多路径放大器电路或系统和其实施方法技术方案

在本文中公开例如多路径功率放大器等功率放大器、使用此类放大器的系统和实施放大器和放大器系统的方法。在一个示例实施例中，一种多路径功率放大器包括第一半导体管芯，其具有第一源极到漏极间距的集成式第一晶体管，和第二半导体管芯，其具有第二源极到漏极间距的集成式第二晶体管，其中所述第二源极到漏极间距比所述第一源极到漏极间距小至少30％。在另一示例实施例中，一种多尔蒂(Doherty)放大器系统包括第一半导体管芯，其具有第一物理管芯面积与总栅极外围比，和第二半导体管芯，其具有第二物理管芯面积与总栅极外围比，其中所述第二物理管芯面积与总栅极外围比相比于所述第一物理管芯面积与总栅极外围比小至少30％。

【技术实现步骤摘要】
多路径放大器电路或系统和其实施方法
本公开涉及电路、系统和操作、制造或以其它方式实施所述电路和系统的方法，且更确切地说，本公开涉及此类电路、系统和方法，其中电路或系统充当例如多尔蒂功率放大器等多路径功率放大器。
技术介绍
高效功率放大器(poweramplifier，PA)设计正逐渐变成无线通信系统的组成部分。蜂窝基站市场正缓慢地转变成预期适用于第五代(fifthgeneration，5G)通信的基于氮化镓(GaN)的射频(radiofrequency，RF)产品。在严格的多输入多输出(massivemultipleinputmultipleoutput，MIMO)5G规范下，改善终级PA性能特性，例如增益、输出功率、线性度和DC-RF转换效率，仍然是研究人员关注的焦点。在使用多尔蒂PA电路或其它多路径PA电路的许多实施方案中，物理管芯面积属于关键问题，这是由于商业无线基础设施系统中包含的功率晶体管产品对成本和面积/体积/重量越来越敏感。运用GaN技术，这是尤其重要的，因为每平方毫米的技术比硅(Si)或其它基于III-V的半导体要昂贵得本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多路径功率放大器，其特征在于，包括：/n第一半导体管芯，其带有具有第一源极到漏极间距的集成式第一晶体管；以及/n第二半导体管芯，其带有具有第二源极到漏极间距的集成式第二晶体管，/n其中所述第二源极到漏极间距比所述第一源极到漏极间距小至少30％。/n

【技术特征摘要】
20180703 US 16/026,2711.一种多路径功率放大器，其特征在于，包括：
第一半导体管芯，其带有具有第一源极到漏极间距的集成式第一晶体管；以及
第二半导体管芯，其带有具有第二源极到漏极间距的集成式第二晶体管，
其中所述第二源极到漏极间距比所述第一源极到漏极间距小至少30％。


2.根据权利要求1所述的多路径功率放大器，其特征在于，所述多路径功率放大器是多尔蒂功率放大器。


3.根据权利要求2所述的多路径功率放大器，其特征在于，进一步包括：
主放大器电路部分，其中所述第一晶体管包括于所述主放大器电路部分中；以及
第一峰化放大器电路部分，其中所述第二晶体管包括于所述峰化放大器电路部分中。


4.根据权利要求3所述的多路径功率放大器，其特征在于，所述多尔蒂功率放大器包括另外的峰化放大器电路部分。


5.根据权利要求4所述的多路径功率放大器，其特征在于，所述额外峰化放大器电路部分包括第一额外峰化放大器电路部分，且其中所述第一额外峰化放大器电路部分包括第三半导体管芯，所述第三半导体管芯带有具有第三源极到漏极间距的集成式第三晶体管。


6.根据权利要求5所述的多路径功率放大器，其特征在于，所述第三源极到漏极间距与所述第二源极到漏极间距大体上相同，或所述第三源极到漏极间距小于所述第二源极到漏极间距。


7.根据权利要求1所述的多路径功率放大器，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：杰弗里·凯文·琼斯，达蒙·G·霍尔默斯，杰弗里·史潘塞·罗伯茨，达雷尔·格伦·希尔，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US