版图各区域内的刻蚀沟槽深度的模拟获取方法技术

本发明专利技术公开了一种版图各区域内的刻蚀沟槽深度的模拟获取方法，包括步骤：以独立多边形为单元对版图进行划分；计算各独立多边形的权重线宽；将各独立多边形的权重线宽代入到刻蚀模型中计算得出各独立多边形对应的第一刻蚀沟槽深度；采用窗格切分法对版图进行切分；计算出各窗格的窗格刻蚀沟槽深度，包括分步骤：将窗格内各子图形对应的子图形刻蚀沟槽深度取为所属的独立多边形的第一刻蚀沟槽深度；以各子图形的面积为权重，对窗格内各子图形对应的子图形刻蚀沟槽深度进行加权平均得到窗格刻蚀沟槽深度。本发明专利技术能够避免直接以窗格为单元计算得出的刻蚀沟槽深度与实际沟槽深度之间的偏差；能够提高化学机械研磨工艺模型的准确性。

A simulation method for obtaining etched groove depth in each region of the layout

【技术实现步骤摘要】
版图各区域内的刻蚀沟槽深度的模拟获取方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种版图各区域内的刻蚀沟槽深度的模拟获取方法。
技术介绍
在化学机械研磨(CMP)工艺模型建立过程中，为了准确反映不同尺寸图形的纵向刻蚀负载效应即刻蚀沟槽深度随图形线宽的变化，通常在模型建立过程中引入刻蚀模型(EtchModel)来获取不同线宽版图图形所对应的刻蚀沟槽深度。刻蚀模型能够反映刻蚀沟槽深度与图形线宽之间的变化关系，如图1所示，是刻蚀模型曲线，所述刻蚀模型和刻蚀工艺对应，每一种所述刻蚀工艺对应于一种所述刻蚀模型，曲线101对应于一种刻蚀工艺的刻蚀模型曲线，由图1所示可知，曲线101在虚线AA到虚线BB之间即图形线宽介于0.02μm和2μm之间的区域内，存在刻蚀沟槽深度随图形的线宽线性变化的区域，当图形线宽小于0.02μm或大于2μm时，刻蚀沟槽深度趋于饱和不变。现有化学机械研磨工艺模拟中刻蚀沟槽深度是通过以窗格为单位提取线宽值进而引入刻蚀模型来获取的，如图2所示，是现有版图各区域内的刻蚀沟槽深度的模拟获取方法的流程图；现有版图各区域内本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种版图各区域内的刻蚀沟槽深度的模拟获取方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、版图由多个图形组成，各所述图形的轮廓线为对应的独立多边形，以各所述独立多边形为对应的单元对所述版图进行划分；/n步骤二、计算各所述独立多边形的权重线宽；/n步骤三、将各所述独立多边形的权重线宽代入到刻蚀模型中计算得出各独立多边形对应的第一刻蚀沟槽深度；/n步骤四、采用窗格切分法将所述版图切分成多个大小相同的窗格，各所述独立多边形对应的所述图形被切割成一个以上位于对应的所述窗格中的子图形；/n步骤五、计算出各所述窗格的窗格刻蚀沟槽深度，包括如下分步骤：/n步骤51、将所述窗格内所包括的各所述子图形对应的子图形...

【技术特征摘要】
1.一种版图各区域内的刻蚀沟槽深度的模拟获取方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、版图由多个图形组成，各所述图形的轮廓线为对应的独立多边形，以各所述独立多边形为对应的单元对所述版图进行划分；
步骤二、计算各所述独立多边形的权重线宽；
步骤三、将各所述独立多边形的权重线宽代入到刻蚀模型中计算得出各独立多边形对应的第一刻蚀沟槽深度；
步骤四、采用窗格切分法将所述版图切分成多个大小相同的窗格，各所述独立多边形对应的所述图形被切割成一个以上位于对应的所述窗格中的子图形；
步骤五、计算出各所述窗格的窗格刻蚀沟槽深度，包括如下分步骤：
步骤51、将所述窗格内所包括的各所述子图形对应的子图形刻蚀沟槽深度取为各所述子图形所属的所述独立多边形的所述第一刻蚀沟槽深度；
步骤52、以各所述子图形的面积为权重，对所述窗格内所包括的各所述子图形对应的子图形刻蚀沟槽深度进行加权平均得到所述窗格刻蚀沟槽深度。


2.如权利要求1所述的版图各区域内的刻蚀沟槽深度的模拟获取方法，其特征在于：步骤二包括如下分步骤：
步骤21、按照面积最大原则将对应的所述独立多边形切分成多个切分矩形；
步骤22、以所述独立多边形内的各切分矩形面积为权重对各所述切分矩形的线宽进行加权平均得到所述独立多边形的权重线宽。


3.如权利要求2所述的版图各区域内的刻蚀沟槽深度的模拟获取方法，其特征在于：步骤22的加权平均公式为：



其中，LWweighted表示所述独立多边形的权重线宽，i表示所述切分矩形的编号，n表示所述独立多边形内所述切分矩形的数量，LWi为编号i对应的所述切分矩形的线宽，Si表示编号i对应的所述切分矩形的面积。


4.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张姣，姜立维，魏芳，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31