二硫化钼的摩擦调控方法、装置及系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种二硫化钼的摩擦调控方法、装置及系统，该方法包括：获得不同电子束照射条件下二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力数据，所述不同电子束照射条件包括不同的加速电压条件和不同的电子束电流条件；根据不同电子束照射条件下二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力数据，获得二硫化钼的摩擦特征数据；在获得二硫化钼的目标摩擦力后，基于二硫化钼的摩擦特征，控制电子束照射二硫化钼，以调控二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力至目标摩擦力。本发明专利技术可以对二硫化钼进行摩擦调控，避免静电力的干扰，准确度高。

Friction control method, device and system of molybdenum disulfide

【技术实现步骤摘要】
二硫化钼的摩擦调控方法、装置及系统
本专利技术涉及能量摩擦耗散
，尤其涉及一种二硫化钼的摩擦调控方法、装置及系统。
技术介绍
作为一种两个接触表面相互滑动时广泛存在的能量耗散过程，摩擦及其调控方法近年来受到越来越多的关注，其在微机电系统(MEMS)和摩擦学机理研究中起着关键作用。在纳米尺度摩擦中，当摩擦副是绝缘体时，摩擦副动能仅通过声子发射(即晶格振动)进行耗散。但是如果摩擦副是导电的，摩擦能量耗散也可以通过电子通道进行。因此，通过调制表面电子学特性，可以调节摩擦电子能量耗散通道和摩擦特性。对于摩擦能量消散的电子通道，诸多学者试图通过电学手段对其进行调控，从而实现对表面摩擦特性的调控。其具体实现方式一般为在摩擦副间外加偏压并使用AFM(原子力显微镜)测量外加偏压下的摩擦力变化。通过使用原子力显微镜探针在偏压下扫描Sip-n结，Park等人观察到在具有相对高载流子密度的高掺杂p区中的摩擦较高。Yabing对n型GaAs进行了类似的载流子密度与摩擦之间关系的研究，并观察到类似的摩擦增加。最近，出现利用二氧化钒(VO2)的金属-绝缘体转本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二硫化钼的摩擦调控方法，其特征在于，包括：/n获得不同电子束照射条件下二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力数据，所述不同电子束照射条件包括不同的加速电压条件和不同的电子束电流条件；/n根据不同电子束照射条件下二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力数据，获得二硫化钼的摩擦特征数据；/n在获得二硫化钼的目标摩擦力后，基于二硫化钼的摩擦特征数据，控制电子束照射二硫化钼，以调控二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力至目标摩擦力。/n

【技术特征摘要】
1.一种二硫化钼的摩擦调控方法，其特征在于，包括：
获得不同电子束照射条件下二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力数据，所述不同电子束照射条件包括不同的加速电压条件和不同的电子束电流条件；
根据不同电子束照射条件下二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力数据，获得二硫化钼的摩擦特征数据；
在获得二硫化钼的目标摩擦力后，基于二硫化钼的摩擦特征数据，控制电子束照射二硫化钼，以调控二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力至目标摩擦力。


2.如权利要求1所述的二硫化钼的摩擦调控方法，其特征在于，二硫化钼对应的摩擦副为二硫化钼与原子力显微镜探针之间形成的摩擦副。


3.如权利要求2所述的二硫化钼的摩擦调控方法，其特征在于，获得不同电子束照射条件下二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力数据，包括：
获得多组电子束照射条件；
针对每一组电子束照射条件，控制扫描电子显微镜的加速电压和电子束电流满足该组电子束照射条件；
在原子力显微镜探针在二硫化钼表面以设定扫描速度移动时，获得每一组电子束照射条件下二硫化钼与原子力显微镜探针之间的摩擦力数据。


4.如权利要求3所述的二硫化钼的摩擦调控方法，其特征在于，二硫化钼的摩擦特征数据包括摩擦力数据与加速电压、电子束电流的关系；
根据不同电子束照射条件下二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力数据，获得二硫化钼的摩擦特征数据，包括：
根据多组电子束照射条件下二硫化钼与原子力显微镜探针之间的摩擦力数据，获得摩擦力数据与加速电压、电子束电流的关系。


5.如权利要求4所述的二硫化钼的摩擦调控方法，其特征在于，基于二硫化钼的摩擦特征数据，控制电子束照射二硫化钼，以调控二硫化钼对应的摩擦副的摩擦力至目标摩擦力，包括：
根据摩擦力数据与加速电压、电子束电流的关系，调...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘大猛，房亮，庞华，雒建斌，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11