【技术实现步骤摘要】
一种二维中空纳米片结构的硫化钴/g-C3N4复合电极材料及其制备方法
本专利技术涉及超级电容器和纳米材料
，具体涉及一种二维中空纳米片结构的硫化钴/g-C3N4复合电极材料及其制备方法。
技术介绍
电化学超级电容器是一种介于传统电容器与电池之间的一种电源。根据储能机理的不同分为双电层电容器和法拉第赝电容器两种。具有充电时间短，功率密度高，循环稳定性好，使用寿命长，绿色环保无污染等优异特性，因此在通信、电子产品、新能源汽车等领域得到了广泛的应用。超级电容器作为一种储能器件，是将能源与环保相结合的一项绿色技术，在应用时不仅能够提供持续性的能源，还能起到环境保护的作用，因此，近些年受到广泛关注。硫化钴作为一种超级电容器电极材料，属于法拉第赝电容器电极材料，具有价态多、理论容量高等特点。但是其应用受限于电化学反应速率慢、导电性差以及循环稳定性差的缺点。本专利技术的二维中空纳米片结构的硫化钴/g-C3N4复合电极材料有以下优点：一、引入导电性好的g-C3N4能够大大降低电阻，增强电极材料的导电性；二、中空纳米片结...
【技术保护点】
1.一种二维中空纳米片结构的硫化钴/g-C
【技术特征摘要】
1.一种二维中空纳米片结构的硫化钴/g-C3N4复合电极材料及其制备方法，该方法包括以下步骤：
(1)将三聚氰胺、硫脲、尿素中的一种或多种置于管式炉中在氮气氛围下煅烧得到g-C3N4；
(2)将g-C3N4与溶剂混合超声分散，然后加入C4H6N2继续超声分散得到均匀的溶液；
(3)将钴盐与溶剂混合，得到均匀的溶液；
(4)将所述步骤(2)、(3)得到的两种均匀的溶液混合、搅拌，静置一段时间，离心，洗涤，干燥，得到二维中空纳米片结构的硫化钴/g-C3N4复合电极材料的前驱体；
(5)将所述步骤(4)得到的前驱体放入含有硫源的溶液中，进行水热反应，待反应自动降至室温，将产物离心，洗涤，干燥，得到二维中空纳米片结构的硫化钴/g-C3N4复合电极材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中钴盐、C4H6N2、溶剂的质量比为1∶(0.5-7.5)∶(45-510)。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的钴盐包括醋酸钴、氯化钴、硝酸钴、硫酸钴中的一种或多种。
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