【技术实现步骤摘要】
存储系统及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年7月3日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2018-0077176的韩国专利申请的优先权,其公开的全部内容通过引用合并于此。
各种实施例涉及一种半导体设计技术,并且更特别地,涉及一种包括易失性存储器件和非易失性存储器件的混合存储系统。
技术介绍
在大容量存储系统中使用易失性存储器作为主存储器的限制在于:其具有高功耗。这种存储器在集成度方面也存在限制。例如,易失性存储器包括动态随机存取存储器(DRAM)。近来,已经积极开发了非易失性存储器以克服上述易失性存储器中的高功耗和集成度的限制。非易失性存储器的示例包括相变随机存取存储器(PCRAM)、磁性RAM(MRAM)、铁电RAM(FRAM)、电阻式RAM(RRAM)和自旋力矩转移RAM(STT_RAM)。非易失性存储器无需消耗能量来保留储存在其中的数据。因此,非易失性存储器比易失性存储器具有更高的集成度并且更低的功耗。然而,非易失性存储器比易失性存储器具有更低的性能(例如,更低的读取/写入速度)和写入耐久度。近来,已经提出了一种混合存储系统,该混合存储系统利用两种类型的存储器的优点。该混合存储系统可以使用非易失性存储器作为主存储器并且使用易失性存储器作为高速缓冲存储器。虽然使用非易失性存储器作为主存储器能够降低单位成本,但是这种使用会增加延时。如果对读取请求的响应由于主存储器的增加延时而过于延迟,则读取请求不会被恰当处理。
技术实现思路
各种实施例针对使用具有 ...
【技术保护点】
1.一种存储系统,包括:/n存储器件,其包括主存储器和高速缓冲存储器,所述高速缓冲存储器包括用于高速缓存储存在所述主存储器中的数据的多个高速缓存行,其中,所述多个高速缓存行中的每个高速缓存行包括高速缓存数据、表示相应的高速缓存数据是否有效的有效比特位以及表示所述主存储器的读取数据是否正在被加载的加载比特位;以及/n存储器控制器,其适用于参考所述有效比特位和所述加载比特位来调度所述存储器件的操作。/n
【技术特征摘要】
20180703 KR 10-2018-00771761.一种存储系统,包括:
存储器件,其包括主存储器和高速缓冲存储器,所述高速缓冲存储器包括用于高速缓存储存在所述主存储器中的数据的多个高速缓存行,其中,所述多个高速缓存行中的每个高速缓存行包括高速缓存数据、表示相应的高速缓存数据是否有效的有效比特位以及表示所述主存储器的读取数据是否正在被加载的加载比特位;以及
存储器控制器,其适用于参考所述有效比特位和所述加载比特位来调度所述存储器件的操作。
2.根据权利要求1所述的存储系统,其中,当与所述读取数据的地址相对应的高速缓存命中的高速缓存行的所述加载比特位在读取操作期间被置位时,所述存储器控制器等待直到所述读取数据被储存在所述高速缓存命中的高速缓存行中,以及然后释放所述加载比特位,将所述有效比特位置位,并且输出所述高速缓存命中的高速缓存行的所述高速缓存数据。
3.根据权利要求1所述的存储系统,其中,当与所述读取数据的地址相对应的高速缓存命中的高速缓存行的所述有效比特位在读取操作期间被置位时,所述存储器控制器输出所述高速缓存命中的高速缓存行的所述高速缓存数据。
4.根据权利要求1所述的存储系统,其中,当与选择数据要被储存在其中的地址相对应的高速缓存行的所述加载比特位在写入操作期间被置位时,所述存储器控制器将写入数据储存为所述高速缓存命中的高速缓存行的所述高速缓存数据,将所述有效比特位置位,释放所述加载比特位,并且在所述读取数据到达所述高速缓存命中的高速缓存行时丢弃所述读取数据。
5.根据权利要求1所述的存储系统,其中,当与写入数据要被储存在其中的地址相对应的高速缓存行的所述有效比特位在写入操作期间被置位时,所述存储器控制器将所述写入数据储存为所述高速缓存命中的高速缓存行的所述高速缓存数据,并且维持所述有效比特位的置位状态。
6.根据权利要求1所述的存储系统,其中,所述多个高速缓存行中的每个高速缓存行还包括指定所述相应的高速缓存数据的储存位置的标记地址,
其中,所述存储器控制器基于所述多个高速缓存行的每个高速缓存行中的所述标记地址而搜索与选择数据要被储存在其中的地址相对应的高速缓存行。
7.根据权利要求1所述的存储系统,其中,所述多个高速缓存行中的每个高速缓存行还包括表示所述相应的高速缓存数据与所述主存储器的数据之间是否存在差异的脏比特位。
8.一种存储系统,包括:
非易失性存储器件;
易失性存储器件,其包括用于高速缓存储存在所述非易失性存储器件中的数据的多个高速缓存行,其中,所述多个高速缓存行中的每个高速缓存行包括高速缓存数据、标记地址、表示相应的高速缓存数据是否有效的有效比特位、表示所述相应的高速缓存数据与所述非易失性存储器件的数据之间是否存在差异的脏比特位以及表示所述非易失性存储器件的读取数据是否正在被加载的加载比特位;以及
存储器控制器,其适用于参考所述有效比特位、所述脏比特位和所述加载比特位来调度所述易失性存储器件的操作。
9.根据权利要求8所述的存储系统,其中,所述存储器控制器基于所述标记地址而搜索与选择数据要被储存在其中的地址相对应的高速缓存行。
10.根据权利要求9所述的存储系统,其中,当所述高速缓存命中的高速缓存行的所述加载比特位在读取操作期间被置位时,所述存储器控制器等待直到所述读取数据被储存在所述高速缓存命中的高速缓存行中,以及然后释放所述加载比特位,将所述有效比特位置位,并且输出所述高速缓存命中的高速缓存行的所述高速缓存数据。
11.根据权利要求9所述的存储系统,其中,当所述高速缓存命中的高速缓存行的所述有效比特位在读取操作期间被置位时,所述存储器控制器输出所述高速缓存命中的高速缓存行的所述高速缓存数据。
12.根据权利要求9所述的存储系统,其中,当所述高速缓存命中的高速缓存行的所述加载比特位在写入操作期间被置位时,所述存储器控制器将写入数据储存为所述高速缓存命中的高速缓存行的所述高速缓存数据,将所述脏比特位和所述有效比特位置位,释放所述加载比特位,并且在所述读取数据到达所述高速缓存命中的高速缓存行时丢弃所述读取数据。
13.根据权利要求9所述的存储系统,其中,当所述高速缓存命中的高速缓存行的所述有效比特位在写入操作期间被置位时,所述存储器控制器将写入数据储存为所述高速缓存命中的高速缓存行的所述高速缓存数据,将所述脏比特...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑承奎,禹秀海,河昌秀,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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