一种新型VDMOS元胞制造技术

本实用新型专利技术涉及微电子技术领域，尤其是一种新型VDMOS元胞；它包括P+区域，所述P+区域预留N+过道；因为引入的N+预留通道，使得弱化了对Cont到Poly距离的要求，因此对于同时更改N+跟Cont版图的设计可以提升产品良率，降低制作难度；对于不改Cont版图，只用本专利的新型N+版图，可以提升N+的接触面积，降低源极Source的接触电阻，进而降低VDMOS的导通电阻，降低整机应用的功耗；实施简单，无特殊新增工步要求。

【技术实现步骤摘要】
一种新型VDMOS元胞
本技术涉及微电子
，尤其是一种新型VDMOS元胞。
技术介绍
VDMOS是80年代以来发展迅猛的一种半导体功率器件，其在高压大电流领域的贡献非常大，VDMOS的设计多种多样，但是按照多晶分布，就分为两种:TrenchVDMOS跟PlaneVDMOS，其中PlaneVDMOS是指Poly是平面型的结构，VDMOS的Drain漏极在芯片背面，Gate栅极在芯片正面，Source/Bulk源极/衬底通常短接也在芯片正面。传统VDMOS的Source/Bulk的结构中，N+的Source只在元胞区的外圈，通过Cont孔刻蚀将外圈的N+跟内部的P+同时连接出来，但是这种做法通常需要Cont到Poly的距离比较近，以便能将外环的N+Source连接出来，但是Cont工艺若有波动，就可能会导致跟Poly发生短路或者漏电，因此需要有一种新的结构设计，可以放宽Cont到Poly距离的要求，但是又能很好地将N+Source接触出来，本专利主要就是针对此点，对N+的版图做新型的设计，以达到上述目的。传统设计对应的VDMOS元胞区工艺制作流程。a)图1所示，元胞区生长氧化层作为栅氧GateOxide，厚度(埃是长度单位,1埃＝1×10^-10米,10的负10次方米)，因为厚度比较薄，下图仅以粗线代替。然后做多晶Poly沉积，厚度然后Poly光刻，Poly刻蚀，下图为Poly刻蚀前的剖面图，PR是光刻胶Photoresist。b)图2所示，Poly刻蚀后，去除光刻胶，做Pbody注入，Pbody是最后会形成Pbody的沟道区，此步不用光刻，直接注入。c)图3所示，然后是P+光刻，P+注入，注入后去胶前的剖面图如下。P+作用是将VDMOS的体区接触出来。d)图4所示，去胶后做P阱推阱，经过长时间高温过程Pbody跟P+都向体内扩散。e)图5所示，然后是N+光刻，N+注入，N+形成VDMOS的Source源极，N+区域紧靠Poly。f)图6所示，然后是后段工艺，ILD介质层沉积，Cont光刻，Cont刻蚀，Cont光刻刻蚀的位置需要将N+跟P+都接触出来构成VDMOS最终短接的源极跟衬底。g)图7所示，最后是金属Metal的沉积制作，引出电极。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术提供一种VDMOS元胞，弱化Cont到Poly距离的要求，降低生产难度，提高良品率。本技术的技术方案为：一种新型VDMOS元胞，其特征在于：它包括P+区域，所述P+区域预留N+过道。具体的，所述N+过道长度为1um～5um，所述N+过道宽度为1um～5um。在其中一个实施例中，所述N+过道设置为横向。在其中一个实施例中，所述N+过道设置为纵向。在其中一个实施例中，所述N+过道在纵横方向均设置。本技术重点内容为在原P+区域添加N+预留过道，此预留过道尺寸不做具体限制(上述提到的所述N+过道长度为1um～5um为较优值，并非完全限制)，对于过道的形状，如只预留横向或者只预留纵向都应为本技术的保护范围。本技术的有益效果为：因为引入的N+预留通道，使得弱化了对Cont到Poly距离的要求，因此对于同时更改N+跟Cont版图的设计可以提升产品良率，降低制作难度。对于不改Cont版图，只用本专利的新型N+版图，可以提升N+的接触面积，降低源极Source的接触电阻，进而降低VDMOS的导通电阻，降低整机应用的功耗。实施简单，无特殊新增工步要求。附图说明图1-7为传统工艺a-g的示意图；图8为传统VDMOS元胞的版图设计图；图9为本技术VDMOS元胞的版图设计图；图10为本技术的原理示意图；图11为本技术的结构示意图。图11中各个标号为：栅极氧化层1、介质层2、多晶3、pbody沟道区4、P+区域5、N+区域6、cont7、金属层8、N+通道9。具体实施方式下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步说明：如图9-11所示，一种新型VDMOS元胞，它包括栅极氧化层1、介质层2、多晶3、pbody沟道区4、P+区域5(P+掺杂)、N+区域6(N+掺杂)、cont7和金属层8，所述P+区域内预留有N+通道，N+通道注入N+。由此可见，本技术方案与传统技术的区别仅在于所述P+区域内预留有N+通道。图8、图9所示，上述流程中的Poly、N+、P+、Cont对应的传统结构跟新型结构对比，外围一圈为Poly版图，C为Poly开窗尺寸，典型值为15um。虚线框为Cont，B为Cont开窗尺寸，典型值为12um。N+跟P+图形可以一样，但是P+是Clear，N+是Dark。Clear指画的地方做注入，Dark指画的地方不做注入，A典型尺寸可以为9um。新型结构跟传统结构对比，只有N+版图不同，传统结构N+版图跟P+相同，新型结构的N+版图为四块，如图10所示，整体的长度F跟传统结构的A保持一致，中间预留过道的尺寸D&E，推荐为2um，因为N+是Dark，因此最终会在预留过道位置注入N+，这样Cont到Poly的距离就可以适当扩大，因为中心区域已经足够将N+&P+连接出来。针对图10的虚线位置，对比两种结构的剖面图，也可以明显看出，因为新结构预留了N+通道，所以Cont距离Poly的距离即使扩大，也不会导致N+接触出问题。上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理和最佳实施例，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型VDMOS元胞，其特征在于：它包括栅极氧化层、介质层、多晶、pbody沟道区、P+区域、N+区域、cont和金属层，所述P+区域内预留有N+通道，N+通道注入N+。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型VDMOS元胞，其特征在于：它包括栅极氧化层、介质层、多晶、pbody沟道区、P+区域、N+区域、cont和金属层，所述P+区域内预留有N+通道，N+通道注入N+。


2.根据权利要求1所述的一种新型VDMOS元胞，其特征在于：所述N+过道长度为1um～5um，所述N+过道宽度为1um～5um。...

【专利技术属性】
技术研发人员：林美玉，
申请(专利权)人：广州市力驰微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44