于专利文献1及2中记载的斜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种相位差元件的制造方法，其中，/n所述相位差元件包括透明基板、包含双折射膜的光学各向异性层、和保护层，/n所述制造方法包括：/n光学各向异性层形成工序，成膜双折射膜而形成光学各向异性层；以及/n保护层形成工序，以与所述光学各向异性层相接的方式利用原子层沉积法沉积无机化合物而形成保护层。/n

【技术特征摘要】
20180713 JP 2018-1332741.一种相位差元件的制造方法，其中，
所述相位差元件包括透明基板、包含双折射膜的光学各向异性层、和保护层，
所述制造方法包括：
光学各向异性层形成工序，成膜双折射膜而形成光学各向异性层；以及
保护层形成工序，以与所述光学各向异性层相接的方式利用原子层沉积法沉积无机化合物而形成保护层。


2.根据权利要求1所述的相位差元件的制造方法，其中，在所述光学各向异性层形成工序中，光学各向异性层通过斜角蒸镀来形成。


3.根据权利要求1或2所述的相位差元件的制造方法，其中，所述光学各向异性层至少包含Ta2O5或HfO2。


4.根据权利要求1至3的任一项所述的相位差元件的制造方法，其中，
所述光学各向异性层由Ta2O5和TiO2的混合物构成，
使Ti原子数相对于Ta原子数和Ti原子数的合计的比例（Ti/（Ta＋Ti）×100）为4.0％以上且30％以下。


5.根据权利要求1至4的任一项所述的相位差元件的制造方法，其中，所述无机化合物包含选自由TiO2、SiO2、Ta2O5、Al2O3、ZrO2、Nb2O5、及HfO2组成的群的至少一种。


6.根据权利要求1至5的任一项所述的相位差元件的制造方法，其中，所述保护层的厚度为2nm以上。


7.根据权利要求1至6的任一项所述的相位差元件的制造方法，其中，所述保护层由2层以上构成。


8.根据权利要求1至7的任一项所述的相位差元件的制造方法，其中，交替地多次反复进行所述光学各向异性层形成工序和所述保护层形成工序。

【专利技术属性】
技术研发人员：菅原淳一，金贺芳，菅原利明，
申请(专利权)人：迪睿合株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP