一种硅料的检测方法技术

本发明专利技术提供了一种硅料的检测方法，用于同时检测不同批次的硅料，包括：提供多个坩埚，将待检测的所述不同批次的硅料分别盛放于所述多个坩埚中；将盛放有所述硅料的多个所述坩埚置于同一铸锭炉中铸锭；将铸锭后每一所述坩埚制得的硅锭进行检测，将所述硅锭的检测参数与预设参数比较，确定所述硅锭对应的所述硅料的合格程度，所述预设参数包括预设硅锭少子寿命值和预设硅锭电阻率值中的至少一种。通过将多个坩埚同时置于同一铸锭炉中，对不同批次的硅料进行同时铸锭，检测制得的硅锭进而判断硅料是否合格；该方法可以一次性检测多个批次的硅料，减少检测时间，且检测方法简单快速，降低检测成本，加快硅料质量的检测，有利于降低硅锭的制备成本。

A test method of silicon material

【技术实现步骤摘要】
一种硅料的检测方法
本专利技术涉及光伏或半导体
，特别涉及一种硅料的检测方法。
技术介绍
当前新能源光伏领域竞争激烈，如何有效降低制备成本成为多晶铸锭行业的首要任务之一。目前可以用于硅锭铸锭的原料多为各类细碎料，包括各种纯度硅粉、多晶碎粒、单晶碎粒、各类细碎硅片等。细碎料的批次一致性差，使用起来风险巨大，如果每个批次的细碎料全部通过光谱OES检测是可以避免一些异常情况的出现，但光谱OES检测成本在800～1000元左右，检测周期长，进而在原料检测上增加了成本，不利于硅锭成本的降低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种硅料的检测方法，通过将多个坩埚同时置于同一铸锭炉中，对不同批次的硅料进行同时铸锭，检测制得的硅锭进而判断硅料是否合格；该方法可以一次性检测多个批次的硅料，减少检测时间，且检测方法简单快速，降低检测成本，加快硅料质量的检测，有利于降低硅锭的制备成本。第一方面，本专利技术提供了一种硅料的检测方法，用于同时检测不同批次的硅料，包括：提供多个坩埚，将待检测的所述不同批次的硅料分别盛放于所述多个坩埚中；将盛放有所述硅料的多个所述坩埚置于同一铸锭炉中铸锭；将铸锭后每一所述坩埚制得的硅锭进行检测，将所述硅锭的检测参数与预设参数比较，确定所述硅锭对应的所述硅料的合格程度，所述预设参数包括预设硅锭少子寿命值和预设硅锭电阻率值中的至少一种。在本专利技术中，通过将不同批次的硅料装入坩埚中，多个坩埚置于同一铸锭炉中进行铸锭，通过检测铸锭形成的硅锭质量判断硅料的是否合格，该方法减少了判断硅料质量时使用硅料的数量，并且能够同时对多个批次进行检测，提高检测效率，节约成本，进而有利于降低硅锭的制备成本，各个批次的硅料铸锭过程互不影响；同时，检测参数包括硅锭少子寿命值和硅锭电阻率值中的至少一种，锭少子寿命值和硅锭电阻率值的检测十分方便快速，且检测成本低。可选的，多个所述坩埚呈阵列排布，有利于使得多个坩埚受热均匀，铸锭过程更加稳定。可选的，多个所述坩埚堆叠设置，有利于同时对多个批次的硅料进行检测，提高检测效率。可选的，多个所述坩埚中部分所述坩埚呈阵列排布，部分所述坩埚堆叠设置，更大限度的利用铸锭炉，使得更多批次的硅料进行同时铸锭和检测。在本专利技术中，所述坩埚的尺寸可以根据铸锭炉的大小以及需要同时检测样本的数量进行设定。本专利技术可以将多个坩埚同时置于同一铸锭炉中，即本专利技术使用的坩埚尺寸远小于现有技术中铸锭过程中使用的坩埚尺寸，同时，所述坩埚可以高效、安全、低成本、周期性的进行硅料铸锭，节约成本，提高硅料采购周期，防止不合格硅料的长期放置，节省生长成本。可选的，所述坩埚的长度为130mm-200mm，宽度为130mm-200mm，高度为250mm-320mm，壁厚为8mm-15mm。可选的，所述铸锭炉为G6铸锭炉，所述坩埚的长度为173mm，宽度为173mm，高度为290mm，壁厚为10mm。进一步的，所述坩埚的数量为72个，所述坩埚以6×6的方式分布在所述铸锭炉中，并且堆叠成两层。此时，最大可以同时进行72个不同批次的硅料检测，大大节省了检测时间和检测成本。在本专利技术中，通过设定预设参数，对硅锭的检测参数进行分析。可选的，将所述硅锭的检测参数与预设参数比较，确定所述硅锭对应的所述硅料的合格程度，包括：当所述硅锭的所述检测参数大于或等于所述预设参数时，所述硅锭对应的所述硅料合格；当所述硅锭的所述检测参数小于所述预设参数时，所述硅锭对应的所述硅料不合格。在本专利技术中，通过检测硅锭的少子寿命值和/或电阻率值，判断硅锭的质量，检测时间短、效率高，且检测成本低，有利于降低硅锭的成本。可选的，所述预设硅锭少子寿命均值为1μs，所述预设硅锭电阻率均值为0.2Ω。进一步的，当所述硅锭的少子寿命均值等于或大于1μs，硅锭电阻率均值等于或大于0.2Ω时，所述硅锭对应的所述硅料合格；当所述硅锭的少子寿命均值低于1μs，硅锭电阻率均值低于0.2Ω时，所述硅锭对应的所述硅料不合格。进一步的，设定第一预设参数，当所述硅料合格时，将所述硅锭的检测参数与所述第一预设参数比较，进一步划分所述硅锭对应的所述硅料的用途。更进一步的，所述第一预设参数包括第一预设硅锭少子寿命值和第一预设硅锭电阻率值中的至少一种。可选的，相邻所述坩埚之间用碳碳板间隔，有利于相邻坩埚之间的热量传递，使得多个坩埚受热均匀，同时又避免铸锭过程中硅液溢出的影响。进一步的，所述碳碳板的厚度为5mm-20mm。可选的，所述坩埚与所述铸锭炉之间用石墨板间隔，有利于在坩埚区域外围的所述坩埚的受热均匀，使得在坩埚区域外围和内部的坩埚受热相同，有利于后续硅锭质量的判断，同时保护坩埚和铸锭炉，避免相互剐蹭。进一步的，所述石墨板的厚度为10mm-30mm。可选的，多个所述坩埚形成坩埚区域，所述坩埚区域在所述坩埚开口方向的一侧设置有碳碳盖板。也就是说，在坩埚区域的顶部设置有碳碳盖板，有利于维持铸锭炉整体的热量；同时避免了坩埚开口区域造成的热量损失，使得坩埚中硅锭各个部分受热均匀一致。进一步的，所述碳碳盖板的厚度为10mm-30mm。本专利技术的有益效果：本专利技术提供了一种硅料的检测方法，通过将多个坩埚同时置于同一铸锭炉中，对不同批次的硅料进行同时铸锭，检测制得的硅锭进而判断硅料是否合格；该方法可以一次性检测多个批次的硅料，减少检测时间，降低检测成本，加快硅料质量的检测，有利于降低硅锭的制备成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。图1为本专利技术一实施方式提供的一种硅料的检测方法流程图。图2为本专利技术一实施方式提供的铸锭炉中多个坩埚设置方式的示意图，其中图2中(a)为俯视图，图2中(b)为截面图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1，为本专利技术一实施方式提供的一种硅料的检测方法流程图，包括：步骤S101：提供多个坩埚，将待检测的所述不同批次的硅料分别盛放于所述多个坩埚中。在步骤S101中，多个坩埚用于盛放不同批次的硅料。在本专利技术中，坩埚的尺寸可以根据铸锭炉的大小以及需要同时检测样本的数量进行设定。在本专利技术一实施方式中，坩埚的长度为130mm-200mm，宽度为130mm-200mm，高度为250mm-320mm，壁厚为8mm-15mm。进一步的，坩埚的长度为150mm-180mm，宽度为150mm-180mm，高度为270mm-300mm，壁厚为8mm-12mm。步骤S102：将盛放有所述硅料的多个所述坩埚置于同一铸锭炉中铸锭。...

