一种台面型肖特基集电区NPN SiGe HBT器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种台面型肖特基集电区NPN SiGe HBT器件，包括N型轻掺杂单晶硅衬底，N型轻掺杂单晶硅衬底表面顺序层叠有N型重掺杂单晶硅层、金属硅化物薄层、P型重掺杂Si

【技术实现步骤摘要】
一种台面型肖特基集电区NPNSiGeHBT器件及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种台面型肖特基集电区NPNSiGeHBT器件及其制备方法。
技术介绍
目前市场上对高速、高频、低成本等高性能器件的需求日益强烈。但由于Si材料本身物理性质的限制，常规的Si器件的高速高频等性能很难提高；虽然III-V族化合物半导体器件(例如GaAs、InP等)在高速高频性能上大大优于Si器件，但是存在与Si器件工艺不兼容、成本较高等缺点。锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)是将硅基双极结型晶体管(SiBJT)的基区加入了少量的Ge组分。基区采用SiGe材料，显著的提高了器件性能，使得SiGeHBT已成为高速应用中的标准双极晶体管。超高频半导体器件的关键指标是截止频率(fT)，在成熟的硅工艺基础上开发出来的SiGeHBT利用了“能带工程”的优势，从根本上解决了提高放大倍数与提高频率特性的矛盾。由于与成熟的硅工艺完全兼容，同时又因为分子束外延(MBE)和化学气相淀积(CVD)等工艺技术的发展和成熟，SiGeHBT以其独特的优势广泛应用于高性能微波射本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种台面型肖特基集电区NPN SiGe HBT器件，其特征在于，包括N型轻掺杂单晶硅衬底，所述N型轻掺杂单晶硅衬底的表面形成有N型重掺杂单晶硅层，所述N型重掺杂单晶硅层的表面形成有金属硅化物薄层，所述金属硅化物薄层的表面形成有P型重掺杂Si

【技术特征摘要】
1.一种台面型肖特基集电区NPNSiGeHBT器件，其特征在于，包括N型轻掺杂单晶硅衬底，所述N型轻掺杂单晶硅衬底的表面形成有N型重掺杂单晶硅层，所述N型重掺杂单晶硅层的表面形成有金属硅化物薄层，所述金属硅化物薄层的表面形成有P型重掺杂Si1-xGex基区层且0.1<x<0.3，所述P型重掺杂Si1-xGex基区层的表面形成有N型掺杂单晶硅发射区帽层，所述N型掺杂单晶硅发射区帽层的表面形成有N型重掺杂多晶硅发射区层，所述N型重掺杂多晶硅发射区层至N型掺杂单晶硅发射区帽层刻蚀形成有发射区电极接触台面和左右侧基区电极接触台面，所述N型重掺杂多晶硅发射区层至金属硅化物薄层刻蚀形成有左右侧集电区电极接触台面，所述台面结构的整个表面覆盖有氧化层，所述基区、集电区和中间发射区位置对应的氧化层刻蚀形成有对应电极接触窗口，且基区窗口下的P型重掺杂Si1-xGex基区层刻蚀形成有基区电极接触区域，所述电极接触窗口上形成有对应金属电极，所述基区电极接触区域里沉积有P型重掺杂β-Si1-yCy且0.02<y<0.05。


2.根据权利要求1所述的台面型肖特基集电区NPNSiGeHBT器件，其特征在于，所述N型重掺杂单晶硅层的厚度为200nm。


3.根据权利要求1所述的台面型肖特基集电区NPNSiGeHBT器件，其特征在于，所述金属硅化物薄层为5nm厚的CoSi2。


4.根据权利要求1所述的台面型肖特基集电区NPNSiGeHBT器件，其特征在于，所述P型重掺杂Si1-xGex基区层的厚度为20-30nm。


5.根据权利要求1所述的台面型肖特基集电区NPNSiGeHBT器件，其特征在于，所述N型掺杂单晶硅发射区帽层的厚度为10nm，所述N型重掺杂多晶硅发射区层的厚度为0.5μm。


6.根据权利要求1所述的台面型肖特基集电区NPNSiGeHBT器件，其特征在于，所述氧化层为100nm厚的SiO2氧化层。


7.一种根据权利要求1-6中任一项所述的台面型肖特基集电区NPNSiGeHBT器件制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
S1、准备一个掺杂浓度为1015cm-3的N型轻掺杂单晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：李迈克，
申请(专利权)人：中证博芯重庆半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50