【技术实现步骤摘要】
基于核磁共振T2谱计算含水合物多孔介质分形维数的方法
本专利技术属于能源与化工领域，涉及一种基于核磁共振T2谱计算含水合物多孔介质的分形维数的方法。
技术介绍
水合物作为一种清洁型新型能源，主要赋存于多孔介质储层中，因而对含水合物多孔介质以及其中水合物的生成和分解特性进行研究具有重大的现实意义。然而，水合物的生成和分解都会改变多孔介质的孔隙结构，从而影响多孔介质的物性参数，因此用传统的欧氏几何方法无法对多孔介质结构的几何特性进行准确的表征。分形维数的提出提供了一种有效的方法，它是一种可以预测多孔介质内水合物动态形状变化的关键性参数。此外，用低场核磁共振(场强≦0.3T)获取T2分布谱，可以有效地表征多孔介质内部孔隙流体的含量以及分布的变化。因此用低场核磁共振T2谱计算分形维数，可以对含水合物的多孔介质的几何特性进行动态而又准确的研究。
技术实现思路
本专利技术提供了一种基于核磁共振T2谱计算含水合物多孔介质的分形维数的方法。该方法利用低场核磁共振对多孔介质内水合物的生成过程进行监测，通过T2分布谱获取水合...
【技术保护点】
1.基于核磁共振T
【技术特征摘要】
1.基于核磁共振T2谱计算含水合物多孔介质分形维数的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：获得完全水饱和状态下的T2分布谱一和部分水饱和状态下的T2分布谱二；
将石英砂作为多孔介质填入低场核磁共振容器中并压实，注水实现完全水饱和后，控制温度在1℃并维持稳定，用低场核磁共振获取多孔介质完全水饱和状态下的T2分布谱一，标定此时孔隙水体积为V0，该体积也是多孔介质的孔隙体积；驱出部分水，用低场核磁共振获取此时部分水饱和状态下的T2分布谱二，标定此时孔隙水体积为V0’，则初始水饱和度为W＝V0’/V0；
步骤二：获得水合物生成过程中的T2分布谱三；
注入二氧化碳气体至系统压力高于相平衡压力1350kPa，并保持压力恒定，进行水合物的生成过程，用低场核磁共振获取水合物生成过程中的T2分布谱三，标定各个时刻的孔隙水体积为Vt；
判断T2分布谱三是否存在不连续阶段；若存在，则进行步骤三；若不存在，则用低场核磁共振获取水合物生成结束后的T2分布谱四，将此时的累积含水量分布曲线的最大值投射到水合物生成过程中任一时刻的累积含水量分布曲线上，交点所对应的T2值即为该时刻含水合物多孔介质多对应的T2截止值T2cutoff；根据T2截止值划分出两种孔隙：一种是在水合物生成过程中不能转化为水合物的束缚水孔隙，即小孔隙，T2<T2cutoff；另一种是在水合物生成过程中可以完全转化为水合物的自由水孔隙，即大孔隙，T2>T2cutoff；计算出孔隙水体积Vt所占孔隙体积V0的百分比St，并排除束缚水空间的影响，对大孔隙所对应的lgT2与lgSt...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵越超，宋永臣，雷旭，张钰莹，杨明军，张毅，刘瑜，蒋兰兰，黄明星，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：辽宁;21
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