【技术实现步骤摘要】
存储器设备及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年7月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0076893的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。
本专利技术构思的各种示例实施例涉及半导体存储器，并且更具体地，涉及存储器设备、半导体存储器系统、和/或其操作方法。
技术介绍
半导体存储器被分类成：易失性存储器设备，其中储存的数据当用于易失性存储器设备的电源被中断时消失，诸如静态随机存取存储器(staticrandomaccessmemory，SRAM)和/或动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，DRAM)等；和非易失性存储器设备，其中即使当用于非易失性存储器设备的电源被中断时也保留储存的数据，诸如闪存设备、相变RAM(phase-changeRAM，PRAM)、磁RAM(magneticRAM，MRAM)、电阻式RAM(resistiveRAM，RRAM)、和/或铁电RAM(ferroelectricRAM，FRAM)等。因为DRAM...
【技术保护点】
1.一种存储器设备的操作方法，所述存储器设备包括连接到多个字线的多个动态随机存取存储器单元，所述方法包括：/n从外部源接收第一激活命令；/n从外部源接收至少一个操作命令；/n接收预充电命令；/n确定所述至少一个操作命令是否包括写入命令；并且/n基于所述确定的结果，/n在从接收到所述预充电命令的时间起经过第一预充电参考时间段之后从外部源接收第二激活命令，或者/n在从接收到所述预充电命令的时间起经过第二预充电参考时间段之后从外部源接收第二激活命令。/n
【技术特征摘要】
20180703 KR 10-2018-00768931.一种存储器设备的操作方法，所述存储器设备包括连接到多个字线的多个动态随机存取存储器单元，所述方法包括：
从外部源接收第一激活命令；
从外部源接收至少一个操作命令；
接收预充电命令；
确定所述至少一个操作命令是否包括写入命令；并且
基于所述确定的结果，
在从接收到所述预充电命令的时间起经过第一预充电参考时间段之后从外部源接收第二激活命令，或者
在从接收到所述预充电命令的时间起经过第二预充电参考时间段之后从外部源接收第二激活命令。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第二预充电参考时间段长于所述第一预充电参考时间段。
3.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
响应于所述第一激活命令激活所述多个字线当中的选择字线；并且
在从接收到所述第一激活命令的时间起经过激活参考时间段之后去激活所述选择字线。
4.如权利要求3所述的方法，进一步包括：
在所述至少一个操作命令包括所述写入命令的情况下，在所述第二预充电参考时间段期间响应于所述预充电命令而重新激活去激活的选择字线；并且
将对应于所述写入命令的写入数据写入到连接到重新激活的选择字线的选择存储器单元。
5.如权利要求4所述的方法，进一步包括：
在从接收到所述写入命令的时间起经过写入迟延时段之后接收所述写入数据。
6.如权利要求5所述的方法，进一步包括：
去激活所述重新激活的选择字线；并且
预充电连接到所述选择存储器单元的位线。
7.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
确定所述至少一个操作命令是否包括读取命令；并且
在所述至少一个操作命令包括所述读取命令的情况下，在读取迟延时段之后输出对应于所述读取命令的读取数据，所述读取迟延时段在接收到所述读取命令的时间处开始。
8.一种存储器设备的操作方法，所述存储器设备包括连接到多个字线的多个存储器单元，所述方法包括：
从外部源接收激活命令；
从外部源接收至少一个操作命令；
从外部源接收预充电命令；
确定所述至少一个操作命令是否包括写入命令；并且
基于所述确定的结果，
在接收所述预充电命令之后，将对应于所述写入命令的写入数据写入到连接到所述多个字线当中的选择字线的选择存储器单元。
9.如权利要求8所述的方法，进一步包括：
在从接收到所述写入命令的时间起经过写入迟延时段之后从外部源接收所述写入数据。
10.如权利要求8所述的方法，进一步包括：
响应于所述激活命令激活所述多个字线当中的所述选择字线；并且
在从接收到所述激活命令的时间起经过激活参考时间段之后去激活激活的选择字线。
11.如权利要求10所述的方法，进一步包括：
响应于所述预充电命令重新激活去激活的选择字线；并且
将所述写入数据写入到连接到重新激活的选择字线的选择存储器单元。
12.如权利要求10所述的方法，进一步包括：
从输入/输出电路隔离连接到所述选择存储器单元的位线；并且
均衡从输入/输出电路隔离的位线。
13.如权利要求8所述的方法，进一步包括：
响应于所述预充电命令，预充电连接到所述选择存储器单元的位线。
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