【技术保护点】
1.一种硅料的检测方法，用于同时检测不同批次的硅料，其特征在于，包括：/n提供多个坩埚，将待检测的所述不同批次的硅料分别盛放于所述多个坩埚中；/n将盛放有所述硅料的多个所述坩埚置于同一铸锭炉中铸锭；/n将铸锭后每一所述坩埚制得的硅锭进行检测，将所述硅锭的检测参数与预设参数比较，确定所述硅锭对应的所述硅料的合格程度，所述预设参数包括预设硅锭少子寿命值和预设硅锭电阻率值中的至少一种。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅料的检测方法，用于同时检测不同批次的硅料，其特征在于，包括：
提供多个坩埚，将待检测的所述不同批次的硅料分别盛放于所述多个坩埚中；
将盛放有所述硅料的多个所述坩埚置于同一铸锭炉中铸锭；
将铸锭后每一所述坩埚制得的硅锭进行检测，将所述硅锭的检测参数与预设参数比较，确定所述硅锭对应的所述硅料的合格程度，所述预设参数包括预设硅锭少子寿命值和预设硅锭电阻率值中的至少一种。


2.如权利要求1所述的硅料的检测方法，其特征在于，多个所述坩埚呈阵列排布。


3.如权利要求1所述的硅料的检测方法，其特征在于，多个所述坩埚堆叠设置。


4.如权利要求1所述的硅料的检测方法，其特征在于，所述铸锭炉为G6铸锭炉，所述坩埚的长度为173mm，宽度为173mm，高度为290mm，壁厚为10mm。


5.如权利要求4所述的硅料的检测方法，其特征在于，所述坩埚的数量为72个，所述坩埚以6×...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘卿，何亮，陈欣文，
申请(专利权)人：赛维LDK太阳能高科技新余有限公司，江西赛维LDK太阳能高科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36